期刊文献+
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
ZnO非欧姆陶瓷材料的介电和损耗特性 被引量:4
1
作者 李盛涛 刘辅宜 焦兴六 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期90-96,共7页
本文研究了不同工艺条件制备的ZnO非欧姆陶瓷材料的介电和损耗特性,根据介电频谱和低温温谱,认为音频损耗机理是载流子跳跃传输,低温-138°C和-87.5°C处的损耗机制是热离子极化.实验发现并理论推导了ZnO... 本文研究了不同工艺条件制备的ZnO非欧姆陶瓷材料的介电和损耗特性,根据介电频谱和低温温谱,认为音频损耗机理是载流子跳跃传输,低温-138°C和-87.5°C处的损耗机制是热离子极化.实验发现并理论推导了ZnO非欧姆陶瓷元件的阻性电流正比于其电容和压敏电压的乘积,这一关系可作为ZnO元件的质量控制手段. 展开更多
关键词 非欧姆陶瓷 陶瓷 介电特性 氧化锌陶瓷 损耗特性
下载PDF
复合外套氧化锌避雷器内部结构与性能关系的研究 被引量:7
2
作者 刘学忠 焦兴六 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 1999年第4期37-42,共6页
进行了复合外套氧化锌避雷器结构与性能关系的研究,通过几种典型内部结构避雷器的电气、物理机械等性能的对比试验,得到了各个结构在相关性能上的差异,并为复合外套氧化锌避雷器的优化设计提供了试验依据。
关键词 复合外套 氧化锌避雷器 避雷器 结构 性能
下载PDF
氧化锌避雷器阀片2ms方波筛选有关问题的研究 被引量:2
3
作者 李盛涛 刘辅宜 +1 位作者 焦兴六 任文娥 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 1996年第1期31-34,共4页
研究了氧化锌避雷器阀片2ms方波筛选提高整批阀片通流能力的可靠性水平的可行性,以及筛选电流值和次数对筛选有效性的影响,得出选用筛选电流值及其次数的原则和方向。
关键词 氧化锌避雷器 阀片 方波通流能力 避雷器
下载PDF
ZnO粉的预烧对ZnO陶瓷电性能的影响 被引量:1
4
作者 李盛涛 刘辅宜 +1 位作者 任文娥 焦兴六 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1989年第4期24-27,共4页
本文研究了ZnO粉料的预烧对ZnO陶瓷的S-I关系曲线,阻性电流,阻性电流与频率、温度关系,冲击电流作用下V_(1mA)变化率及残压出的影响,测定了ZnO粉料预烧前后的平均粒径和比表面积,并对实验现象进行了初步理论探讨。
关键词 ZnO陶瓷 ZnO粉 预烧 电子陶瓷
下载PDF
高压、大通流量氧化锌避雷器阀片的制作和性能分析
5
作者 谭宜成 刘子玉 +1 位作者 刘辅宜 焦兴六 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第S1期139-142,共4页
本文提出一种新的添加剂溶液法,将添加剂制成溶液后加入 ZnO 粉料,以期改善 ZnO 阀片的均匀性和宏观电特性。实验结果表明,溶液法工艺能够有效地提高阀片的宏观电特性,并且能够降低添加剂原料成本,具有较好的实用价值。1 氧化锌(ZnO)阀... 本文提出一种新的添加剂溶液法,将添加剂制成溶液后加入 ZnO 粉料,以期改善 ZnO 阀片的均匀性和宏观电特性。实验结果表明,溶液法工艺能够有效地提高阀片的宏观电特性,并且能够降低添加剂原料成本,具有较好的实用价值。1 氧化锌(ZnO)阀片小电流特性的改善溶液法工艺对小电流特性的改善主要表现在阀片非线性系数α的提高和电位梯度的提高。为了同磨细法工艺相比较,本文用两种方法制备样品. 展开更多
关键词 氧化锌避雷器 阀片 电位梯度 溶液法 电流特性 电特性 非线性系数 通流容量 性能分析 阻性电流
下载PDF
ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷的导电过程与等效势垒高度 被引量:12
6
作者 成鹏飞 李盛涛 焦兴六 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期4253-4258,共6页
研究了ZnOBi2O3系压敏陶瓷等效势垒高度eff随着归一化电压的变化规律,发现等效势垒高度eff随着归一化电压的增加先逐渐增大,达到最大值后持续下降.由于在外加电压作用下反偏势垒高度高于正偏势垒高度,等效势垒高度eff主要取决于... 研究了ZnOBi2O3系压敏陶瓷等效势垒高度eff随着归一化电压的变化规律,发现等效势垒高度eff随着归一化电压的增加先逐渐增大,达到最大值后持续下降.由于在外加电压作用下反偏势垒高度高于正偏势垒高度,等效势垒高度eff主要取决于反偏势垒.因此,这种变化规律说明了ZnO压敏陶瓷晶界的导电过程可能存在三个阶段.在低归一化电压区,晶界区域中的电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率低于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,从而导致等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐增大.在中等归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率和电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率相平衡,等效势垒高度达到最大值.在高归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率高于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐下降,直至晶界击穿.同时分析了等效势垒高度eff对泄漏电流IL的影响,发现泄漏电流与等效势垒高度差Δ呈指数关系. 展开更多
关键词 ZNO压敏陶瓷 归一化电压 等效势垒高度 导电过程
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部