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低能电子轰击引起氧化铝钝化膜BCMOS传感器暗电流变化研究
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作者 闫磊 石峰 +7 位作者 程宏昌 焦岗成 杨晔 肖超 樊海波 郑舟 董海晨 何惠洋 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第3期342-346,共5页
针对低能电子(电子能量为300~1500 eV)轰击引起氧化铝钝化层BCMOS(Back-thinned Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,BCMOS)图像传感器暗电流增加问题,设计了电子轰击BCMOS图像传感器实验,经统计发现,对于厚度为10 nm的氧化铝钝化... 针对低能电子(电子能量为300~1500 eV)轰击引起氧化铝钝化层BCMOS(Back-thinned Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,BCMOS)图像传感器暗电流增加问题,设计了电子轰击BCMOS图像传感器实验,经统计发现,对于厚度为10 nm的氧化铝钝化层BCMOS图像传感器,轰击能量大于600 eV时暗电流增加速率明显;轰击电子能量不超过1.5 keV时,暗电流存在最大值,约为12000 e-/pixel/s;电子轰击后的BCMOS图像传感器在电子干燥柜中静置时,其暗电流呈指数趋势下降。通过分析指出入射电子引起氧化铝钝化层与硅界面处缺陷态增加,是引起上述现象的主要原因。 展开更多
关键词 暗电流 电子轰击 背减薄CMOS 氧化铝钝化层
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低照度下六基色微光融合的彩色成像方法研究 被引量:1
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作者 焦祉衡 李野 +1 位作者 陶冶 焦岗成 《图像与信号处理》 2021年第2期49-60,共12页
为突破低照度条件下传统三基色成像器件光谱利用率低的限制,本文提出了一种低照度下六基色微光融合的彩色成像方法,借鉴虾蛄复眼结构的十二原色色谱感光模型,优化并确定适用于彩色微光成像的六基色虾蛄眼仿生色谱体系;完成六基色滤光片... 为突破低照度条件下传统三基色成像器件光谱利用率低的限制,本文提出了一种低照度下六基色微光融合的彩色成像方法,借鉴虾蛄复眼结构的十二原色色谱感光模型,优化并确定适用于彩色微光成像的六基色虾蛄眼仿生色谱体系;完成六基色滤光片参数设计,且加入可见光波段全透滤光片以提高成像灵敏度;建立色彩传递模型,实现由六基色色域向RGB颜色空间的色谱映射;在微光实验室中完成多波段微光图像的采集,设计相应算法并实现,完成多波段微光图像融合与图像质量及色彩还原度评价。评价结果表明,本文提出的低照度下六基色微光融合的彩色成像方法能够提高可见光光谱利用率,进而得到清晰、高信噪比、颜色信息准确且丰富的真彩色夜视图像。 展开更多
关键词 真彩色夜视 多波段 图像融合 高信噪比 图像质量评价
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用X射线衍射研究缓冲层对GaInAs材料的影响
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作者 焦岗成 刘正堂 +2 位作者 石峰 徐晓兵 胡仓陆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期288-290,325,共4页
