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亚微米CMOSIC中自对准硅化物工艺的研究
被引量:
1
1
作者
王万业
徐征
刘逵
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期355-356,361,共3页
自对准硅化钛工艺有许多重要的优点。但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题。文章针对这些问题 ,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择...
自对准硅化钛工艺有许多重要的优点。但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题。文章针对这些问题 ,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择性等方面进行了改进 ,有效地解决了问题。
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关键词
亚微米集成电路
VLSI制造
自对准硅化物
硅化物
CMOS器件
IC工艺
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职称材料
CMOS SRAM存储单元研究
被引量:
1
2
作者
王万业
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期32-35,共4页
阐述了采用1.0μmCMOS技术制作的256kSRAM的存储单元。论述了存储单元的性能在CMOSSRAM中的重要性,分析了存储单元的工作原理、结构和主要参数性能。文章对几种类别的CMOSSRAM存储单元进行了分析比较。
关键词
CMOS
SRAM
结构
存储器
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职称材料
2微米CMOS工艺工程技术研究
被引量:
1
3
作者
王万业
《微电子学》
CAS
CSCD
1990年第2期70-79,共10页
本文把工艺工程技术作为一个专门的技术领域,从集成电路制造工艺技术中分离出来,并对它进行了系统的分析研究。一个完整的大规模和超大规模集成电路制造工艺技术应包括两个大的方面:一个是单项工艺技术,另一个是工艺集成技术,亦即工艺...
本文把工艺工程技术作为一个专门的技术领域,从集成电路制造工艺技术中分离出来,并对它进行了系统的分析研究。一个完整的大规模和超大规模集成电路制造工艺技术应包括两个大的方面:一个是单项工艺技术,另一个是工艺集成技术,亦即工艺工程技术。工艺工程技术包括:(1)器件设计,亦即器件的纵向横向结构参数和主要电参数的设计;(2)工艺设计规则设计;(3)
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关键词
VLSI
CMOS
工艺工程
工艺
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职称材料
浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究
被引量:
2
4
作者
于宗光
陆锋
+4 位作者
徐征
叶守银
黄卫
王万业
许居衍
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期90-91,95,共3页
本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理 ,并提出了改进EEPROM保持特性的措施 .
关键词
EEPROM
浮栅
隧道氧化层
电荷泄漏
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职称材料
FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究
被引量:
1
5
作者
于宗光
徐征
+4 位作者
叶守银
张国华
黄卫
王万业
许居衍
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期68-70,67,共4页
本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现...
本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 .
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关键词
EEPROM
隧道氧化层
擦写过程
陷阱俘获电荷
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职称材料
MOS工艺工程技术研究
6
作者
王万业
《微电子学》
CAS
CSCD
1992年第6期27-32,20,共7页
本文阐述了MOS/CMOS工艺工程技术的特点、研究内容和研究方法,对工艺工程技术进行了全面而系统的分析研究,以提高工艺综合水平,加速MOS和CMOS集成电路向高速化高集成化方向发展,并适应多电路品种的科研开发线和生产线的需要。工艺工程...
本文阐述了MOS/CMOS工艺工程技术的特点、研究内容和研究方法,对工艺工程技术进行了全面而系统的分析研究,以提高工艺综合水平,加速MOS和CMOS集成电路向高速化高集成化方向发展,并适应多电路品种的科研开发线和生产线的需要。工艺工程技术研究的核心,就是要解决把单项工艺技术与器件技术综合起来,并转化成集成电路产品的过程中所碰到的关键技术问题。它具有一定的系统性,既要遵循科技发展规律,又要遵循经济发展规律。
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关键词
MOS
CMOS
工艺
制造
集成电路
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职称材料
一条多电路品种的CMOS科研开发工艺线运转机制探讨
7
作者
王万业
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第5期61-64,F003,共5页
本文从技术和技术管理的角度,研究探讨了一条多电路品种的CMOS科研开发线的运行机制.从多方面阐述了为保持这样一条科研开发线高水平、高效益运转所必须考虑的一些基本准则.本文阐述了一种自调整高效运筹法,介绍了该方法的基本要点、运...
本文从技术和技术管理的角度,研究探讨了一条多电路品种的CMOS科研开发线的运行机制.从多方面阐述了为保持这样一条科研开发线高水平、高效益运转所必须考虑的一些基本准则.本文阐述了一种自调整高效运筹法,介绍了该方法的基本要点、运算实例以及与习惯方法相比较所具有的优点.
