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纳米BaTiO_3及其陶瓷材料的特殊物性的研究 被引量:2
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作者 任天令 朱嘉麟 +2 位作者 熊家炯 王晓慧 李龙土 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期68-71,共4页
报导了硬脂酸凝胶法制备的 Ba Ti O3纳米晶及烧制的陶瓷材料的特殊物性。用 X射线衍射、高分辨透射电镜、X荧光光谱、表面光电子能谱、介电谱、热释电谱研究了纳米微粉及陶瓷材料的晶体结构、晶粒尺寸、体相和表面相组份及铁电性能。结... 报导了硬脂酸凝胶法制备的 Ba Ti O3纳米晶及烧制的陶瓷材料的特殊物性。用 X射线衍射、高分辨透射电镜、X荧光光谱、表面光电子能谱、介电谱、热释电谱研究了纳米微粉及陶瓷材料的晶体结构、晶粒尺寸、体相和表面相组份及铁电性能。结果表明 ,所有样品在室温下均为立方结构 ,没有铁电性 ,陶瓷样品在低温下 ( <2 0 0 K)具有铁电性。并发现纳米晶 Ba Ti O3及陶瓷具有湿敏特性。 展开更多
关键词 纳米晶 铁电性 湿敏性 钛酸钡 晶体
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物理学及相关学科的拔尖人才培养模式的创新与实践——清华大学基础科学班简介 被引量:5
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作者 尚仁成 阮东 熊家炯 《物理与工程》 2006年第3期10-15,共6页
关键词 人才培养模式 基础科学 清华大学 相关学科 物理学 简介 创新 学校领导
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势阱形状对电场下量子阱子带和激子能移的影响 被引量:2
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作者 朱嘉麟 唐道华 +1 位作者 顾秉林 熊家炯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第8期565-575,共11页
在束缚态近似下,用级数解法求解电场下各种不同形状GaAs/GaAlAs量子阱中电子和空穴子带,进一步采用变分方法得到激子结合能.由此,我们首次得到电场下由抛物阱至方位阱子带和激子峰能移的变化图象.在考虑GaAs/GaAlAs量子阱形状影响的基础... 在束缚态近似下,用级数解法求解电场下各种不同形状GaAs/GaAlAs量子阱中电子和空穴子带,进一步采用变分方法得到激子结合能.由此,我们首次得到电场下由抛物阱至方位阱子带和激子峰能移的变化图象.在考虑GaAs/GaAlAs量子阱形状影响的基础上,我们计算所得结果与实验吻合得很好. 展开更多
关键词 量子阱 激子 GAAS GaA/As
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基础科学班20年的探索与实践 被引量:2
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作者 阮东 尚仁成 +1 位作者 熊家炯 吴念乐 《物理与工程》 2020年第1期10-18,共9页
“数理基础、科研训练、自由发展”是基础科学班一流创新人才培养的基本理念。基础科学班20年探索与实践,在因材施教、基础学科人才和跨学科人才培养等方面成效显著,为一流创新人才培养和教学改革提供了宝贵经验。本文追溯了基础科学班... “数理基础、科研训练、自由发展”是基础科学班一流创新人才培养的基本理念。基础科学班20年探索与实践,在因材施教、基础学科人才和跨学科人才培养等方面成效显著,为一流创新人才培养和教学改革提供了宝贵经验。本文追溯了基础科学班的创立与发展,总结了它的办学理念、指导方针、培养模式,以及一些具体的做法,旨在全面提升人才培养质量,为国家培养出更多优秀人才作出贡献。 展开更多
关键词 基础科学班 科研训练 因材施教 一流本科生培养
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发展工科优势 加强理科建设──清华大学理学院重建十年后的思考 被引量:1
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作者 余寿文 熊家炯 《学位与研究生教育》 CSSCI 1995年第6期20-21,共2页
发展工科优势 加强理科建设─-清华大学理学院重建十年后的思考余寿文,熊家炯(一)清华大学理学理科教育有着悠久的历史,早在1929年清华大学就创立了理学院,并曾培养造就了许多知名科学家和学者。据1981年统计,当时中国... 发展工科优势 加强理科建设─-清华大学理学院重建十年后的思考余寿文,熊家炯(一)清华大学理学理科教育有着悠久的历史,早在1929年清华大学就创立了理学院,并曾培养造就了许多知名科学家和学者。据1981年统计,当时中国科学院共有学部委员(现称院士)63... 展开更多
关键词 清华大学理学院 理科建设 学科建设 一流大学 工科 科学与技术 人文社会 理科基础 人才培养 青年教师
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研究纳米材料微观性能的一种新方法:电子动量谱学
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作者 陈学俊 熊家炯 郑延友 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第S1期305-308,共4页
