“楔形”TEM样品的机械研磨制备技术

介绍了一种用机械研磨法制备集成电路TEM楔形样品的技术,讨论了该制样技术所需注意的关键点,并给出了判断样品薄区是否满足TEM分析要求的两种方法。楔形样品减薄技术兼具制样速度快和样品质量好的优点。该技术既可用于制备非定点TEM样品,也可用于制备定点的TEM样品。给出了用该技术制备的定点失效的MOS器件TEM照片。熟练的技术人员可以用此方法在半小时内完成一个样品的制备。

适用于深沟槽结构观测的TEM样品制备技术

对于深沟槽DRAM电容这类纵向深度深(超过5μm)但是平面尺寸又很小(小于0.2μm×0.2μm)的结构来说,传统的TEM制样方法,无法满足其细微结构全面观测的需求,此外传统的方法制样也比较费时,成功率也比较低。介绍了一种"FIB横向切割"技术,适用于对这类结构的观测。它与传统FIB制样方法的主要区别在于,切割方向由纵向切割改为横向切割。用这种方法制备的TEM样品,可以完整地观测同一个深沟槽DRAM电容结构的所有细微结构。制样过程比较简单、速度快、成功率高。以一个实例分析、比较了传统制样方法和新的制样方法,突显了"FIB横向切割"技术的优点。