一种新型地址变化探测技术在SRAM中的应用

本文提出了一种采用两级电路实现的地址变化探测器。与传统地址变化探测电路相比较,该设计显著提高了SRAM的抗噪声、抗干扰能力。

一款异步256kB SRAM的设计

在集成电路设计制造水平不断提高的今天,SRAM存储器不断朝着大容量、高速度、低功耗的方向发展。文章提出了一款异步256kB(256k×1)SRAM的设计,该存储器采用了六管CMOS存储单元、锁存器型灵敏放大器、ATD电路,采用0.5μm体硅CMOS工艺,数据存取时间为12ns。

SOI SRAM灵敏放大器中动态体放电技术研究

在SOI SRAM锁存器型灵敏放大器中,设计了一对小的下拉管,用来动态地释放交叉耦合反相器中N管上的体电荷。这种动态体放电的方法有效地解决了部分耗尽SOI CMOS器件体电位不匹配的问题,得到了可重复性低阈值电压,提高了SRAM的读取速度。

基于EEPROM单元的阵列式灵敏放大器的设计

本文通过使用already-on(native)元件所提出的阵列式灵敏放大器的改进结构,虽然该结构会使版图的面积增大,芯片的成本增加;但在它处于低功耗模式时,可有效的感应位线上更小的充电电流。并且在没有其它功耗增加的基础上,性能却得到了提高。并且它的设计简单,在具体的工艺过程中很容易实现。