过渡金属掺杂单层MoS_2的第一性原理计算

利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法分别计算了本征及过渡金属掺杂单层MoS_2的晶格参数、电子结构和光学性质。计算结果显示,过渡金属掺杂所引起的晶格畸变与杂质原子的共价半径有联系,但并不完全取决于共价半径的大小。分析能带结构可以看到,Co、Ni、Cu、Tc、Re和W掺杂使能带从直接带隙变成了间接带隙。除了Cr和W以外,其它掺杂体系的禁带区域都出现了数目不等的新能级,这些杂质能级主要由杂质的d、S的3p和Mo的4d轨道组成。掺杂对MoS_2的光学性质也产生了相应的影响,使MoS_2的静态介电常数、介电函数虚部峰值、折射率和光电导率峰值呈现不同程度的增加。

高压下硫化钙的弹性和热力学性质的第一性原理计算

利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法结合准谐德拜模型研究Na Cl结构的Ca S在高压下的弹性和热力学性质.计算得到的零温零压下的晶格常数、体弹模量与实验值符合得很好.弹性常数和弹性模量随着压强的增大而增大.压强对体弹模量和热膨胀系数的影响大于温度的影响.热容随压强的升高而降低,在高温下热容接近于Dulong-Petit极限.通过求解Gibbs自由能计算得到B1结构和B2结构Ca S的相变压为36.61 GPa.

EAST等离子体破裂的数值模拟

利用TSC程序非刚性、可变形等离子体模型的特点,对EAST装置等离子体由于发生垂直位移事件而产生破裂的过程进行了模拟,计算了halo电流和真空室应力在破裂过程中的变化情况,对不同初始条件的破裂情况进行了比较,并模拟了利用杀手弹丸注入快速熄灭等离子体的过程。

EAST放电的数值模拟及伏秒数分析

用TSC程序模拟了EAST装置等离子体放电的全过程。模拟中考虑了自举电流,并加入了离子回旋共振加热ICRH和快波电流驱动FWCD,得到了中心电子温度4.5keV、中心离子温度3.8keV、中心电子密度1.2×1020m–3的D形截面的等离子体。根据模拟结果对EAST装置进行了伏秒数分析,并研究了不同等离子体电流上升时间、有效电荷数Zeff对放电的影响。

过渡金属原子掺杂对单层MoS_2磁性的影响

本文利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法分别计算了本征及过渡金属掺杂单层MoS_2的晶格参数、电子结构和磁性性质.计算结果显示,过渡金属掺杂所引起的晶格畸变与杂质原子的共价半径有联系,但并不完全取决于共价半径的大小.分析电子结构可以看到,VIIB、VIII和IB族杂质中除Ag和Re外的掺杂体系都对外显示磁性,磁矩主要集中在掺杂的过渡金属原子上.掺杂体系的禁带区域都出现了数目不等的杂质能级,这些杂质能级主要由杂质的d、S的3p和Mo的4d轨道组成.

EAST装置反剪切放电的数值模拟

利用TSC+LSC程序对EAST装置反剪切位形进行了数值模拟,反剪切等离子体由偏轴分布的LHCD来维持,并做了一系列的模拟来研究辅助加热投入时间对等离子体参数的影响。依据这些模拟,提出了一个新的控制安全因子分布的方案,这对托卡马克实验中的实时控制很有帮助。

淬火技术对酸洗法提纯多晶硅的催化作用

采用淬火技术和酸洗络合技术提纯多晶硅。采用ICP测试多晶硅纯度,采用XRD、红外光谱、拉曼光谱、扫描显微镜、扫描电镜和能谱技术分析淬火对多晶硅提纯的催化机理,结果表明:1)淬火能减弱多晶硅杂质元素与硅之间的键能和键力,使多晶硅晶体出现缺陷和缩小硅体晶面间距;2)多晶硅杂质相主要由非晶金属氧化物或金属硅化物构成;3)采用酸洗络合技术和二次凝固技术可使多晶硅中B的移除率达到90%,同时其他金属杂质的移除率均在55%以上,提纯硅的纯度基本满足太阳电池的需求。

小议半波损失问题

从菲涅耳公式出发,讨论半波损失问题。就前人发表的文章和教科书阐明该问题,以便更好的服务教学。

Simulations of Reversed Shear Configuration in EAST

The reversed shear （RS） mode is one of the advanced configurations being considered in EAST. Predictive simulations of EAST reversed shear configuration are carried out using an 1.5D equilibrium evolution code. In order to have the desired monotonic q-profile during a tokamak discharge, a successful preparation phase is required. In our simulation, the plasma current is ramped up from 100 kA to a fiat-top maximum of 1.0 MA for four seconds. An ICRH power of 1 MW is applied until the plasma shape is formed at the moment of 4 s, and then the power is raised to 3 MW. A LHCD power of 3.5 MW is applied from ls to optimize the plasma current density profile. A series of simulations are performed to study the influence of the time of applying the auxiliary heating on the plasma parameters. Based on these simulations, a scheme is proposed and tested for the control of the safety factor profile, which is very useful in real time profile control in tokamak experiments.