硅基叠层薄膜太阳电池前后电极的选择及匹配性

作为光伏的一个重要领域,硅基薄膜电池技术在过去5年有了长足的发展,特别是近期硅基叠层薄膜电池的引入和产业化更显著提高了薄膜电池的转换效率。如今前沿领域的硅基薄膜电池制造商都朝着商业化量产稳定效率10%迈进。过去几年里作为世界上少数几家仍在量产硅基薄膜电池的企业,正泰太阳能一直走在硅基薄膜技术创新及量产大面积组件(1.1×1.3m2)的最前沿,在薄膜电池、组件及组件能源输出方面都做了大量的研发工作。作为硅基薄膜电池的重要组成部分,电池的前后电极对电池表现起非常关键的作用。本文将主要探讨硅基非晶-微晶叠层薄膜电池前后电极的选择,对比研究了不同TCO前电极对电池表现的影响以及传统PVD金属背电极与TCO背电极在硅基叠层电池上的表现。

正泰硅基叠层薄膜太阳电池研发与大规模生产新进展

介绍了正泰太阳能在硅基叠层薄膜电池上的主要技术进步,包括TCO优化、新型氧化物掺杂层的引入、弱光效应、温度系数改善等。这些技术进步使得正泰太阳能量产硅基叠层薄膜电池的稳定全面积效率达到10%。此外还讨论了组件的现场能源输出表现,从而展示硅基薄膜技术仍然是光伏产业中一个非常有竞争力的技术路线。

基于柔性玻璃衬底ZnO∶B薄膜的非晶硅太阳能电池的制备及其光电性能研究

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在大面积(40 cm×40 cm)超薄柔性玻璃和硬质玻璃衬底上分别制备了B掺杂的ZnO(BZO)透明导电薄膜及非晶硅薄膜太阳能电池,对比了两种衬底上BZO薄膜的形貌、光学和导电性能及其非晶硅薄膜电池的性能。结果表明,在相同LPCVD工艺下,超薄柔性玻璃衬底上BZO薄膜的生长速率相对减小;当生长相同厚度BZO薄膜时,超薄柔性玻璃衬底的透光率相对于硬质玻璃衬底提高约2%,同时并具有相同的导电能力。在柔性玻璃衬底上制备的非晶硅薄膜电池的初始和稳定转化效率也相对提高,分别达到9.16%和7.82%。

LPCVD法在制绒单晶硅片衬底上制备ZnO∶B透明导电薄膜及其性能的研究

采用低压化学气相沉积法（LPCVD）在制绒的单晶硅片衬底上制备了B掺杂ZnO（BZO）的透明导电薄膜,研究了B2H6掺杂量、沉积时间对BZO薄膜的微观形貌、导电性能及光学减反性能的影响。结果表明,在制绒单晶硅片衬底上制备的BZO薄膜均呈现＂类金字塔＂的绒面结构,其平均晶粒尺寸在200-500 nm之间,并随B2H6掺杂量增加而减小;BZO薄膜的方阻随沉积时间的增加而呈线性迅速减小的趋势,当沉积时间为420 s时,BZO薄膜的方块电阻低至28Ω/□;在制绒单晶硅片上制备BZO薄膜后,表面平均反射率由15%明显降低至5%左右,表现出优异的光学减反性能。

PI衬底柔性透明硅薄膜太阳能电池的制备及性能

利用硬质玻璃为载板，采用传统硅薄膜太阳能电池生产设备，在聚酰亚胺（PI）塑料薄膜衬底上沉积了B掺杂的ZnO（BZO）薄膜，并以此作为前电极制备了单节电池结构及多节串联一体结构的非晶硅（a-Si）太阳能电池；研究了PI衬底上BZO薄膜的光学及电学性能。结果表明，PI衬底上沉积BZO薄膜后在300~1200 nm波长范围的透光率为76.63%，方块电阻19.7Ω/□。所制备的单节和多节串联一体结构的a-Si薄膜太阳能电池的转化效率分别达到6.45%和5.1%，封装后电池组件具有一定的透光性，透光率约达到30.2%。

