基于FET结构的MoS_(2)器件的研究进展

对带隙可调的二维层状半导体二硫化钼(MoS_(2))的材料特性以及基于MoS_(2)薄膜的器件性能和应用进行了简单阐述,重点分析了多种MoS_(2)场效应晶体管(FET)的结构特点,并对MoS_(2) FET的制备工艺、电学性能(载流子迁移率、电流开关比、亚阈值摆幅等)以及栅极介质层材料对器件性能的影响等进行了综述。在此基础上进一步总结了近年来国内外基于FET结构的MoS_(2)光电器件及传感器的研究进展,分别对其结构、光响应度以及灵敏度等性能进行了分析讨论。最后,对MoS_(2)薄膜制备以及基于FET结构的MoS_(2)电子器件、光电器件和传感器未来的发展方向进行了展望。