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清洁Nb(100)面的结构
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作者 潘必才 胡兹莆 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期208-212,共5页
采用低能电子衍射(LEED)动力学计算法,计算了Nb(100)面的各种弛豫结构的Ⅰ—Ⅴ曲线,使之与实验曲线拟合,用R 因子对这些可能的结构进行搜寻和分析.结果表明清洁Nb(100)面最顶层层间距为1.46(?),与体内相比向内收缩了11%,次层层间距为1.7... 采用低能电子衍射(LEED)动力学计算法,计算了Nb(100)面的各种弛豫结构的Ⅰ—Ⅴ曲线,使之与实验曲线拟合,用R 因子对这些可能的结构进行搜寻和分析.结果表明清洁Nb(100)面最顶层层间距为1.46(?),与体内相比向内收缩了11%,次层层间距为1.72(?),向外膨胀了5%,与清洁的Ta(100)面的结构相似. 展开更多
关键词 低能 电子衍射 NB 表面物理
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H_8Si_8O_(12) 和H_8Si_7TiO_(12)团簇的几何构型和电子结构的从头算研究 被引量:1
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作者 韩聚广 潘必才 施蕴渝 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2000年第6期661-665,共5页
应用HF、 MP2和杂化的B3LYP方法,使用3-21G基组,对H8Si8O12 和H8Si7TiO12团簇的几何构型、总能进行了计算,并在B3LYP/3-21G的水平上对硅原子的核磁共振化学位移进行了研究,得到的几何构型,以及核磁共振化学位移与实验结果进行了比... 应用HF、 MP2和杂化的B3LYP方法,使用3-21G基组,对H8Si8O12 和H8Si7TiO12团簇的几何构型、总能进行了计算,并在B3LYP/3-21G的水平上对硅原子的核磁共振化学位移进行了研究,得到的几何构型,以及核磁共振化学位移与实验结果进行了比较,发现吻合得很好。计算了H8Si8O12和H8Si7TiO12团簇的Mulliken布居数的大小。并对Si原子被Ti原子取代前后的H8Si8O12体系的几何构型、 Mulliken布居数的变化进行了比较和研究。 展开更多
关键词 团簇 电子结构 从头算 H8Si8O12 H2Si7TiO12
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磁约束可控热核聚变堆中的第一壁材料钨的研究状况和面临的若干问题 被引量:6
3
作者 丁文艺 何海燕 潘必才 《安徽师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2014年第4期314-319,共6页
本文介绍了磁约束可控热核聚变堆中面向等离子体第一壁材料的服役环境.阐述了热负荷和高能粒子辐照对第一壁钨材料结构的影响.针对该领域中的研究状况,分析了所存在的迫切需要解决的若干问题.
关键词 第一壁材料钨 聚变堆 氢泡
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聚变堆中第一壁材料钨的紧束缚理论研究 被引量:1
4
作者 叶小彬 何志海 潘必才 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期42-49,共8页
为研究辐照时处于电子激发态下第一壁材料钨(W)的结构演化规律和热力学性质,采用紧束缚方法对聚变堆中W的物理性质进行理论研究。结果表明,体系在高能粒子辐照下诱导的电子激发导致了体系中被辐照的区域自发出现微孔、晶格急剧膨胀、熔... 为研究辐照时处于电子激发态下第一壁材料钨(W)的结构演化规律和热力学性质,采用紧束缚方法对聚变堆中W的物理性质进行理论研究。结果表明,体系在高能粒子辐照下诱导的电子激发导致了体系中被辐照的区域自发出现微孔、晶格急剧膨胀、熔点下降等现象。具体地,在中等电子温度(~5000 K)以下,W的晶格膨胀主要由晶格温度驱动,但在电子温度较高时电子温度导致被辐照区域的晶格膨胀效应不可被忽略。特别是当电子温度很高(>10000 K)时,即便晶格温度不高,电子温度也会导致很大程度晶格膨胀。这对认识聚变堆中第一壁材料W在服役过程中的物理状态十分重要。 展开更多
关键词 熔点 晶格肿胀 紧束缚理论
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Calculation of Defects in Silicon by a New Tight-Binding Model 被引量:2
5
作者 PEI Min WANG Wei +1 位作者 PAN Bi-Cai LI Yong-Ping 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2000年第3期215-217,共3页
