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有限元热分析法在大功率多芯片组件中的应用 被引量:7
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作者 蒋明 胡永达 +1 位作者 杨邦朝 熊流峰 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期410-411,共2页
在大功率多芯片组件 (MCM)中 ,功率芯片是其主要热源 ,它们对 MCM组件的温度分布具有决定性作用。运用有限元法 ,对多热源耦合条件下 MCM组件的温度场进行了模拟和分析。模拟结果与测量值基本一致 ,表明模拟正确反映了 MCM组件的温度情... 在大功率多芯片组件 (MCM)中 ,功率芯片是其主要热源 ,它们对 MCM组件的温度分布具有决定性作用。运用有限元法 ,对多热源耦合条件下 MCM组件的温度场进行了模拟和分析。模拟结果与测量值基本一致 ,表明模拟正确反映了 MCM组件的温度情况。使用该方法能快速、简便地获得 MCM组件温度分布情况 ,可缩短热设计。 展开更多
关键词 多芯片组件(MCM) 热模拟和分析 有限元分析
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反应烧结碳化硅的显微组织气孔率及电阻率 被引量:4
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作者 吕振林 熊流峰 +1 位作者 高积强 金志浩 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期48-51,共4页
研究了反应烧结碳化硅及随后经1650℃和1800℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系.反应烧结碳化硅显微组织中有约20%的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低(0.023Ω·cm).经1650℃和180... 研究了反应烧结碳化硅及随后经1650℃和1800℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系.反应烧结碳化硅显微组织中有约20%的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低(0.023Ω·cm).经1650℃和1800℃除硅处理后,材料的气孔率增加,密度降低,电阻率增加;经过1800℃除硅处理后,显微组织中还发生了β-SiC向α-SiC的转变. 展开更多
关键词 碳化硅 反应烧结 电阻率 显微组织 气孔率
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镍元素对反应烧结碳化硅导电性的影响 被引量:1
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作者 吕振林 熊流峰 +1 位作者 高积强 金志浩 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期176-178,共3页
研究了镍对反应烧结碳化硅导电性的影响.结果表明,随含镍量的增加,反应烧结碳化硅的电阻率降低.随测试温度提高,含镍的碳化硅虽呈现负的温度系数,但幅度减小.900℃保温,随时间延长,电阻率几乎不变.这说明镍可改善反应烧结... 研究了镍对反应烧结碳化硅导电性的影响.结果表明,随含镍量的增加,反应烧结碳化硅的电阻率降低.随测试温度提高,含镍的碳化硅虽呈现负的温度系数,但幅度减小.900℃保温,随时间延长,电阻率几乎不变.这说明镍可改善反应烧结碳化硅的导电特性.同时还分析了镍的存在方式及其相结构. 展开更多
关键词 反应烧结 碳化硅 导电性 陶瓷
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