0.1GHz~3GHz低噪声放大器设计

基于共源共栅结构、并联负反馈和自适应有源偏置技术等设计了一款应用于0.1 GHz~3 GHz的宽带低噪声放大器。共源共栅(Cascode)结构削弱米勒(Miller)效应,提高高频增益;并联负反馈结构能够压低低频增益,改善带内增益平坦度,同时改变输入和输出阻抗,改善端口回波;自适应有源偏置技术提高电路输出功率1 dB压缩点,改善线性度。电路采用GaAs PHEMT工艺进行流片加工,测试结果表明:LNA的带内增益≥19.5 dB,增益平坦度≤±0.6 dB,噪声系数≤1.2 dB,输出1 dB压缩点≥20 dBm。

一种面向5G通信的宽带压控振荡器设计

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计并实现了一款宽带压控振荡器。该压控振荡器采用互补型交叉耦合结构,应用6位开关电容阵列实现宽调谐范围。通过选取高品质因子值电感、应用二次谐波谐振滤波技术、改进开关电容阵列结构,实现对相位噪声性能的优化。测试结果表明,在温度为27℃、电源电压为1.8V条件下,该压控振荡器频率调谐范围为3.26GHz～5.27GHz,在偏离中心频率1MHz处的相位噪声为-121.3dBc/Hz。