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关键词
集成电路
MOS电路
工艺
生产线
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职称材料
题名
亚微米CMOSIC中自对准硅化物工艺的研究
被引量:
1
1
作者
王万业
徐征
刘逵
机构
无锡微电子科研中心
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期355-356,361,共3页
文摘
自对准硅化钛工艺有许多重要的优点。但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题。文章针对这些问题 ,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择性等方面进行了改进 ,有效地解决了问题。
关键词
亚微米集成电路
VLSI制造
自对准硅化物
硅化物
CMOS器件
IC工艺
Keywords
Submicrometer IC
VLSI fabrication
CMOS device
Silicide
Salicide
IC process
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
CMOS SRAM存储单元研究
被引量:
1
2
作者
王万业
机构
中国华晶电子集团公司中央研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期32-35,共4页
文摘
阐述了采用1.0μmCMOS技术制作的256kSRAM的存储单元。论述了存储单元的性能在CMOSSRAM中的重要性,分析了存储单元的工作原理、结构和主要参数性能。文章对几种类别的CMOSSRAM存储单元进行了分析比较。
关键词
CMOS
SRAM
结构
存储器
分类号
TP333.5 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
2微米CMOS工艺工程技术研究
被引量:
1
3
作者
王万业
机构
中国华晶电子集团公司中央研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1990年第2期70-79,共10页
文摘
本文把工艺工程技术作为一个专门的技术领域,从集成电路制造工艺技术中分离出来,并对它进行了系统的分析研究。一个完整的大规模和超大规模集成电路制造工艺技术应包括两个大的方面:一个是单项工艺技术,另一个是工艺集成技术,亦即工艺工程技术。工艺工程技术包括:(1)器件设计,亦即器件的纵向横向结构参数和主要电参数的设计;(2)工艺设计规则设计;(3)
关键词
VLSI
CMOS
工艺工程
工艺
Keywords
CMOS IC, Process engineering, IC fabrication technology, VLSI
分类号
TN430.5 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究
被引量:
2
4
作者
于宗光
陆锋
徐征
叶守银
黄卫
王万业
许居衍
机构
信息产业部微电子科研中心
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期90-91,95,共3页
基金
江苏省青年科技基金!(No.BQ960 4 0 )
文摘
本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理 ,并提出了改进EEPROM保持特性的措施 .
关键词
EEPROM
浮栅
隧道氧化层
电荷泄漏
Keywords
EEPROM
floating gate
tunnel oxide
charge
leakage
分类号
TP333.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究
被引量:
1
5
作者
于宗光
徐征
叶守银
张国华
黄卫
王万业
许居衍
机构
信息产业部无锡微电子科研中心
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期68-70,67,共4页
基金
江苏省青年科技基金!(BQ960 4 0 )
文摘
本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 .
关键词
EEPROM
隧道氧化层
擦写过程
陷阱俘获电荷
Keywords
EEPROM
Tunnel oxide
Trapped charge
Endurance
Erase/Write
Threshold voltage
Field
分类号
TP333.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
MOS工艺工程技术研究
6
作者
王万业
机构
华晶公司中央研究所(前
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1992年第6期27-32,20,共7页
文摘
本文阐述了MOS/CMOS工艺工程技术的特点、研究内容和研究方法,对工艺工程技术进行了全面而系统的分析研究,以提高工艺综合水平,加速MOS和CMOS集成电路向高速化高集成化方向发展,并适应多电路品种的科研开发线和生产线的需要。工艺工程技术研究的核心,就是要解决把单项工艺技术与器件技术综合起来,并转化成集成电路产品的过程中所碰到的关键技术问题。它具有一定的系统性,既要遵循科技发展规律,又要遵循经济发展规律。
关键词
MOS
CMOS
工艺
制造
集成电路
Keywords
MOS IC,MOS/CMOS technology,Technology engineering, IC fabrication technique
分类号
TN430.5 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一条多电路品种的CMOS科研开发工艺线运转机制探讨
7
作者
王万业
机构
中国华晶电子集团公司中央研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第5期61-64,F003,共5页
文摘
本文从技术和技术管理的角度,研究探讨了一条多电路品种的CMOS科研开发线的运行机制.从多方面阐述了为保持这样一条科研开发线高水平、高效益运转所必须考虑的一些基本准则.本文阐述了一种自调整高效运筹法,介绍了该方法的基本要点、运算实例以及与习惯方法相比较所具有的优点.
关键词
集成电路
MOS电路
工艺
生产线
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
亚微米CMOSIC中自对准硅化物工艺的研究
王万业
徐征
刘逵
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
下载PDF
职称材料
2
CMOS SRAM存储单元研究
王万业
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997
1
下载PDF
职称材料
3
2微米CMOS工艺工程技术研究
王万业
《微电子学》
CAS
CSCD
1990
1
下载PDF
职称材料
4
浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究
于宗光
陆锋
徐征
叶守银
黄卫
王万业
许居衍
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
2
下载PDF
职称材料
5
FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究
于宗光
徐征
叶守银
张国华
黄卫
王万业
许居衍
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
下载PDF
职称材料
6
MOS工艺工程技术研究
王万业
《微电子学》
CAS
CSCD
1992
0
下载PDF
职称材料
7
一条多电路品种的CMOS科研开发工艺线运转机制探讨
王万业
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1993
0
下载PDF
职称材料
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