双脉冲测试参数设计与四开关Buck-Boost DC-DC变换器效率评估

双脉冲测试作为功率半导体器件性能评估的主要手段,其试验参数的准确性直接影响着测试结果。为了更准确地获得功率半导体器件的开关特性,以第三代宽禁带半导体器件SiC-MOSFET为测试对象,详细介绍了双脉冲测试电路的工作原理,给出了双脉冲测试中脉冲宽度、脉冲间隔时间及电感电容等器件相关参数的选定方法。搭建了四开关Buck-Boost硬件试验平台,根据所介绍的双脉冲参数选择方法,对SiCMOSFET单管和双管并联两种不同工作模式进行了测试,根据所获得的开关损耗数值,估算了Buck-Boost变换器的功率损耗。通过不同输出功率下测试的转换效率,验证了双脉冲测试中参数设计的准确性。