硅中氧的热沉淀(上)

本文综述近年来国内外在硅单晶中氧杂质的热沉淀行为方面的研究工作。着重介绍了在不同的热处理条件下,氧在硅单晶中产生的各种热沉淀现象和性质,以及解释这些热行为的氧沉淀理论。最后讨论了硅中氧的各种热沉淀对硅材料及器件性能的影响,并展望了今后在这一领域尚需解决的问题。

硅中氧的结构组态及热扩散行为

利用变温FTIR测量和变温Hall效应测量方法,探讨了在室温(RT)至475℃温度范围内,硅中9μm峰的中心位置及其红外吸收系数随温度变化的规律.实验证实了氧在硅单晶中存在二种不同的组态:在RT—325℃范围内为Si_2O组态,其束缚能为E_b～0.8—1.0eV;在325—475℃范围内,Si_2O组态和准自由间隙氧原子组态同时并存,准自由氧原子扩散所须克服硅晶格的势垒为E_L～1.5—1.6eV.由此很好地解释了硅中氧的热扩散行为.

硅中氧的热沉淀(下)

三、硅中氧的热沉淀理论硅中氧的热沉淀行为实质上是固溶体中固态-固态相变的一种形式,它可用固体内一个新固相的成核和生长特性来描述。(一)固溶体内的成核与核的生长固溶体内一个新固相的成核有二种不同的形式:a.均匀成核,它在溶质原子位置上成核;b.异质成核,在固溶体内的结构缺陷(如位错、晶粒边界或堆垛层错等)

襄阳名师刘叔远

刘叔远（1897--1982），名应光，清光绪廿三年丁酉八月廿三（1897年9月13日）生于湖北省襄阳城内一个世代书香门第。