The structural and electronic properties of monovacancy,divacancy defects within crystalline silicon have been investigated systematically using a new tight-binding model with a 216-atom supercell.The formation energi... The structural and electronic properties of monovacancy,divacancy defects within crystalline silicon have been investigated systematically using a new tight-binding model with a 216-atom supercell.The formation energies and energy levels of all the defect configurations are carefully calculated.The results show that atoms nearer to the defects naturally contribute to gap states more,and are comparable with the experimental values. 展开更多
关键词 VACANCY DEFECTS DEFECT
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Corrosion related properties of iron(100) surface in liquid lead and bismuth environments:A first-principles study 被引量:1
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作者 宋驰 李冬冬 +3 位作者 许依春 潘必才 刘长松 王志光 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第5期447-452,共6页
The corrosion of steels in liquid metal lead (Pb) and bismuth (Bi) is a critical challenge in the development of accel-erator driven systems (ADS). Using a first-principles method with a slab model, we theoretic... The corrosion of steels in liquid metal lead (Pb) and bismuth (Bi) is a critical challenge in the development of accel-erator driven systems (ADS). Using a first-principles method with a slab model, we theoretically investigate the interaction between the Pb (Bi) atom and the iron (Fe) (100) surface to assess the fundamental corrosion properties. Our investigation demonstrates that both Pb and Bi atoms favorably adsorb on the (100) surface. Such an adsorption decreases the energy required for the dissociation of an Fe atom from the surface, enhancing the dissolution tendency significantly. The seg- regation of six common alloying elements (Cr, A1, Mn, Ni, Nb, and Si) to the surface and their impacts on the corrosion properties are also considered. The present results reveal that Si seems to have a relatively good performance to stabilize the surface and alleviate the dissolving trend caused by Pb and Bi. 展开更多
关键词 corrosion property interface interaction alloying atom first-principles method
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Properties of Single-Wall Carbon Nanotubes with Finite Lengths
7