用分子束外延方法制备了具有GaInAs组分渐变缓冲层和不具有GaInAs组分渐变缓冲层的Ga0.9In0.1As/GaAs结构的外延材料。利用高分辨率X射线衍射法(HRXRD)对制备的两种样品分别进行了测试分析。实验结果表明,GaInAs组分渐变缓冲层对外延生... 用分子束外延方法制备了具有GaInAs组分渐变缓冲层和不具有GaInAs组分渐变缓冲层的Ga0.9In0.1As/GaAs结构的外延材料。利用高分辨率X射线衍射法(HRXRD)对制备的两种样品分别进行了测试分析。实验结果表明,GaInAs组分渐变缓冲层对外延生长在GaAs衬底上的Ga0.9In0.1As外延材料的晶体质量具有显著的改善作用,极大降低了由于外延层与衬底晶格不匹配所带来的影响。从X射线倒易空间衍射(RSM)二维图谱结果来看,具有GaInAs组分渐变缓冲层结构的样品,其Ga0.9In0.1As外延层与GaInAs组分渐变缓冲层接近完全弛豫,Ga0.9In0.1As外延层的应变降低,表面残留应力小于0.06%,同时,GaAs衬底与Ga0.9In0.1As外延层之间的偏移夹角明显变小。 展开更多
关键词 X射线衍射 晶格失配 GAINAS 渐变缓冲层 倒易空间衍射
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高真空系统气体成分对GaAs光电阴极稳定性的影响
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作者 邬昊宇 郭欣 +6 位作者 干林于 陈鹏 徐志锋 刘晖 焦岗成 朱宇峰 任雨田 《红外技术》 CSCD 北大核心 2022年第8期824-827,共4页
GaAs 光电阴极以其量子效率高、光谱可调等优点广泛应用于微光夜视领域,尤其以高积分灵敏度的特性区别于多碱光电阴极,而 GaAs 光电阴极负电子亲合势的特性是通过 Cs,O 激活实现的,但是激活结束后,负电子亲合势的维持受诸多因素影响,如... GaAs 光电阴极以其量子效率高、光谱可调等优点广泛应用于微光夜视领域,尤其以高积分灵敏度的特性区别于多碱光电阴极,而 GaAs 光电阴极负电子亲合势的特性是通过 Cs,O 激活实现的,但是激活结束后,负电子亲合势的维持受诸多因素影响,如激活源、激活方式、气体氛围等。为了探究超高真空系统中影响 GaAs 光电阴极稳定性的因素,开展了 GaAs 光电阴极的激活实验和稳定性实验,对激活光电流曲线与腔室气体成分进行了监测,实验结果表明,在真空度优于 1×10^(-6)Pa 的高真空系统中,影响其稳定性的是腔室中的气体成分,其中对稳定性影响最大的是 HO,真空系统中 HO分压的增加会导致 GaAs 光电阴极的 Cs,O 激活层迅速破坏,光电发射能力急剧下降。 展开更多
关键词 GAAS光电阴极 稳定性 气体成分 CS O激活
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向短波红外延伸的微光夜视技术及其应用 被引量:6
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作者 郭晖 彭岔霞 +1 位作者 焦岗成 黄建民 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期478-483,共6页
对传统的微光像增强器与向短波红外延伸的InGaAs光阴极像增强器进行了比较,分析了通过调节组分而使响应波段覆盖夜天光辐射主要波段的InGaAs材料特性,揭示了以InGaAs半导体材料为光阴极的像增强器将在夜间具有更高的量子效率和响应度。... 对传统的微光像增强器与向短波红外延伸的InGaAs光阴极像增强器进行了比较,分析了通过调节组分而使响应波段覆盖夜天光辐射主要波段的InGaAs材料特性,揭示了以InGaAs半导体材料为光阴极的像增强器将在夜间具有更高的量子效率和响应度。介绍了InGaAs器件技术的国内外研究现状,InGaAs光阴极微光器件在短波红外波段的辐射响应是传统像增强器的100~1 000倍,InGaAs全固态探测器可在0.4μm^1.7μm宽光谱成像,在0.9μm^1.7μm范围的量子效率大于80%,表明该器件在激光探测、远距离定位与跟踪、情报侦察、夜间辅助驾驶等方面可以获得广泛应用。 展开更多
