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有限元热分析法在大功率多芯片组件中的应用
被引量:
7
1
作者
蒋明
胡永达
+1 位作者
杨邦朝
熊流峰
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第z1期410-411,共2页
在大功率多芯片组件 (MCM)中 ,功率芯片是其主要热源 ,它们对 MCM组件的温度分布具有决定性作用。运用有限元法 ,对多热源耦合条件下 MCM组件的温度场进行了模拟和分析。模拟结果与测量值基本一致 ,表明模拟正确反映了 MCM组件的温度情...
在大功率多芯片组件 (MCM)中 ,功率芯片是其主要热源 ,它们对 MCM组件的温度分布具有决定性作用。运用有限元法 ,对多热源耦合条件下 MCM组件的温度场进行了模拟和分析。模拟结果与测量值基本一致 ,表明模拟正确反映了 MCM组件的温度情况。使用该方法能快速、简便地获得 MCM组件温度分布情况 ,可缩短热设计。
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关键词
多芯片组件(MCM)
热模拟和分析
有限元分析
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职称材料
反应烧结碳化硅的显微组织气孔率及电阻率
被引量:
4
2
作者
吕振林
熊流峰
+1 位作者
高积强
金志浩
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期48-51,共4页
研究了反应烧结碳化硅及随后经1650℃和1800℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系.反应烧结碳化硅显微组织中有约20%的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低(0.023Ω·cm).经1650℃和180...
研究了反应烧结碳化硅及随后经1650℃和1800℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系.反应烧结碳化硅显微组织中有约20%的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低(0.023Ω·cm).经1650℃和1800℃除硅处理后,材料的气孔率增加,密度降低,电阻率增加;经过1800℃除硅处理后,显微组织中还发生了β-SiC向α-SiC的转变.
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关键词
碳化硅
反应烧结
电阻率
显微组织
气孔率
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职称材料
镍元素对反应烧结碳化硅导电性的影响
被引量:
1
3
作者
吕振林
熊流峰
+1 位作者
高积强
金志浩
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期176-178,共3页
研究了镍对反应烧结碳化硅导电性的影响.结果表明,随含镍量的增加,反应烧结碳化硅的电阻率降低.随测试温度提高,含镍的碳化硅虽呈现负的温度系数,但幅度减小.900℃保温,随时间延长,电阻率几乎不变.这说明镍可改善反应烧结...
研究了镍对反应烧结碳化硅导电性的影响.结果表明,随含镍量的增加,反应烧结碳化硅的电阻率降低.随测试温度提高,含镍的碳化硅虽呈现负的温度系数,但幅度减小.900℃保温,随时间延长,电阻率几乎不变.这说明镍可改善反应烧结碳化硅的导电特性.同时还分析了镍的存在方式及其相结构.
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关键词
反应烧结
碳化硅
导电性
镍
陶瓷
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职称材料
题名
有限元热分析法在大功率多芯片组件中的应用
被引量:
7
1
作者
蒋明
胡永达
杨邦朝
熊流峰
机构
电子科技大学微电子与固体电子学院
美国德克萨斯大学奥斯汀分校
出处
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第z1期410-411,共2页
基金
<电子元器件可靠性物理实验及其应用技术国防科技重点实验室>资助项目
文摘
在大功率多芯片组件 (MCM)中 ,功率芯片是其主要热源 ,它们对 MCM组件的温度分布具有决定性作用。运用有限元法 ,对多热源耦合条件下 MCM组件的温度场进行了模拟和分析。模拟结果与测量值基本一致 ,表明模拟正确反映了 MCM组件的温度情况。使用该方法能快速、简便地获得 MCM组件温度分布情况 ,可缩短热设计。
关键词
多芯片组件(MCM)
热模拟和分析
有限元分析
Keywords
Multichip module(MCM) Thermal simulation FEA
分类号
TP2 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
反应烧结碳化硅的显微组织气孔率及电阻率
被引量:
4
2
作者
吕振林
熊流峰
高积强
金志浩
机构
西安交通大学
出处
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期48-51,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
研究了反应烧结碳化硅及随后经1650℃和1800℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系.反应烧结碳化硅显微组织中有约20%的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低(0.023Ω·cm).经1650℃和1800℃除硅处理后,材料的气孔率增加,密度降低,电阻率增加;经过1800℃除硅处理后,显微组织中还发生了β-SiC向α-SiC的转变.
关键词
碳化硅
反应烧结
电阻率
显微组织
气孔率
Keywords
silicon carbide
reaction bonded
resistivity
分类号
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
镍元素对反应烧结碳化硅导电性的影响
被引量:
1
3
作者
吕振林
熊流峰
高积强
金志浩
机构
西安交通大学
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期176-178,共3页
基金
国家自然科学基金
文摘
研究了镍对反应烧结碳化硅导电性的影响.结果表明,随含镍量的增加,反应烧结碳化硅的电阻率降低.随测试温度提高,含镍的碳化硅虽呈现负的温度系数,但幅度减小.900℃保温,随时间延长,电阻率几乎不变.这说明镍可改善反应烧结碳化硅的导电特性.同时还分析了镍的存在方式及其相结构.
关键词
反应烧结
碳化硅
导电性
镍
陶瓷
Keywords
silicon carbide, reaction bonded, conductivity
分类号
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
有限元热分析法在大功率多芯片组件中的应用
蒋明
胡永达
杨邦朝
熊流峰
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
7
下载PDF
职称材料
2
反应烧结碳化硅的显微组织气孔率及电阻率
吕振林
熊流峰
高积强
金志浩
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
4
下载PDF
职称材料
3
镍元素对反应烧结碳化硅导电性的影响
吕振林
熊流峰
高积强
金志浩
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
1
下载PDF
职称材料
已选择
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