作者 HU Di-Li PAN Bi-Cai LI Jia-Ming 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2001年第5期653-655,共3页
Carbon nanotubes with finite lengths should be natural components of future“nano devices”.Based on orthogonal tight-binding molecular dynamics simulations,we report our study of formation energies,optimal geometrica... Carbon nanotubes with finite lengths should be natural components of future“nano devices”.Based on orthogonal tight-binding molecular dynamics simulations,we report our study of formation energies,optimal geometrical structures and active sites of carbon nanotubes with finite lengths.This should be useful to understand the properties of such natural components. 展开更多
关键词 CARBON FINITE FINITE
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人工金刚石薄膜生长过程中有关反应活性的研究 被引量:1
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作者 潘必才 夏上达 方容川 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期763-771,共9页
用原子簇团模拟人工金刚石膜生长过程中的一些生长核,采用从头自治的DV-X_n方法对这些簇团和与生长过程有关的一些气相分子和基团(CH,CH_2,CH_3,·CH_3,CH_4·H,C_2H,C_2H_2,C_2H_4)进行了电子结构计算,从化学反应活性的角度探... 用原子簇团模拟人工金刚石膜生长过程中的一些生长核,采用从头自治的DV-X_n方法对这些簇团和与生长过程有关的一些气相分子和基团(CH,CH_2,CH_3,·CH_3,CH_4·H,C_2H,C_2H_2,C_2H_4)进行了电子结构计算,从化学反应活性的角度探讨金刚石膜生长过程中这些气相分子和基团与生长核的反应活性,结果表明,CH,CH_2,CH_3,CH_4·H和变形的C_2H_2更易于与金刚石表面发生化学吸附。另外,通过分析簇团的电子态密度和前线分子轨道的组成情况,提出了人工金刚石膜生长中生长核长大的图象。 展开更多
关键词 金刚石 人工金刚石 薄膜 薄膜生长 反应活性
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氢原子诱导的金刚石(111)面从(2×1)再构转变成(1×1)结构的电子结构研究 被引量:1
9
作者 潘必才 夏上达 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期320-325,共6页
运用从头算的DV-X_α方法研究了氢原子诱导的金刚石(111)面从(2×1)再构到(1×1)结构的电子结构。结果表明,氢原子在结构转变中的作用是首先使(2×1)结构中的Pandey π键畸变,进而破坏(sp^2杂化键+Pandey π键)结构,促使sp^... 运用从头算的DV-X_α方法研究了氢原子诱导的金刚石(111)面从(2×1)再构到(1×1)结构的电子结构。结果表明,氢原子在结构转变中的作用是首先使(2×1)结构中的Pandey π键畸变,进而破坏(sp^2杂化键+Pandey π键)结构,促使sp^3杂化键的形成。 展开更多
关键词 金刚石 结构重排 电子结构 氢原子
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包含键环境修正的硅氢紧束缚势模型 被引量:1
10
作者 潘必才 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期268-272,共5页
在已有的硅势模型基础上 ,引进氢原子 ,计及Si H键环境的影响 ,构造出新的硅氢紧束缚势模型 .通过测试计算 ,这一新的硅氢势模型显示出较好的传递性 ,可适宜于研究复杂的硅氢体系 .
关键词 紧束缚势模型 半导体 缺陷 硅-氢键环境
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多孔硅制备过程中B,P杂质原子的作用
11
作者 潘必才 夏上达 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期745-754,共10页
