电磁脉冲对数字信号处理器的干扰及其防护

为寻找有效的电磁脉冲防护加固措施,首先对电磁脉冲模拟器的干扰路径进行分析,包括数字信号处理器(DSP)与放电回路的共地耦合干扰及共网电耦合干扰,并将结构优化设计、硬件屏蔽加固措施与设置软件陷阱、开启看门狗等抗干扰措施相结合,对数字信号处理器(DSP)内核工作电压、输入/输出(I/O)端口以及显示屏等进行了干扰测试。实验结果表明,采用硬件与软件相结合的防护加固技术后,DSP主板的内核工作电压及I/O端口的干扰脉冲幅值减小,且干扰持续时间由2μs减少到400 ns,干扰脉冲获得了有效抑制。

基于ICCD的高压电晕放电紫外光谱检测

对高压电器局部自持放电的光强谱系的强度分布进行了分析,建立了高压电晕放电紫外光谱特征谱线下光强与探测距离的关系,并采用紫外光谱功率法对高压电气设备的电晕放电进行了实验研究。实验系统包括针极放电装置及ICCD探测器,通过光纤传输对日盲区紫外光谱进行探测。试验中调整光纤探头位置,分别改变光纤探头垂直距离和光纤探头距中心点左右偏移距离,采集相应的紫外光谱,并对波长为262.773 nm、265.456 nm和274.435 nm处的光谱强度与偏移位置之间的关系进行数据拟合,拟合后的指数函数形式与理论分析相吻合。对采集的紫外光谱数据采用Burg递推算法进行功率谱估计,发现大约350 Hz的功率谱密度可作为特征参量,表明了对电晕放电点识别的可行性。

一起电容型电流互感器介损增大的原因分析

介质损耗因数tanδ能灵敏反映设备绝缘的整体性缺陷,对电流互感器进行现场介损试验时,需注意试验现场外界干扰因素的影响,电流互感器介损试验结果的分析判断,应综合考虑绝缘电阻、泄露电流、电容值及往年介损试验结果。文中以介质损耗因数tanδ存在显著增大现象的两台电容型电流互感器为例,介绍了电流互感器介质损耗增大的原因分析过程,并判断tanδ值增大是由互感器瓷表面受潮及老化引起的。

新基建下的5G发展

随着国家新基建政策的发布,第五代移动通信技术(5th Generation Mobile Communication Technology,5G)引领新基建建设浪潮,并成为国家科技创新的核心技术及产业升级的新动能之一。梳理了新形势下的5G技术发展现状及典型应用场景,介绍了5G的技术优势和标准发展以及5G网络的建设现状。通过分析5G与人工智能、物联网、边缘计算等新技术相结合的必要性,论述融合发展的趋势。介绍了工业互联网、智慧安防和智慧城市等5G典型垂直行业应用,并对5G新生态的发展进行展望。