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氮化镓基高电子迁移率晶体管栅电流输运机制研究
1
作者
焦晋平
任舰
+1 位作者
闫大为
顾晓峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期106-110,共5页
制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构,测量了器件的变温电流-电压特性,研究其在正向与反向偏压条件下的载流子输运过程。结果表明:(1)正向低偏压线形区的电流主要为缺陷辅助隧穿电流,而体电...
制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构,测量了器件的变温电流-电压特性,研究其在正向与反向偏压条件下的载流子输运过程。结果表明:(1)正向低偏压线形区的电流主要为缺陷辅助隧穿电流,而体电阻效应显著的高偏压区,经典热发射机制占主导地位;(2)AlGaN势垒层中的极化电场对器件的反向漏电流起重要作用,载流子的主要输运过程为Frenkel-Poole发射机制。
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关键词
铝镓氮
氮化镓
肖特基二极管
缺陷辅助隧穿
热发射
Frenkel-Poole发射
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职称材料
原子层沉积Al2O3/n-GaN MOS结构的电容特性:
2
作者
闫大为
李丽莎
+3 位作者
焦晋平
黄红娟
任舰
顾晓峰
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第19期414-419,共6页
利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构,研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响,分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源.在无光照情形下,由于极长的电子发...
利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构,研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响,分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源.在无光照情形下,由于极长的电子发射时间与极慢的少数载流子热产生速率,样品的室温电容-电压扫描曲线表现出典型的深耗尽行为,且准费米能级之上占据深能级界面态的电子状态保持不变.当器件受紫外光照射时,半导体耗尽层内的光生空穴将复合准费米能级之上的深能级界面态电子,同时还将与氧化层内部的深能级施主态反应.非理想样品积累区电容的下降可归因于绝缘层漏电导的急剧增大,其诱发机理可能是与氧化层内的缺陷态及界面质量有关的"charge-to-breakdown"过程.
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关键词
原子层沉积
Al2O3/n-GaN
金属-氧化物-半导体结构
电容特性
原文传递
题名
氮化镓基高电子迁移率晶体管栅电流输运机制研究
1
作者
焦晋平
任舰
闫大为
顾晓峰
机构
轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期106-110,共5页
基金
中国博士后科学基金资助项目(2013M540437)
江苏省自然科学基金资助项目(BK2012110)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51323B)
文摘
制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构,测量了器件的变温电流-电压特性,研究其在正向与反向偏压条件下的载流子输运过程。结果表明:(1)正向低偏压线形区的电流主要为缺陷辅助隧穿电流,而体电阻效应显著的高偏压区,经典热发射机制占主导地位;(2)AlGaN势垒层中的极化电场对器件的反向漏电流起重要作用,载流子的主要输运过程为Frenkel-Poole发射机制。
关键词
铝镓氮
氮化镓
肖特基二极管
缺陷辅助隧穿
热发射
Frenkel-Poole发射
Keywords
AIGaN/GaN
Schottky diodes
trap-assisted tunneling
thermionic-emission
Frenkel-Poole emission
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
原子层沉积Al2O3/n-GaN MOS结构的电容特性:
2
作者
闫大为
李丽莎
焦晋平
黄红娟
任舰
顾晓峰
机构
轻工过程先进控制教育部重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第19期414-419,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:11074280)
江苏省自然科学基金(批准号:BK2012110)
+3 种基金
中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JUSRP51323B,JUDCF13038)
江苏高校优势学科建设工程项目
江苏省六大人才高峰项目(批准号:DZXX-053)
江苏省普通高校研究生创新计划(批准号:CXLX13-740)资助的课题~~
文摘
利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构,研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响,分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源.在无光照情形下,由于极长的电子发射时间与极慢的少数载流子热产生速率,样品的室温电容-电压扫描曲线表现出典型的深耗尽行为,且准费米能级之上占据深能级界面态的电子状态保持不变.当器件受紫外光照射时,半导体耗尽层内的光生空穴将复合准费米能级之上的深能级界面态电子,同时还将与氧化层内部的深能级施主态反应.非理想样品积累区电容的下降可归因于绝缘层漏电导的急剧增大,其诱发机理可能是与氧化层内的缺陷态及界面质量有关的"charge-to-breakdown"过程.
关键词
原子层沉积
Al2O3/n-GaN
金属-氧化物-半导体结构
电容特性
Keywords
atomic layer deposition, Al2O3/n-GaN, MOS
structure, capacitance characteristics
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮化镓基高电子迁移率晶体管栅电流输运机制研究
焦晋平
任舰
闫大为
顾晓峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
下载PDF
职称材料
2
原子层沉积Al2O3/n-GaN MOS结构的电容特性:
闫大为
李丽莎
焦晋平
黄红娟
任舰
顾晓峰
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
原文传递
已选择
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