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衬底温度对ZnO薄膜晶体结构和电学性质的影响研究
被引量:
1
1
作者
陆慧
阴其俊
+1 位作者
夏姣贞
潘孝任
《Chinese Journal of Chemical Physics》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期1034-1038,共5页
由GDARE法在较低温度下,以玻璃为衬底沉积ZnO薄膜,用SEM、AFM、XRD及交流阻抗谱测量等方法研究了衬底温度对薄膜表面形貌、晶体结构以及晶体导电性质的影响.研究结果表明,室温下沉积的薄膜为颗粒致密的非晶相结构,晶界电阻较小.在衬底...
由GDARE法在较低温度下,以玻璃为衬底沉积ZnO薄膜,用SEM、AFM、XRD及交流阻抗谱测量等方法研究了衬底温度对薄膜表面形貌、晶体结构以及晶体导电性质的影响.研究结果表明,室温下沉积的薄膜为颗粒致密的非晶相结构,晶界电阻较小.在衬底温度大于50℃时,由GDARE法可沉积出具有一定c轴取向的ZnO薄膜.随衬底温度的升高,薄膜沿c轴择优生长趋势明显增强,内应力减小,晶界效应增强,晶界电阻增大.衬底温度大于100℃后,沿c轴的取向度增强趋势减缓.在衬底温度180~200℃时,可获得高度c轴取向的ZnO超细微粒薄膜,其结晶性能良好,表面光滑,平均粒径30~40nm,晶粒尺寸均匀,晶形规则,沿c轴的内应力很小,取向度达0.965.此时薄膜的晶界效应增强,晶界电阻明显大于室温下沉积的薄膜,而晶粒电阻所占比例很小,总阻抗以晶界电阻为主.同时还讨论了衬底温度对薄膜晶体结构及晶界特性的影响机理.
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关键词
ZNO薄膜
衬底温度
晶体结构
应力
阻抗谱
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职称材料
题名
衬底温度对ZnO薄膜晶体结构和电学性质的影响研究
被引量:
1
1
作者
陆慧
阴其俊
夏姣贞
潘孝任
机构
华东理工大学物理系
出处
《Chinese Journal of Chemical Physics》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期1034-1038,共5页
文摘
由GDARE法在较低温度下,以玻璃为衬底沉积ZnO薄膜,用SEM、AFM、XRD及交流阻抗谱测量等方法研究了衬底温度对薄膜表面形貌、晶体结构以及晶体导电性质的影响.研究结果表明,室温下沉积的薄膜为颗粒致密的非晶相结构,晶界电阻较小.在衬底温度大于50℃时,由GDARE法可沉积出具有一定c轴取向的ZnO薄膜.随衬底温度的升高,薄膜沿c轴择优生长趋势明显增强,内应力减小,晶界效应增强,晶界电阻增大.衬底温度大于100℃后,沿c轴的取向度增强趋势减缓.在衬底温度180~200℃时,可获得高度c轴取向的ZnO超细微粒薄膜,其结晶性能良好,表面光滑,平均粒径30~40nm,晶粒尺寸均匀,晶形规则,沿c轴的内应力很小,取向度达0.965.此时薄膜的晶界效应增强,晶界电阻明显大于室温下沉积的薄膜,而晶粒电阻所占比例很小,总阻抗以晶界电阻为主.同时还讨论了衬底温度对薄膜晶体结构及晶界特性的影响机理.
关键词
ZNO薄膜
衬底温度
晶体结构
应力
阻抗谱
Keywords
ZnO films, Substrate temperature, Structure, Stress, Complex impedance spectroscopy
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
衬底温度对ZnO薄膜晶体结构和电学性质的影响研究
陆慧
阴其俊
夏姣贞
潘孝任
《Chinese Journal of Chemical Physics》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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职称材料
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