阐明了单电子晶体管(single electron transistor,SET)I-V特性的一种分区处理法,在此基础上设计了SET积分器,并给出了该积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点.仿真结果表明,该积分器的传输特性与采用其它两种方法描述SETI-V特性所...阐明了单电子晶体管(single electron transistor,SET)I-V特性的一种分区处理法,在此基础上设计了SET积分器,并给出了该积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点.仿真结果表明,该积分器的传输特性与采用其它两种方法描述SETI-V特性所构成的积分器传输特性有着良好的一致性.文中所提出的方法同样适用于SET在其它模拟和逻辑电路中的应用.展开更多
文摘阐明了单电子晶体管(single electron transistor,SET)I-V特性的一种分区处理法,在此基础上设计了SET积分器,并给出了该积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点.仿真结果表明,该积分器的传输特性与采用其它两种方法描述SETI-V特性所构成的积分器传输特性有着良好的一致性.文中所提出的方法同样适用于SET在其它模拟和逻辑电路中的应用.