功能-结构一体化NiCr/NiSi薄膜热电偶的制备

采用多层薄膜结构制备了NiCr/NiSi薄膜热电偶,该薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层、Al_O_3热氧化层、Al_O_3绝缘层、NiCr/NiSi薄膜热电偶层以及Al_O_3保护层构成。主要研究了热电偶层薄膜厚度和时效处理对热电偶性能的影响以及温度对Al_O_3绝缘层绝缘性的影响。静态标定结果表明,热电偶层厚度对NiCr/NiSi薄膜热电偶性能几乎没有影响。时效处理可显著提高NiCr/NiSi薄膜热电偶的热电性能和相对灵敏度。所制备的NiCr/NiSi薄膜热电偶的Seebeck系数达到37μV/K,最大相对灵敏度达到0.9左右。Al_O_3绝缘层在垂直方向的绝缘性随温度的升高而降低,在室温至300℃范围内,Al_O_3绝缘层在垂直方向的绝缘电阻大于100 MΩ,当温度升高到900℃时,Al_O_3绝缘层在垂直方向的绝缘电阻下降为16 kΩ。

基于STM32数字电桥的设计制作

本文设计并制作了一款成本低廉、精度较高的 LCR 数字电桥,该数字电桥可以实现电感、电容及电阻的测量。该数字电桥以 ST 公司的 STM32F072 微控制器为基础,完成信号的产生、采样、运算及最终测量结果显示,其模拟电路部分以通用运算放大器 TL082 及 模拟开关 HEF4052 完成信号滤波、切换、运算、放大等处理。结果表明,该数字电桥组成简单、测试范围较宽、成本低廉、精度优于 0.3%, 满足基本测试需求。

PIN二极管的组成原理及其应用

本文讲述了PIN二极管的组成、原理及其在射频电路中的主要应用。分析了PIN二极管截面积、本征层厚度、载流子寿命等参数对不同偏置状态下二极管等效模型的影响。以此为基础分析了PIN二极管在用作电调衰减器、射频开关、移相器、限幅器、倍频器电路时的工作状态及工艺参数对电路性能的影响。举例说明了PIN二极管在几种应用中的典型电路及优缺点,对利用PIN二极管进行时二极管的选型和电路设计有很好的指导意义。

尽职责·倾真情·善用兵——记安徽省宿县地委书记耿光宽情系武装创新业

安徽省宿县地区是革命老区。在这块“金戈铁马、鼓角争鸣”的古战场上,留下了“陈胜、吴广起义”刀光剑影的厮杀,楚汉相争的“垓下之战”,“淮海战役”的炮火硝烟,迎来新中国诞生的曙光。在改革开放新的历史时期,宿县地委书记耿光宽,又在这块热土上谱写了一曲曲爱武建业的新乐章。