相变光盘的介质优选及理论计算

本文着重论述相变光盘的存储机理、介质优选、理论计算及光存储最新进展。

一种TeGe基快速相变型可逆光记录介质的研究

研制出一种在晶化激光功率为4mW时晶化时间为180ns的可逆相变型光纪录介质。其擦写循环次数可达10~6次。分析了其快速晶化机理。

TeGe基相变光盘材料快速晶化研究

本文用XPS谱等方法分析了加氧后的Te_(90)Ge_(109),Te_(89)Ge_8Sn_6等TeGe基相变光盘材料的快速晶化机理。指出在TeGe基材料中加适量的氧能充分改善晶化速率。

相变光盘信息记录过程的热模拟计算

基于多层模结构的瞬态热传导过程的有限差分解法,开发了用于模拟相变光盘静态信息记录过程的计算机程序HSS,并用它计算了相变光盘静态信息记录过程的温度场分布。

相变光盘膜系计算和设计

本文提出一种计算相变型光盘膜系光学特性的方法.并以TeSbSe光记录介质为例,讨论了三层膜相变光盘的优化设计.