Sc_2W_3O_(12)薄膜制备及其负热膨胀性能

采用脉冲激光沉积法制备了斜方相Sc_2W_3O_(12)薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对Sc_2W_3O_(12)靶材和Sc_2W_3O_(12)薄膜组分、表面形貌和靶材断面形貌进行表征,研究衬底温度与氧分压对薄膜制备的影响。采用变温XRD和热机械分析仪(TMA)分析了Sc_2W_3O_(12)陶瓷靶材和薄膜的负热膨胀特性。实验结果表明:经1000℃烧结6 h得到结构致密的斜方相Sc_2W_3O_(12)陶瓷靶材,其在室温到600℃的温度范围内平均热膨胀系数为–5.28×10-6 K-1。在室温到500℃衬底温度范围内脉冲激光沉积制备的Sc_2W_3O_(12)薄膜均为非晶态,随着衬底温度的升高,薄膜表面光滑程度提高;随着沉积氧压强增大,表面平整性变差。非晶膜经1000℃退火处理7 min后得到斜方相Sc_2W_3O_(12)多晶薄膜,在室温到600℃温度区间内,Sc_2W_3O_(12)薄膜的平均热膨胀系数为–7.17×10-6 K-1。

HfW_2O_8陶瓷的制备、相变特性及其负热膨胀性能(英文)

以分析纯的HfO2和WO3为原料,采用固相反应法制备立方相HfW2O8陶瓷.利用X射线衍射仪,场发射扫描电子显微镜和热机械分析仪对样品的物相组成、微观结构及相变和负热膨胀特性进行了表征.结果表明：1 200℃烧结6h后再经高温淬火可得到立方相HfW2O8陶瓷,其断面结构致密,晶粒呈方形,且具有良好的负热膨胀特性;在182.5℃发生α-HfW2O8到β-HfW2O8的相转变,相转变后HfW2O8陶瓷的热膨胀系数降低.通过高温XRD法计算得到α-HfW2O8热膨胀系数为 12.90×10-6K-1,β-HfW2O8的热膨胀系数为-10.09×10-6K-1.在25～600℃,其平均热膨胀系数为11.46×10-6K-1.受孔洞和微裂纹的影响,采用热机械分析仪测试得到的HfW2O8陶瓷宏观热膨胀系数比高温X射线衍射仪得到的稍小.