电子动量谱学正在成为研究纳米材料微观性能的一种新方法。本文对这一新方法的原理、实验设备、实验方法和初步结果作了简要的描述。
关键词 电子动量谱 纳米材料 微观性能 新方法 电子动量分布 散射电子 入射电子 光电子能谱 电子能量损失 运动特性
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生物活性可降解高分子医用材料及植入器件的研究应用和发展
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作者 刘建宇 刘志坚 +4 位作者 刘金定 吴国是 唐应武 熊家炯 廖沐真 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期50-50,共1页
国内外目前治疗骨科创伤采用的非永久性植入器件,如髓内针、接骨螺钉、接骨板等,基本上是由不锈钢材料制成。由于人体内存有盐分,不锈钢长期植入体内,可能产生锈蚀。因此,待断骨愈合后,需再次手术将不锈钢植入器件取出,这增加了患者的... 国内外目前治疗骨科创伤采用的非永久性植入器件,如髓内针、接骨螺钉、接骨板等,基本上是由不锈钢材料制成。由于人体内存有盐分,不锈钢长期植入体内,可能产生锈蚀。因此,待断骨愈合后,需再次手术将不锈钢植入器件取出,这增加了患者的痛苦和经济负担。近十多年来国际上的医学专家和生物医学工程专家都在致力于研究可降解高分子骨科材料,以便减轻患者痛苦,改进和提高治疗水平。在国家863计划新材料领域专家委员会的领导和大力扶持下,在深圳市科技局大力支持下。 展开更多
关键词 高分子医用材料 生物活性 可降解 可吸收医疗器械 生物医学材料
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Cluster Model for p-Type Doping of ZnSe
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作者 REN Tian-ling ZHU Jia-lin +2 位作者 XIONG Jia-jiong DUAN Wen-hui WANG Fu-he 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 1997年第7期528-530,共3页
Cluster model with DV-Xαmethod is used to study the structural and electronic properties of the p-type doping of ZnSe.It is found that there is Jahn-Teller distortion for P doping and almost no Jahn-Teller distortion... Cluster model with DV-Xαmethod is used to study the structural and electronic properties of the p-type doping of ZnSe.It is found that there is Jahn-Teller distortion for P doping and almost no Jahn-Teller distortion for N doping,and that the impurity levels with respect to the maximum of valence band are 118 and 96meV for N and P doping,respectively.The reasons why N can serve as a better dopant than P for p-type ZnSe are discussed. 展开更多
关键词 ZNSE DOPANT DOPING
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清华大学物理系复系40年以来凝聚态物理学科的发展
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作者 何珂 熊家炯 《物理》 CAS 北大核心 2022年第8期533-537,共5页
清华大学物理系复系后的凝聚态物理学科,其前身可以追溯到1973年开办的固体物理研究班。当时在一些知名科学家的建议和周恩来总理的指示下,清华大学决定开办4个与基础科学相关的研究班,分别是固体物理、激光、物质结构和催化。固体物理... 清华大学物理系复系后的凝聚态物理学科,其前身可以追溯到1973年开办的固体物理研究班。当时在一些知名科学家的建议和周恩来总理的指示下,清华大学决定开办4个与基础科学相关的研究班,分别是固体物理、激光、物质结构和催化。固体物理研究班于1973年初正式成立,教师是校内各系调入的熊家炯、张宏涛、赵南明、张继盛、蔡纬及新教师王喜坤。 展开更多
关键词 凝聚态物理学 固体物理 清华大学 复系 基础科学 物理系 赵南明 熊家炯
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半导体超晶格、量子阱材料的进展
10
作者 熊家炯 朱嘉麟 《材料科学进展》 CSCD 1990年第2期113-120,共8页
本文回顾了超晶格概念的提出及材料制备技术的进展;描述了半导体超晶格,量子阱材料的物理图象和基本特性,及其相关元器件的重要意义;综述了当前半导体超晶格,量子阱材料的研究进展及其应用,包括:(1)异质结构;(2)调制掺杂;(3)渐变带隙及... 本文回顾了超晶格概念的提出及材料制备技术的进展;描述了半导体超晶格,量子阱材料的物理图象和基本特性,及其相关元器件的重要意义;综述了当前半导体超晶格,量子阱材料的研究进展及其应用,包括:(1)异质结构;(2)调制掺杂;(3)渐变带隙及带隙工程;(4)应变层超晶格;(5)新概念及新效应探索。文末概述了作者在量子阱超晶格材料的设计与性能预测方面进行的一些工作。 展开更多