关键词 夜视 短波红外 INGAAS 光阴极 微光像增强器
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电子倍增型GaAs光阴极实验研究
6
作者 胡仓陆 郭晖 +6 位作者 焦岗成 彭岔霞 冯驰 徐晓兵 周玉鉴 王书菲 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1549-1554,共6页
电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对... 电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对比测试,结果表明,该组件可以承受580℃的热清洗温度,并获得了12.6倍的电子增益;880nm处的探测灵敏度≥3.87mA/w;暗电流密度≤6.79×10-5mA/cm2. 展开更多
关键词 砷化镓 光阴极 雪崩倍增 电子增益 负电子亲和势
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等离子辅助电子束蒸发La_2O_3薄膜的制备
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作者 杨陈 樊慧庆 +1 位作者 焦岗成 惠迎雪 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期928-930,共3页
采用等离子辅助电子束蒸发,在Si(100)衬底上沉积La2O3薄膜。随后对非晶的沉积态薄膜在750℃和900℃分别退火1h。实验结果表明,采用等离子辅助电子束蒸发,可以获得非晶态的La2O3薄膜;经750℃热处理后,薄膜部分晶化;经900℃热处理后,薄膜... 采用等离子辅助电子束蒸发,在Si(100)衬底上沉积La2O3薄膜。随后对非晶的沉积态薄膜在750℃和900℃分别退火1h。实验结果表明,采用等离子辅助电子束蒸发,可以获得非晶态的La2O3薄膜;经750℃热处理后,薄膜部分晶化;经900℃热处理后,薄膜显著晶化,晶粒尺寸明显增大,并沿(002)方向择优取向。对薄膜I-V特性的测量结果表明,沉积态薄膜具有较小的漏电流,但随着热处理温度升高,薄膜晶化程度提高,薄膜漏电流逐渐增大;对薄膜透过率的测量结果表明,单面抛光的Si衬底上沉积La2O3薄膜,在近红外范围内有明显的增透效果,最大可达20%左右。 展开更多
关键词 La2O3薄膜 等离子辅助电子束蒸发 薄膜结构 Ⅰ-Ⅴ矿特性 透过率
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铌酸锶钡陶瓷的固相烧结行为与结构演化研究
8
作者 王炜 张洁 +1 位作者 焦岗成 樊慧庆 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2006年第3期333-334,共2页
采用不同前驱体:Sr(NO3)2,Ba(NO3)2,Nb2O5(NSBN70)和SrCO3,BaCO3,Nb2O5(CSBN70)用传统烧结方法制备Sr0.7Ba0.3Nb2O6陶瓷。通过XRD、SEM实验手段,研究了硝酸盐前驱体制备过程中烧结温度和烧结时间对结构演化的影响。对比了不同前驱体制备... 采用不同前驱体:Sr(NO3)2,Ba(NO3)2,Nb2O5(NSBN70)和SrCO3,BaCO3,Nb2O5(CSBN70)用传统烧结方法制备Sr0.7Ba0.3Nb2O6陶瓷。通过XRD、SEM实验手段,研究了硝酸盐前驱体制备过程中烧结温度和烧结时间对结构演化的影响。对比了不同前驱体制备SBN70陶瓷的显微结构。实验结果显示:采用硝酸盐前驱体,1400℃下烧结4h可得到纯SBN70相;1375℃烧结6h得到纯SBN70相。与碳酸盐前驱体相比,NSBN70呈现出双结构,比CSBN70易于出现异常晶粒长大。 展开更多
关键词 铌酸锶钡陶瓷 前驱体 烧结行为 显微结构.