采用DV-Xα方法对多孔硅形成过程中位于表层的B和P杂质原子的作用进行研究,结果表明位于顶层硅原子层中的B和P杂质原子均可削弱其邻近的Si-Si键强度,因而可能导致出现腐蚀的突破点,再通过分析杂质对表面区势场的改变,可以认为位于顶层... 采用DV-Xα方法对多孔硅形成过程中位于表层的B和P杂质原子的作用进行研究,结果表明位于顶层硅原子层中的B和P杂质原子均可削弱其邻近的Si-Si键强度,因而可能导致出现腐蚀的突破点,再通过分析杂质对表面区势场的改变,可以认为位于顶层硅原子层中的B杂质原子产生腐蚀的突破点的可能性更大。 展开更多
关键词 多孔硅 杂质 掺杂 B杂质 P杂质
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左手性材料研究进展 被引量:11
12
作者 马中团 鲁拥华 +3 位作者 王沛 曹勇 潘必才 明海 《物理》 CAS 北大核心 2004年第7期497-502,共6页
综述了左手性材料的理论与实验研究方面取得的最新进展 .采用电磁理论分析了左手性介质的基本性质 ;阐述了用左手性介质制作的平板透镜进行实现超衍射分辨率成像的机理 ;
关键词 左手性介质 负折射率材料 完美透镜 斯涅耳定律 超衍射分辨率成像 复合材料
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碳纳米管中α-Ga和β-Ga纳米线相对稳定性的理论研究 被引量:8
13
作者 徐波 潘必才 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期6526-6530,共5页
采用密度泛函理论研究了碳纳米管中填充的金属镓纳米线的稳定性.结果表明,无论是在碳纳米管内的受限空间,还是在自由空间,较大尺寸的β-Ga纳米线都要比α-Ga纳米线稳定.通过对镓纳米线的平均能量和镓纳米线与碳纳米管间的结合能的分析,... 采用密度泛函理论研究了碳纳米管中填充的金属镓纳米线的稳定性.结果表明,无论是在碳纳米管内的受限空间,还是在自由空间,较大尺寸的β-Ga纳米线都要比α-Ga纳米线稳定.通过对镓纳米线的平均能量和镓纳米线与碳纳米管间的结合能的分析,揭示了实验中观测到碳纳米管中金属镓会存在β-Ga相而无α-Ga相的物理原因. 展开更多
关键词 碳纳米管 纳米线 密度泛函理论
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用LMTO方法对清洁Nb(100)面电子结构的研究 被引量:2
14
作者 李永平 张海峰 潘必才 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期622-626,共5页
用LMTO-ASA方法计算了铌的体态密度和清洁Nb(100)表面的局域态密度以及有关的表面能。所计算的体态密度与用其它方法计算的态密度符合得很好,表面能则支持了低能电子衍射(LEED)动力学计算的结果,并且通过分析表面局域态密度,提出了清洁N... 用LMTO-ASA方法计算了铌的体态密度和清洁Nb(100)表面的局域态密度以及有关的表面能。所计算的体态密度与用其它方法计算的态密度符合得很好,表面能则支持了低能电子衍射(LEED)动力学计算的结果,并且通过分析表面局域态密度,提出了清洁Nb(100)表面存在表面态,表面态位于费密能级的上方。 展开更多
关键词 表面能 局域态 电子结构 LMTO
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(单晶硅/电解液)界面对多孔硅形成初期阶段的影响 被引量:1
15
作者 李清山 李鹏 +3 位作者 马玉蓉 潘必才 夏上达 方容川 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期244-248,共5页
测量了在多孔硅形成初期阶段的电流I-电压V曲线,计算了硅表面原子吸附不同元素时电荷的转移量.指出在(单晶硅/电解液)界面处存在一电偶层,它影响着多孔硅材料的形成和性质.讨论了制备中氢氟酸(HF)浓度、电流密度和光照等因素对材料形成... 测量了在多孔硅形成初期阶段的电流I-电压V曲线,计算了硅表面原子吸附不同元素时电荷的转移量.指出在(单晶硅/电解液)界面处存在一电偶层,它影响着多孔硅材料的形成和性质.讨论了制备中氢氟酸(HF)浓度、电流密度和光照等因素对材料形成的影响. 展开更多
关键词 多孔硅 界面 单晶硅/电解液
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ZnO中若干p型杂质与氢相互作用行为的理论研究 被引量:1
16
作者 何海燕 胡军 潘必才 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2012年第11期1124-1134,共11页
本文综述了我们对ZnO中几种重要的p型受主杂质与H原子相互作用行为的理论研究结果.我们的研究表明,ZnO中H原子可以通过不同的路径迁移到受主杂质(N,Li和Ag)附近,形成稳定的NO-H,LiZn-H和AgZn-H复合体.我们进一步发现在这些复合体形成的... 本文综述了我们对ZnO中几种重要的p型受主杂质与H原子相互作用行为的理论研究结果.我们的研究表明,ZnO中H原子可以通过不同的路径迁移到受主杂质(N,Li和Ag)附近,形成稳定的NO-H,LiZn-H和AgZn-H复合体.我们进一步发现在这些复合体形成的过成中,H原子所需克服的能量势垒几乎不超过0.5eV,但NO-H,LiZn-H和AgZn-H复合体的离解所需要的激活能却分别为1.25-1.48eV,1.10-1.35eV,1.10-1.30eV.这表明ZnO中H原子和p型受主杂质形成的复合体在室温下能稳定存在.此外,我们也介绍了这些复合体的电子结构和振动性质. 展开更多
