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双嵌入式低k介电层/铜工艺技术 被引量：1
1
作者 利定东 濮胜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期22-24,21,共4页
介绍了铜/低介电常数介电层的双嵌入式工艺,该工艺已大规模应用于动态记忆存储器(DRAM)和逻辑电路器件中。
关键词 双嵌入 内导线 RC延迟 低K介电层 铜布线工艺制程
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