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数字微光器件研究进展 被引量:1
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作者 韩剑 焦岗成 +5 位作者 闫磊 程宏昌 杨晔 雷石伟 樊海波 李桐桐 《应用光学》 CAS 北大核心 2023年第4期874-886,共13页
数字微光器件作为新一代微光夜视装备的核心器件,相比于传统真空微光器件因具有数字化输出的优势而备受各国重视。本文综述了低照度CCD(charge-coupled devices)/CMOS(complementary metal oxide semiconductor)、科学级CMOS、像增强型C... 数字微光器件作为新一代微光夜视装备的核心器件,相比于传统真空微光器件因具有数字化输出的优势而备受各国重视。本文综述了低照度CCD(charge-coupled devices)/CMOS(complementary metal oxide semiconductor)、科学级CMOS、像增强型CCD/CMOS、电子倍增CCD及电子轰击APS(active pixel sensor)/CCD等数字微光器件的研究现状,分析了数字微光器件的应用情况。最后,提出了微光技术和数字微光器件的发展趋势。 展开更多
关键词 微光夜视技术 数字微光器件 研究进展 研究方向
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原子层沉积技术及其在铁电薄膜制备中的应用 被引量:4
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作者 王志育 焦岗成 樊慧庆 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第F05期220-222,共3页
讲述原子层沉积技术原理与特点的同时,进一步论述了它在沉积机理和实验真空度这两方面与传统薄膜沉积工艺的异同;综述了此技术在铁电薄膜制备研究方面的最新进展,前驱体的制备与选择、薄膜缺陷的控制以及表面化学反应动力学依然是当前... 讲述原子层沉积技术原理与特点的同时,进一步论述了它在沉积机理和实验真空度这两方面与传统薄膜沉积工艺的异同;综述了此技术在铁电薄膜制备研究方面的最新进展,前驱体的制备与选择、薄膜缺陷的控制以及表面化学反应动力学依然是当前原子层制备铁电薄膜研究的重点;最后展望了原子层沉积技术制备铁电薄膜的发展方向。 展开更多
关键词 原子层沉积 铁电薄膜 原理与应用
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电极表面状态对像增强器耐压性能的影响 被引量:1
11
作者 杨晓军 焦岗成 +5 位作者 李世龙 师宏立 侯志鹏 李丹 邱洪金 黄武军 《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2017年第6期549-554,共6页
像增强器(简称像管)的耐压性能是影响其增益,背景噪声和分辨力的一个重要因素。引起像管电击穿的原因很多,其中,电极的表面形态在其击穿的起始阶段发挥着重要的作用。本文针对像管特有的高场强微间隙电场结构,通过对不同电极进行耐压测... 像增强器(简称像管)的耐压性能是影响其增益,背景噪声和分辨力的一个重要因素。引起像管电击穿的原因很多,其中,电极的表面形态在其击穿的起始阶段发挥着重要的作用。本文针对像管特有的高场强微间隙电场结构,通过对不同电极进行耐压测试实验,研究其对像管耐压性能的影响。运用表面形貌测试仪对电极表面进行3D形貌测试,结果表明电极表面微凸起形状和尺寸的不同对像管耐压性能的影响差异显著,提高材料表面光洁度对于提高像管耐压性能有着重要的促进作用,最终为突破高场强微间隙像管工艺制作技术提供理论依据。 展开更多
关键词 像管 场致发射 表面状态 耐压性能
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改进“yo-yo”Cs/O交替激活方法对GaAs光阴极稳定性影响 被引量:3
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作者 焦岗成 张锴珉 +5 位作者 张益军 郭欣 石峰 程宏昌 闫磊 詹晶晶 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期293-300,共8页
为提高激活后GaAs光阴极的稳定性,延长微光夜视器件的工作寿命,围绕Cs/O激活方法和衰减特性进行实验研究。通过对比传统“yo-yo”激活法和改进“yo-yo”激活法在Cs/O激活光电流、光谱响应以及光照衰减方面的差异,发现采用改进“yo-yo”... 为提高激活后GaAs光阴极的稳定性,延长微光夜视器件的工作寿命,围绕Cs/O激活方法和衰减特性进行实验研究。通过对比传统“yo-yo”激活法和改进“yo-yo”激活法在Cs/O激活光电流、光谱响应以及光照衰减方面的差异,发现采用改进“yo-yo”激活法的GaAs光阴极光谱灵敏度更高且稳定性更好。利用四极质谱仪监测真空腔内残气成分和分压强变化,基于衰减模型拟合光电流实验曲线,求得不同残气成分对GaAs光阴极性能衰减影响的权重因子。结果表明水蒸气和二氧化碳的影响最大,甲烷和一氧化碳次之,氢气几乎不产生影响,而其它碳氢有机分子也会产生负面影响。总体看来,改进的“yo-yo”激活法对GaAs光阴极表面吸附含氧气体分子造成的性能衰减具有明显的改善效果,这将有助于提高微光夜视器件中GaAs光阴极的稳定性。 展开更多
