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同步整流降压型DC-DC过零检测电路的设计 被引量:15
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作者 王辉 王松林 +2 位作者 来新泉 郭宝龙 牟在鑫 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期276-280,共5页
同步整流降压型DC-DC工作在不连续电感电流模式(DCM)下会出现的电感电流倒灌现象,这种情况会使得整个系统处于一种超过放状态,从而使系统的效率大幅度地下降。针对这一问题,设计实现了一款电感电流过零检测电路。该电路利用失调电阻抵... 同步整流降压型DC-DC工作在不连续电感电流模式(DCM)下会出现的电感电流倒灌现象,这种情况会使得整个系统处于一种超过放状态,从而使系统的效率大幅度地下降。针对这一问题,设计实现了一款电感电流过零检测电路。该电路利用失调电阻抵消同步管关断延迟,达到了快速关断同步管的目的,有效地降低了电流倒灌。且该电路正常工作时的静态电流为5μA,其面积仅有0.005 mm2。采用此电路的一款同步BUCK型DC-DC已在韩国Hynix公司的0.5μm CMOS工艺线投片,测试结果证明过零检测电路效果良好。 展开更多
关键词 同步 直流-直流转换器 降压型 过零检测
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一种BUCK型开关稳压器负载电流检测电路 被引量:9
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作者 王辉 王松林 +2 位作者 来新泉 牟在鑫 郭宝龙 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期117-121,共5页
针对Buck型开关稳压器的断续工作模式(DCM),基于CSMC0.5μm CMOS工艺设计实现了一种新颖的负载电流检测电路。同传统的电感电流采样方式不同,该结构直接应用与负载电流变化几乎同步的同步管栅极驱动信号作为"电流采样"信号,... 针对Buck型开关稳压器的断续工作模式(DCM),基于CSMC0.5μm CMOS工艺设计实现了一种新颖的负载电流检测电路。同传统的电感电流采样方式不同,该结构直接应用与负载电流变化几乎同步的同步管栅极驱动信号作为"电流采样"信号,实现了负载平均电流的检测。经投片验证,提出的电流检测电路工作良好,且面积仅占芯片的1.5%,同传统采样方式相比,面积减小了21%,静态时的耗电仅为原来的40%。 展开更多
关键词 开关稳压器 断续模式 电流检测 采样电路
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一种基于复合运放的线性锂离子电池充电器 被引量:1
3
作者 王松林 牟在鑫 +1 位作者 来新泉 代国定 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期111-115,共5页
基于复合运放,设计了一款新颖的线性锂离子电池充电器。该充电器根据锂离子电池充电的特性,采用三阶段充电法,即涓流充电(预处理),恒流充电(快充),恒压充电(充满)。仿真结果显示,在4.5 V电源电压下,充电器实现了涓流充电电流80 mA,恒流... 基于复合运放,设计了一款新颖的线性锂离子电池充电器。该充电器根据锂离子电池充电的特性,采用三阶段充电法,即涓流充电(预处理),恒流充电(快充),恒压充电(充满)。仿真结果显示,在4.5 V电源电压下,充电器实现了涓流充电电流80 mA,恒流充电电流800 mA,及恒定电压4.2 V的充电过程。另外,设计中利用充电功率管的栅极寄生电容作为充电环路的补偿电容,节省了芯片成本和面积。 展开更多
关键词 锂离子电池 充电器 恒定电流 恒定电压
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一种用于高压芯片的带隙基准源设计 被引量:1
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作者 来新泉 郭海朝 牟在鑫 《电子器件》 CAS 2008年第4期1194-1196,1200,共4页
基于TSMC1.0μm 40V BCD工艺,利用带隙原理设计了一款用于高压芯片的基准源电路。仿真结果显示,该电路可以工作在10-25V电源电压下,输出的基准电压精度为13.3×10^-6/℃,输出电流高达20mA,且受电源电压影响很小。与传统高... 基于TSMC1.0μm 40V BCD工艺,利用带隙原理设计了一款用于高压芯片的基准源电路。仿真结果显示,该电路可以工作在10-25V电源电压下,输出的基准电压精度为13.3×10^-6/℃,输出电流高达20mA,且受电源电压影响很小。与传统高电源电压基准相比,该电路提高了输出电压的精度和稳定性,具有较大的电流驱动能力,完全可以作为芯片内部电源使用。 展开更多
关键词 电压基准 电源管理 BCD 电流驱动 电源抑制
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A novel on-chip high to low voltage power conversion circuit 被引量:1
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作者 王辉 王松林 +4 位作者 来新泉 叶强 牟在鑫 李先锐 郭宝龙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期122-126,共5页
A novel power supply transform technique for high voltage IC based on the TSMC 0.6μm BCD process is achieved. An adjustable bandgap voltage reference is presented which is different from the traditional power supply ... A novel power supply transform technique for high voltage IC based on the TSMC 0.6μm BCD process is achieved. An adjustable bandgap voltage reference is presented which is different from the traditional power supply transform technique. It can be used as an internal power supply for high voltage IC by using the push-pull output stage to enhance its load capability. High-order temperature compensated circuit is designed to ensure the precision of the reference. Only 0.01 mm^2 area is occupied using this novel power supply technique. Compared with traditional technique, 50% of the area is saved, 40% quiescent power loss is decreased, and the temperature coefficient of the reference is only 4.48 ppm/℃. Compared with the traditional LDO (low dropout) regulator, this power conversion architecture does not need external output capacitance and decreases the chip-pin and external components, so the PCB area and design cost are also decreased. The testing results show that this circuit works well. 展开更多
关键词 power management bandgap reference high-order temperature compensation push-pull output
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