基于MOCVD的4H-SiC同质外延缺陷控制方法分析

阐述4H-SiC同质外延生长过程中出现的三角形缺陷。基于三角形缺陷的成核原理,对外延层结构和生长参数进行改进,从而在4H-SiC衬底与外延之间横向生长一层高质量的缓冲层。

网纹橙肉的洋香瓜新品种朱爱

近年来随着水果消费意识的提升，网纹洋香瓜已逐渐成为青果商及消费市场的主流。同时消费者对网纹洋香瓜品质的要求亦日趋严苛，不仅仅是果实甜度高即可，而是质地外观必须同时兼顾。因此，质地优、外观美的网纹洋香瓜品种，更能获得消费大众的青睐。

基于低温氧化的4H-SiC/SiO_(2)界面态钝化方案

阐述4H-SiC晶圆的Si面上通过CVD淀积与低温热氧化生长的双层栅氧化物结构,在高温氮气环境下可降低4H-SiC/SiO_(2)界面的高密度界面缺陷。采用PECVD淀积一层均匀的SiO_(2)膜后,通过热氧化工艺在淀积膜与4H-SiC/SiO_(2)间生长一层很薄的氧化物过渡层。根据不同温区间热氧化温度形成的SiO_(2)膜晶型不同,改变界面中氮气退火过程中氮元素的引入,从而钝化4H-SiC/SiO_(2)的界面缺陷。

GaN HEMT器件背面减薄工艺研究

阐述GaN HEMT器件背面工艺的步骤以及背面减薄的特点,针对减薄工艺所需的技术支持需求提出临时键合工艺,探讨临时键合工艺中的问题,优化工艺步骤,提出解决方法,采用粗磨加多步精磨的方法得到50μm厚度的超薄晶圆,验证减薄的可行性。