关键词 GaAs光阴极 Cs/O激活 残余气体 稳定性 光谱响应
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Comparison of blue–green response between transmission-mode GaAsP-and GaAs-based photocathodes grown by molecular beam epitaxy 被引量:2
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作者 焦岗成 刘正堂 +1 位作者 郭晖 张益军 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第4期467-473,共7页
In order to develop the photodetector for effective blue-green response, the 18-mm-diameter vacuum image tube combined with the transmission-mode Alo.7Gao.3Aso.9Po.1/GaAso.9Po.1 photocathode grown by molecular beam ep... In order to develop the photodetector for effective blue-green response, the 18-mm-diameter vacuum image tube combined with the transmission-mode Alo.7Gao.3Aso.9Po.1/GaAso.9Po.1 photocathode grown by molecular beam epitaxy is tentatively fabricated. A comparison of photoelectric property, spectral characteristic and performance parameter be- tween the transmission-mode GaAsP-based and blue-extended GaAs-based photocathodes shows that the GaAsP-based photocathode possesses better absorption and higher quantum efficiency in the blue-green waveband, combined with a larger surface electron escape probability. Especially, the quantum efficiency at 532 nm for the GaAsP-based photocathode achieves as high as 59%, nearly twice that for the blue-extended GaAs-based one, which would be more conducive to the underwater range-gated imaging based on laser illumination. Moreover, the simulation results show that the favorable blue-green response can be achieved by optimizing the emission-layer thickness in a range of 0.4 μm-0.6 μm. 展开更多
关键词 GaAsP-based photocathodes transmission-mode quantum efficiency molecular beam epitaxy
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NEA GaN光电阴极第一性原理研究 被引量:1
14
作者 任彬 石峰 +5 位作者 郭晖 江兆潭 程宏昌 焦岗成 苗壮 冯刘 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第9期2752-2756,共5页
