离子晶体量子线中的非线性极化激元

讨论了离子晶体量子线中的非线性极化激元的色散关系 .由于量子线对电磁波场的尺寸限制作用及原胞中离子间的非线性相互作用 ,使离子晶体量子线中的非线性极化激元的色散关系相对于体材料有 2点值得注意 :在ωTO以下及ωL O以上区域 ,在波矢 k小的区域 ,频率值向上移动 ,在原频率禁区ωTO<ω<ωL O中 ,由于非线性效应引起的新的极化激元的频率分支则与体材料基本一致 ,即尺寸效应不显著 ,这意味着在量子线中会有与体材料中相同的光孤立子的传输特性 .

无限层薄膜(Sr,Ca)CuO_2的相分析

采用脉冲激光沉积（PLD）方法在400～670℃和7～70Pa氧压下制备了（Sr，Ca）CuO2无限层薄膜．通过薄膜的X光衍射（XRD）测量来进行薄膜的相分析．A2CuO3＋δ（A代表Sr，Ca）相在SrTiO3，LaAlO3，CaNdAlO4和MgO衬底上在400～600℃极易生成，而无限层ACuO2＋δ相只能在高于470℃和相配的SrTiO3和LaAlO3；衬底上生成．在SrTiO3衬底上当温度高于600℃时，A2CuO3＋δ相开始消失，出现了一个新的正交的绝缘相．

原位电阻法监测无限层薄膜沉积和热处理过程

用原位电阻法监测了无限层薄膜（Sr0．7Ca0．3）0．9K0．1CuO2沉积时电阻随时间（即膜厚）的变化过程，以及薄膜热处理过程中电阻随温度的变化过程。通过监测了解到氧含量在无限层薄膜中起着重要作用。沉积完毕对真空室充入0．1MPaO2时薄膜吸氧。对薄膜热处理时，薄膜吸氧或放氧发生在330℃以上。低真空条件下的热处理过程是可逆的；而在高真空条件下，薄膜在高温时分解，显示出半导体行为。该方法直观有效，也可以成为制备其他非绝缘薄膜的监测手段。

在具有强非线性效应的离子晶体中光脉冲传播的孤立子特性

从理论上研究了原胞内存在强离子间非线性相互作用的离子晶体 ,得出光脉冲在其中的传播具有孤立子特性 ,并分析了当非线性系数g分别为大于 0与小于 0时形成的亮孤立子与暗孤立子的具体特征 .研究表明 ,不论非线性系数g取正值还是负值 ,在纵光学模声子频率ωLO 以上频区 ,光脉冲可形成亮孤立子 ,在g >0时 ,在横光学模频率ωTO以下频区可形成暗孤立子 ;值得注意的是在ωTO —ωLO区间 ,光脉冲可形成超前型暗孤立子 ;在g <0时 ,从ωTO往下临近ωTO