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低表面浓度磷掺杂的高方阻P-N结发射极制备工艺 被引量:2
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作者 李旺 唐鹿 +3 位作者 田娅晖 薛飞 辛增念 潘胜浆 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第1期132-138,共7页
制备P-N结发射极的常规扩散工艺主要包括预淀积和高温推阱两个步骤。本文采用在高温推阱之后施加一步保温过程的工艺方案,在p型多晶硅片上制备了低表面浓度磷掺杂的高方阻发射极,研究了不同保温温度对P-N结发射极的方阻和磷原子掺杂分... 制备P-N结发射极的常规扩散工艺主要包括预淀积和高温推阱两个步骤。本文采用在高温推阱之后施加一步保温过程的工艺方案,在p型多晶硅片上制备了低表面浓度磷掺杂的高方阻发射极,研究了不同保温温度对P-N结发射极的方阻和磷原子掺杂分布的影响。结果表明,当完成高温推阱后,在650~750℃温度范围内施加保温工艺所得P-N结的方阻值反向升高,同时二次离子质谱(SIMS)测试结果表明,硅片表层区域的磷原子掺杂浓度相应降低。与常规扩散工艺相比,采用在700℃下保温15 min时所得P-N结的方阻升高约3.2Ω/,所得相应太阳能电池光电转换效率E;达到18.69%,比产线工艺提高约0.23%。 展开更多
关键词 太阳能电池 P-N结 磷掺杂 扩散 掺杂浓度 光电转换 转换效率
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