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似投影缀加平面波方法,在六方结构Ga N结构优化的基础上,计算了Ga N(0001)A面吸附Cs后功函数变化,指出吸附系统表面形成了一个有效的Ga N-Cs电偶极子层,降低了原本的Ga N表面势垒,形成更加有... 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似投影缀加平面波方法,在六方结构Ga N结构优化的基础上,计算了Ga N(0001)A面吸附Cs后功函数变化,指出吸附系统表面形成了一个有效的Ga N-Cs电偶极子层,降低了原本的Ga N表面势垒,形成更加有利于电子逸出的外光电发射效应特性。接着图示吸附Cs、O后的电子结构,指出吸附原子和衬底之间的键合。六方结构Ga N材料的光学性质通过Kramers-Kronig关系得出。根据Ga N的介电函数谱,得出了254nm光波长下以Ga N为激活层材料的反射式光电阴极在不同少子扩散长度下的内量子效率。计算结果表明六方结构Ga N(0001)A面是可见光盲光电阴极的优良发射表面,且254 nm处的量子效率可达到60%,远大于碱金属卤化物紫外光电阴极。 展开更多
关键词 GAN 第一性原理 可见光盲 负电子亲和势
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热处理对背照式CMOS传感器信噪比影响的实验研究 被引量:5
15
作者 王生凯 靳川 +4 位作者 乔凯 焦岗成 程宏昌 刘晖 苗壮 《红外技术》 CSCD 北大核心 2019年第6期585-590,共6页
基于真空光电阴极和背照式CMOS图像传感器研制了电子轰击CMOS(EBCMOS)混合型光电探测器。为了对BSI-CMOS图像传感器在EBCMOS混合型光电探测器领域的应用提供可靠性指导,对BSI-CMOS图像传感器进行了100℃~325℃的变温热处理实验,着重分... 基于真空光电阴极和背照式CMOS图像传感器研制了电子轰击CMOS(EBCMOS)混合型光电探测器。为了对BSI-CMOS图像传感器在EBCMOS混合型光电探测器领域的应用提供可靠性指导,对BSI-CMOS图像传感器进行了100℃~325℃的变温热处理实验,着重分析了热处理后的BSI-CMOS图像传感器的光响应输出信号值、固定模式噪声(fixed pattern noise,FPN)、随机噪声及信噪比(signal-to-noise ration,SNR)随热处理温度的变化规律。实验结果表明:随着热处理温度的升高,样品器件的光响应输出信号值基本保持不变,当温度升高至325℃时,样品器件的固定模式噪声由32e.升高至246e.,随机噪声由51e.升高至70e.,信噪比由17.76dB降低至4.81dB,其中信噪比的降低主要归因于固定模式噪声的增大,热处理温度达到325℃会导致BSI-CMOS图像传感器信噪比明显降低。 展开更多
关键词 EBCMOS 背照式CMOS图像传感器 热处理温度 信噪比
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GaAs光电阴极Cs,O吸附研究 被引量:2
16
作者 任彬 石峰 +5 位作者 郭晖 焦岗成 程宏昌 王龙 牛森 袁渊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第8期171-175,共5页
提出了基于第一性原理的密度泛函理论框架下的广义梯度近似投影缀加波赝势法,在结构优化的基础上采用平板模型计算了GaAs(110)表面单一吸附0.5 ML Cs元素、单一吸附0.5 ML O元素及0.5 ML Cs、0.5 ML O共吸附系统的特定吸附位、吸附系统... 提出了基于第一性原理的密度泛函理论框架下的广义梯度近似投影缀加波赝势法,在结构优化的基础上采用平板模型计算了GaAs(110)表面单一吸附0.5 ML Cs元素、单一吸附0.5 ML O元素及0.5 ML Cs、0.5 ML O共吸附系统的特定吸附位、吸附系统总能及吸附系统的电子结构。吸附系统总能的计算结果对比及电子结构图表明:当Cs、O元素吸附量在GaAs(110)表面达到Θ=1 ML时,它们并非各自在表面形成局域畴形态的竞争性共化学吸附,而是将在表面形成混合均匀相的协同共化学吸附。采用偶极子校正进一步计算三种吸附系统的功函数分别是4.423 e V、5.749 e V、4.377 e V,从而得出GaAs光电阴极制备过程中提高并保持光电阴极发射性能的方法及机理。 展开更多
关键词 GaAs(110) 电子结构 表面吸附 功函数
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InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层厚度设计与计算 被引量:1
17
作者 任彬 石峰 +5 位作者 郭晖 焦岗成 胡仓陆 徐晓兵 王书菲 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第10期3010-3014,共5页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算了InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层材料的电学结构和光学性质,交换关联能采用杂化泛函HSE06来描述。首先对闪锌矿结构GaAs材料能带图进行计算验证,接着建立标准InGaAs材料体结构模型,... 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算了InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层材料的电学结构和光学性质,交换关联能采用杂化泛函HSE06来描述。首先对闪锌矿结构GaAs材料能带图进行计算验证,接着建立标准InGaAs材料体结构模型,并对模型进行了动力学的自洽优化,在优化后的基础上进行了非自洽的计算,得到标准InGaAs材料的复介电函数,然后根据KramersKronig关系推出标准InGaAs材料光吸收系数。最后,结合转移电子光阴极量子效率模型,在给定P型标准InGaAs材料非平衡少子扩散长度分别是0.8、1.0、1.2、1.4、1.6和2.0mm的条件下,得到对能量在0.780260~0.820273eV区间内、间距为0.002eV的不同光子能量优化的InP/InGaAs转移电子光阴极吸收层厚度。 展开更多
