源漏偏置电压对AlGaN/GaNHEMT太赫兹探测器灵敏度的调控

天线耦合的场效应晶体管(FET)太赫兹自混频探测器通常工作在零源漏偏压下,设置恰当的栅极电压可获得最佳的灵敏度。测试分析了天线耦合AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹自混频探测器的源漏偏置电压对太赫兹自混频响应度和噪声的调控作用。研究结果表明,源漏偏置电压在增强响应度的同时也大幅度增强了探测器输出的噪声,特别是1/f噪声,但是在适当的偏置电压下探测器的噪声等效功率(NEP)仍可低于零偏压下的NEP,最佳NEP分别为50pW/√Hz和30pW/√Hz。因此,HEMT自混频探测器在源漏偏置电压下可实现更高的灵敏度,并具有更低的输出阻抗和更高的响应速度。