一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性

对一种国产GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了1 MeV电子辐照损伤研究,分析和讨论了不同注量电池电参数和光谱响应的衰降规律。实验结果表明,这种电池不但有很高的初始效率,而且有好的抗辐射性,电子注量达到1×1015cm-2时,最大输出功率为辐照前的80．4%。辐照后GalnP顶电池几乎不发生退化,而GaAs中间电池短路电流严重退化,致使GalnP顶电池与GaAs中间电池电流失配,是GalnP/GaAs/Ge电池性能退化的主要原因。

SiGe HBT^(60)Coγ射线辐照效应及退火特性

研究了国产SiGe异质结双极晶体管(HBT)60Coγ射线100Gy(Si)~10kGy(Si)总剂量辐照后的辐照效应及辐照后的退火特性.测试了辐照及退火后的直流电参数.实验结果显示,辐照后基极电流(Ib)明显增大,而集电极电流(Ic)基本不变,表明Ib的增加是电流增益退化的主要原因.退火结果表现为电流增益(β=Ic/Ib)继续衰降,表明SiGeHBT具有“后损伤”效应.对其机理进行了探讨,结果表明其主要原因是室温退火中界面态继续增长引起的.

水面蒸发折算系数的对比观测实验与分析计算

利用1987年以来的逐日对比观测系列资料,对水面蒸发折算系数进行了分析计算,取得了宝贵的研究成果。在21个计算时段中,相对误差值小于10%的时段17个,占计算时段的81%,计算时段越长,误差越小,若按全年统计,计算误差可控制在10%以内,表明折算系数计算结果是可靠的。

多结太阳电池辐射损伤的电致发光研究

建立了电致发光测试方法,对一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池1MeV电子辐照后各子电池的辐照特性进行了研究,并与光谱响应结果进行了比较。讨论了GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的辐射损伤机理。

SiGe HBT与Si BJT的^(60)Co射线总剂量辐照效应比较

研究了国产结构参数近似的SiGe HBT与Si BJT在60Coγ射线辐照前和不同剂量辐照后性能的变化,并作了比较。辐照后集电极电流Ic变化很小,基极电流Ib明显增大,表明辐照后电流增益的下降主要是由于Ib的退化所导致。当辐照剂量达到10kGy(Si)时,SiGe HBT和Si BJT的最大电流增益分别下降为77%和55%,表明了SiGe HBT具有比Si BJT更好的抗γ射线辐照性能。对辐射损伤机理进行了探讨。

咸水区找淡水技术的研究与应用

针对湖相沉积咸水区地下水埋藏和分布特点 ,应用地下水研究的阿尔奇 (Archie)公式 ,自 1995年以来 ,总结出地下水电阻率与其矿化度之间的相互关系并应用计算电阻率的方法确定不同水质的技术指标 ,使其成为衡量地下水矿化度的依据 ,用于调查咸淡水分布特点及规律。根据实测水质垂向排序特征 ,划分各种水质模型 ,建立咸水、微咸水、淡水的三维分布立体模型 ,并由此确定淡水井位和开采方案。该技术成果达到国际先进水平。

潜水蒸发系数的观测实验与分析计算

利用 1991～ 2 0 0 0年的观测实验系列资料 ,对潜水蒸发系数进行了分析计算 ,得出了冰期、月、年等三个计算时段不同岩性的潜水蒸发系数 ,并进行了变化特征和合理性分析 ,对三水转化机理、农田灌溉排水。

降水入渗补给系数的实验研究与分析计算

利用实验场模拟方法,对太谷均衡实验站1987-2000年系列蒸渗计实验观测系统的观测资料,通过降水入渗补给的发生过程和机理的分析研究,得出适合一定条件及特定因素下的降水入渗补给系数及其变化特征。

双极运算放大器辐射损伤的时间相关性

通过一系列辐照实验对双极运放辐射损伤的时间相关性进行了研究.结果表明,双极运放的辐射损伤与时间有着密切的关系,通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数进行循环辐照-退火实验,可以测评出器件的低剂量率辐射损伤情况,并从界面态角度对这种损伤机理进行了分析.

JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究

本文对结型场效应管JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法进行了研究。结果表明,采用循环辐照—退火的方法可以使JFET输入运算放大器的辐射损伤增强,并且通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数,可以评测出器件的低剂量率辐射损伤情况。文章还对这种辐射损伤方法的机理进行了分析。

发挥水均衡实验优势 搞好水资源综合规划

按照水利部的统一部署,全国正在进行水资源综合规划工作,10多年来宝贵的水均衡实验研究成果,为水资源评价及水资源规划提供了科学依据,对全国特别是北方地区在水资源综合规划中参数、参量的确定具有一定的参考价值。

不同型号的星用Power MOSFET的辐射响应特性

利用60Co源对将应用于空间系统的两种Power MOSFET进行了不同总剂量辐照实验,并从微观氧化物陷阱电荷和界面态的辐射感生角度,对比分析了不同型号Power MOSFET器件在60Coγ射线辐射下的总剂量效应以及辐照后100℃下退火特性,并侧重分析了总剂量实验中阈值电压和击穿电压的变化关系。为此类器件在航天系统中的应用提供了辐照数据基础和依据。

应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性

为给金属氧化物半导体场效应功率管(PowerMOSFET)在航天系统中的应用提供辐照数据基础和依据。用60Co源对将应用于空间系统的两种PowerMOSFET进行了不同总剂量的辐照实验。从微观氧化物陷阱电荷和界面态的辐射感生角度,分析了PowerMOSFET器件在60Coγ射线辐射下的总剂量和剂量率效应以及辐照后70℃退火特性。试验表明与N沟道PowerMOSFET相比,P沟道PowerMOSFET可能更适合空间应用。

低通滤波与卡尔曼滤波相结合的制导律识别

为利用观测数据对执行追踪任务的非合作目标飞行器进行制导律识别,采用一种通用的隐式制导函数对制导行为进行统一描述,并且给出了一种采用时变制导系数的模型来逼进隐式制导函数.在此模型基础上,利用低通滤波与卡尔曼滤波相结合的频域分离自适应卡尔曼滤波方法对观测数据进行实时处理分析,最终得到目标飞行器的制导律识别结果.仿真结果表明,在目标飞行器采用比例导引律或Bang-Bang变结构制导律的情况下,识别算法能够从观测数据出发,对目标飞行器的制导律完成有效和快速识别.

CMOS器件预辐照筛选可行性及方法研究

预辐照筛选成功的关键取决于预辐照后器件损伤的可恢复性及再次辐照时器件损伤的可重复性。通过对CMOS器件进行大量不同条件下的60Coγ总剂量辐照实验和退火实验,探讨了能使器件预辐照后的损伤得到尽可能大地恢复的辐照、特别是退火条件,并通过反复达4次的CC4007器件“辐照-退火-辐照”试验,研究了CMOS器件退火后再次辐照时电参数变化的可重复性。

大视场星敏感器光学系统畸变校正方法

针对大视场星敏感器光学系统畸变较大,严重影响角距测量精度的问题,采用多项式拟合算法,对研制的星敏感器进行了畸变校正,校正后的平均角度测量误差小于1″。

电气自动化在电气工程中的应用分析

电气自动化与人们的日常生活及工业生产息息相关,近年来发展十分迅猛,现已成为高新技术产业的有机组成部分,并被广泛地运用到工业、国防和农业等多项领域。电气自动化属电气信息的专业范畴,以电子计算机技术、电力电子技术为技术攻关手段,包含系统设计、系统研发、系统管理和技术决策等内容。相较于其他技术手段而言,电气自动化拥有十分显著的优势,所以,在电气工程中要大力发展和应用电气自动化技术,以保障电气系统的平稳、安全、高效运行。