关键词 标准InGaAs 转移电子光阴极 密度泛函理论
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基于夜天光光谱匹配的微光像增强器信噪比研究 被引量:4
18
作者 张琴 拜晓锋 +4 位作者 程宏昌 焦岗成 李周奎 韩坤 李琦 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期165-173,共9页
针对现有微光像增强器的信噪比实验室测试结果无法准确描述其在实际夜天辐射条件下工作时信噪比的问题,依据光阴极与夜天光光谱匹配关系和光量子噪声起伏理论推导了微光像增强器的输出信噪比理论计算模型。在基于典型微光像增强器参数... 针对现有微光像增强器的信噪比实验室测试结果无法准确描述其在实际夜天辐射条件下工作时信噪比的问题,依据光阴极与夜天光光谱匹配关系和光量子噪声起伏理论推导了微光像增强器的输出信噪比理论计算模型。在基于典型微光像增强器参数对模型验证的基础上,计算了典型超二代和三代像增强器在实际夜天辐射条件下工作时的信噪比。结果表明,实际夜天辐射条件下的信噪比与实验室A光源测试条件下的信噪比存在较大差异,且超二代和三代像增强器的信噪比在实际夜天辐射条件下显示出相较实验室测量时更大的差异性。本研究可为实际夜天辐射工作条件下的微光像增强器信噪比评价提供一种可用途径。 展开更多
关键词 微光像增强器 夜天辐射 光谱匹配 信噪比 A光源
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短波红外阈场助式光电阴极p-InGaAs/p-InP异质结设计与仿真 被引量:3
19
作者 刘峰 石峰 +3 位作者 焦岗成 师宏立 苗壮 任彬 《红外技术》 CSCD 北大核心 2015年第9期778-782,共5页
针对一种短波红外阈透射式光阴极,简要介绍其光子吸收层和电子发射层分离式异质结结构后,结合异质结两侧对红外光子显著吸收效应参数和对电子高效输运特性参数进行建模,详细研究了场助电压对p-p型异质结能带结构和对短波红外阈透射式光... 针对一种短波红外阈透射式光阴极,简要介绍其光子吸收层和电子发射层分离式异质结结构后,结合异质结两侧对红外光子显著吸收效应参数和对电子高效输运特性参数进行建模,详细研究了场助电压对p-p型异质结能带结构和对短波红外阈透射式光电阴极的影响。研究结果显示:Schottky势垒偏压至少要达到8 V才能较好消除p-In Ga As/p-In P异质结的势垒影响。此时,为达到较小的漏电流,In0.53Ga0.47As光吸收层厚度2μm,In P发射层厚度1μm,掺杂浓度均为1×1016 cm-3。 展开更多
关键词 场助式光阴极 短波红外阈 INGAAS 异质结
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基于双残差注意力网络的ICMOS图像去噪算法 被引量:1
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作者 王霞 张鑫 +3 位作者 焦岗成 杨晔 程宏昌 延波 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期362-371,共10页
针对微光夜视条件下增强型CMOS(ICMOS)图像信噪比低、随机噪声明显的问题,提出了一种基于双残差注意力网络的ICMOS图像去噪算法。为了制作ICMOS噪声图像数据集,采用ICMOS相机在特定照度环境下拍摄静态噪声图像序列,然后采用多帧平均的... 针对微光夜视条件下增强型CMOS(ICMOS)图像信噪比低、随机噪声明显的问题,提出了一种基于双残差注意力网络的ICMOS图像去噪算法。为了制作ICMOS噪声图像数据集,采用ICMOS相机在特定照度环境下拍摄静态噪声图像序列,然后采用多帧平均的方法获得每个序列对应的无噪声真值图像;其次,为了直接从噪声图像中提取噪声分量,设计了一种结合噪声残差学习和残差网络模块的双残差网络模型,并引入通道注意力机制给模型的特征图维度赋予权重,在提升模型学习能力的同时降低了模型复杂度;最后,采用网络训练所得模型对测试图像进行去噪实验。对比实验结果表明,本文提出的算法得到的峰值信噪比较经典的BM3D算法提升了9.56 dB,结构相似度提升了0.0503。从主观效果可以看出,本文算法可以更好地去除ICMOS图像噪声,保留图像细节,同时,具有较高的运行效率。 展开更多
关键词 微光夜视 ICMOS图像 图像去噪 残差学习 注意力机制
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