一种自适应可重构宽带低抖动锁相环时钟

为满足不同速率的串行收发数据采样需求,基于可重构电荷泵阵列设计了一种低抖动宽带锁相环时钟。根据锁相环倍频系数,自适应匹配电荷泵阵列输出电流,实现了较宽频率变换的低抖动输出时钟。锁相环时钟采用40 nm CMOS工艺设计,面积为367.227*569.344μm^(2)。测试结果表明,锁相环调谐范围为1~4 GHz,输出时钟均方根抖动为3.01 ps@1.25 GHz和3.98 ps@4 GHz,峰峰值抖动小于0.1UI。

一种延时自校准数字时间转换器电路设计

为了校准由于工艺波动导致的数字时间转换器输出延时变化,提出了一种新型的自校准数字时间转换电路。电路由放大器、钟控比较器、数字时间转换器、时间电压转换电路及逻辑控制电路构成。校准电路在数字时间转换器每级延时单元增加电容阵列进行最大延时校准,通过时间电压转换电路将信号最大输出延时转换为电压,再将转换电压与校准电压的差值进行放大,放大后的结果经过比较器进行比较,比较结果通过控制电路调整延时单元负载电容大小,从而精确调整数字时间转换器的最大延迟,实现了数字时间转换器最大输出延时的自适应校准。数字时间转换器基于40 nm CMOS工艺设计,电源电压为1 V,输入时钟最高为200 MHz,在校准电压为650~860 mV范围内,实现了0.578~1.466 ns的数字时间转换器的最大输出延时校准,校准误差不超过1.25%。

一种高精度片内电阻校准电路设计

设计了一种适用于40Ω~100Ω内调节的高精度片内电阻校准电路,该电路可精确调整因工艺波动产生变化的片内电阻阻值。片内电阻校准电路采用模数混合控制方法,即以片外电阻为基准,采用高精度回滞比较器比较片内和片外电阻转换的电压值,采用自适应控制电路精确调整电阻阵列开关,使得片内电阻的阻值与片外基准电阻的阻值相等。电路基于40nm CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,比较器的电压比较阈值最小为2mV,电路实现40Ω~100Ω内电阻阻值可调节,校准误差小于2%。