关键词 半导体器件 量子阱 超晶格 材料
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电场下GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中的子带和激子 被引量:4
11
作者 朱嘉麟 唐道华 +1 位作者 熊家炯 顾秉林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期385-393,共9页
本文利用有限势垒模型,研究电场对GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中子带和激子的影响。对阱宽为105的GaAs/Ga_(0.66)Al_(0.34)As量子阱,电场由0—1.2×10~5V/cm,我们计算了电子和空穴的子带以及激子的结合能。基于上述计算结果,所得电子... 本文利用有限势垒模型,研究电场对GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中子带和激子的影响。对阱宽为105的GaAs/Ga_(0.66)Al_(0.34)As量子阱,电场由0—1.2×10~5V/cm,我们计算了电子和空穴的子带以及激子的结合能。基于上述计算结果,所得电子-空穴重叠函数和激子峰的能量移动与实验测量符合得较好。 展开更多
关键词 电场 量子阱 子带 激子 CaAs
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Ⅱ-Ⅵ族半导体研究概观 被引量:4
12
作者 任天令 朱嘉麟 +2 位作者 熊家炯 张春波 陈曦 《物理》 CAS 北大核心 1996年第11期662-665,共4页
回顾了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的研究状况.结合国际上的最新研究动态,总结出Ⅱ-Ⅵ族半导体材料研究的主要方向:(1)p型掺杂研究;(2)p型Ⅱ-Ⅵ族半导体的欧姆接触;(3)Ⅱ-Ⅵ族外延结构中的电子、激子与增益;(4)量子线、... 回顾了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的研究状况.结合国际上的最新研究动态,总结出Ⅱ-Ⅵ族半导体材料研究的主要方向:(1)p型掺杂研究;(2)p型Ⅱ-Ⅵ族半导体的欧姆接触;(3)Ⅱ-Ⅵ族外延结构中的电子、激子与增益;(4)量子线、量子点及稀磁半导体。 展开更多
关键词 Ⅱ-Ⅵ族 半导体 P型掺杂 欧姆接触
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基础科学拔尖人才培养模式的探索——清华大学基础科学班简介 被引量:4
13
作者 尚仁成 阮东 熊家炯 《物理》 CAS 北大核心 2006年第5期398-401,共4页
关键词 人才培养模式 基础科学 清华大学 简介 实践经验 第一届 学生 物理
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无序电阻网络中的最大电流研究
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作者 包科达 熊家炯 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第8期1303-1309,共7页
本文证明,一个无序电阻网络中的平均最大电流可标度为(JnL)~α,这里L为网络的线度,而幂指数α不仅与维数和电导率之比有关,而且还与缺陷的端角β有关。这个结论是从分析含通道的漏斗形缺陷中的电位和电流分布得到的。文中还对Machta等人... 本文证明,一个无序电阻网络中的平均最大电流可标度为(JnL)~α,这里L为网络的线度,而幂指数α不仅与维数和电导率之比有关,而且还与缺陷的端角β有关。这个结论是从分析含通道的漏斗形缺陷中的电位和电流分布得到的。文中还对Machta等人和DBL理论预言过的,当σ_2→0时幂指数α的差异,提出一个定性的解释。 展开更多
关键词 网络 最大电流 无序电阻网络
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非均匀应变对量子阱结构的能带和增益的影响
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作者 赵继民 倪军 +2 位作者 胡辉 熊家炯 朱嘉麟 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期11-14,共4页
研究了非均匀应变对低维量子结构的能带和TE模光增益所产生的影响。由变分法推导应变沿z轴方向的解析分布。在有效质量理论框架下,采用传递矩阵方法计算应变沿z轴方向非均匀分布时的量子阱结构的能带和TE模光增益。解析推导表明... 研究了非均匀应变对低维量子结构的能带和TE模光增益所产生的影响。由变分法推导应变沿z轴方向的解析分布。在有效质量理论框架下,采用传递矩阵方法计算应变沿z轴方向非均匀分布时的量子阱结构的能带和TE模光增益。解析推导表明非均匀应变分布与x-y方向的尺度有密切关系。当x-y方向的尺度较小时,阱区内的应变表现为明显的非均匀分布。计算结果表明,非均匀应变对量子线和量子点结构的能带和增益有着极为重要的影响。 展开更多
关键词 量子阱结构 能带 增益 非均匀应变 半导体
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