关键词 密度泛函理论计算 ZNO p型杂质与H的复合体 迁移 电子结构 振动性质
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Ag(111)与Ag(001)表面电子结构与稳定性的研究 被引量:1
17
作者 张海峰 李永平 潘必才 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期1884-1889,共6页
采用LMTOASA方法,对几种不同方法获得的不尽相同的Ag(111)“稳定表面”的表面电子结构进行了系列对比研究,给出了这些不同表面弛豫结构的电子结构特性.根据表面能的大小,指出了最稳定表面结构应为单层向内弛豫表面... 采用LMTOASA方法,对几种不同方法获得的不尽相同的Ag(111)“稳定表面”的表面电子结构进行了系列对比研究,给出了这些不同表面弛豫结构的电子结构特性.根据表面能的大小,指出了最稳定表面结构应为单层向内弛豫表面,并对该类表面结构的电子结构特性作了分析和讨论.作为对比,还分析讨论了清洁理想Ag(001)表面的电子结构特性.根据Ag(111)和Ag(001)表面能的区别。 展开更多
关键词 银晶体 表面电子结构 稳定性
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单壁碳纳米管单原子空位缺陷的紧束缚理论研究
18
作者 陆爱江 潘必才 《物理》 CAS 北大核心 2004年第12期878-881,共4页
文章在紧束缚势模型基础上系统地研究了非手性单壁碳纳米管上单原子空位缺陷结构和电子结构性质.计算表明,单原子空位缺陷会自发地形成5-IDB型缺陷,且该缺陷的局域结构和形成能强烈地依赖于碳纳米管的尺寸、旋度和电学性质.同时作者发... 文章在紧束缚势模型基础上系统地研究了非手性单壁碳纳米管上单原子空位缺陷结构和电子结构性质.计算表明,单原子空位缺陷会自发地形成5-IDB型缺陷,且该缺陷的局域结构和形成能强烈地依赖于碳纳米管的尺寸、旋度和电学性质.同时作者发现这类缺陷在费米能级以上约0.2eV处产生局域的电子态. 展开更多
关键词 单原子 空位缺陷 势模型 旋度 局域结构 费米能级 电子态 单壁碳纳米管 电学性质 电子结构
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锗团簇Ge_(65),Ge_(70),Ge_(75)的稳定结构及其电子结构性质 被引量:3
19
作者 李鹏飞 张艳革 +1 位作者 雷雪玲 潘必才 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第14期136-141,共6页
将两种全局结构搜索方法(压缩液态法、遗传算法)与锗的紧束缚势模型相互结合,对Ge65,Ge70,Ge75的稳定结构进行了大规模的搜寻,提出能量较低的可能结构,然后进一步利用第一性原理方法对这些低能结构进行精确的优化计算,确定出了这三种尺... 将两种全局结构搜索方法(压缩液态法、遗传算法)与锗的紧束缚势模型相互结合,对Ge65,Ge70,Ge75的稳定结构进行了大规模的搜寻,提出能量较低的可能结构,然后进一步利用第一性原理方法对这些低能结构进行精确的优化计算,确定出了这三种尺寸团簇的基态结构.发现这三种团簇各具有两种稳定的并且能量相近的异构体:类球形和类椭球形,这与实验上报道的大尺寸团簇Gen(65≤n≤80)的结构特征相符合.简要地分析了这三种团簇基态结构的电子性质. 展开更多
关键词 锗团簇 紧束缚势 遗传算法 压缩液态法
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表面效应对Li掺杂的ZnO薄膜材料p型电导的影响 被引量:2
20
作者 司杭 何海燕 潘必才 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第15期434-440,共7页
利用第一性原理的方法研究了在ZnO非极性表面和极性表面的不同原子层中,分别用Li原子去替位Zn原予(记为Li_(zn))后的相对稳定性和热离化能.计算结果表明Li_(zn)处于ZnO表面区域时的稳定性优于在ZnO体中时的稳定性,并且Li_(zn)在表面区... 利用第一性原理的方法研究了在ZnO非极性表面和极性表面的不同原子层中,分别用Li原子去替位Zn原予(记为Li_(zn))后的相对稳定性和热离化能.计算结果表明Li_(zn)处于ZnO表面区域时的稳定性优于在ZnO体中时的稳定性,并且Li_(zn)在表面区域的热离化能要比它在体结构中的热离化能大很多,于是,ZnO表面效应的存在会使Li掺杂的ZnO薄膜材料的p型导电能力大幅度降低.这个结果对低维ZnO体系p型掺杂有着重要的指导意义.我们进一步发现,在不同的ZnO表面区域里Li_(zn)的热离化能会表现出很大的差异是源于不同的表面具有不同的静电势分布. 展开更多
关键词 第一性原理 ZnO表面 p型导电性 热离化能级
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