一种面向5G通信的宽带压控振荡器设计

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计并实现了一款宽带压控振荡器。该压控振荡器采用互补型交叉耦合结构,应用6位开关电容阵列实现宽调谐范围。通过选取高品质因子值电感、应用二次谐波谐振滤波技术、改进开关电容阵列结构,实现对相位噪声性能的优化。测试结果表明,在温度为27℃、电源电压为1.8V条件下,该压控振荡器频率调谐范围为3.26GHz～5.27GHz,在偏离中心频率1MHz处的相位噪声为-121.3dBc/Hz。