非晶硅锗薄膜与太阳能电池研究

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在1.1 m×1.3 m的大面积玻璃衬底上制备非晶硅锗(aSiGe)薄膜和太阳能电池。系统研究了锗烷流量比(RGe)、氢气流量比(RH)、沉积功率和压强对a-SiGe薄膜光学带隙以及沉积速率的影响;分析了具有不同RGe的本征层对a-SiGe单结电池的影响;通过调节沉积参数制备出具有合适本征层带隙的高质量a-SiGe单结电池,实现在800 nm波长处的量子效率达到18.9%,同时填充因子(FF)也达到0.62。

PI衬底n-i-p结构非晶硅薄膜太阳能电池的制备

利用传统硅薄膜太阳能电池生产设备、以硬质玻璃为载板,在低透光率的聚酰亚胺(PI)衬底上制备了n-i-p结构的单结非晶硅(a-Si)薄膜太阳能电池组件,并通过掩膜绝缘和激光划分绝缘组合的方式在同一块PI衬底上实现了多节电池串联一体的结构。封装后电池组件的有效发电面积的转化效率达到5.13%,电池的转化效率还存在较大的提升空间。

YBa_2Cu_3O(7-x)高温超导氧化物的氧及其催化性质的热分析

YBa2Cu3O(6＋x)晶体上以O（1），O（2），O（3）和O（4）标记的氧原子的热稳定姓是不同的，O（1），O（2）和O（3），O（4）在特定条件下可以相互交换，由于这一独特的物理化学性质，使人们注意到它有可能成为一种氧化还原催化材料。

双层SiN_x∶H减反膜多晶硅太阳电池及其组件性能研究

利用管式PECVD在多晶硅片上获得钝化效果和减反性能优异的双层SiNx：H薄膜，其中底层和顶层SiN；折射率分别为2．35和2．01，膜厚为17nm和67nm。薄膜的折射率通过改变反应气体的Si／N比进行调控，底层SiN，制备时Si／N比越大，反射率越低，而电池Jsc先增加后下降。反射率曲线、外量子效率（EQE）和电学性能表明，和单层膜相比，双层膜的短波部分（300—650nm）反射率远低于单层膜；其电池在680～950nm波段光谱响应较单层膜稍好；电池Uoc和Isc均有较大提升，光电转换效率绝对值提高了0.193％。同时，双层膜电池组件的封装功率损失略低于单层膜电池组件。

晶硅光伏组件封装因子优化

根据晶硅电池的光学、电学参数改善组件封装材料相关性能，使晶硅电池封装功率损失显著降低。根据不同电池的量子效率（EQE），调节镀膜玻璃的透过率分布曲线，使两者实现最佳匹配，从而提高组件光电转换效率。前端封装材料使用紫外高透乙烯．醋酸乙烯共聚物（EVA），背面封装材料使用紫外截止EVA，既可提高效率，又能保证组件的抗紫外性能，其平均功率的增益为1．0％～1．5％。

基于MHMM模型的手写体汉字识别算法

文章提出了一种基于多重隐马尔可夫模型和区域投影变换的手写体汉字识别新方法。该方法对每个汉字建立4个HMM,通过等比重综合方法将4个分类器的计算结果进行综合,从而得到识别结果。该方法对于识别应用问题中的隐马尔可夫建模具有普适性。实验证明,该识别方法具有较高的识别准确率。

新乡工务段建立班组兼职政工员队伍

为推进落实全路政治工作会议提出的把思想政治工作纳入企业管理、纳入于部政绩考核之中的要求，郑州铁路分局新乡工务段在10人以上班组增设了43名兼职政工员，由思想业务素质和文化基础较好、在职工中有威望、工作能力较强的党团员。