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题名SWNT随机网络TFT输出特性的仿真及实验验证
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作者
王佐奉
王莎
郭奥
胡少坚
忻佩胜
石艳玲
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机构
华东师范大学信息科学技术学院
上海集成电路研发中心有限公司
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2016年第3期146-150,182,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61574056)
上海市自然科学基金资助项目(14ZR1412000)
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文摘
为了准确表征单壁碳纳米管(SWNT)随机网络薄膜晶体管(TFT)的输出特性,采用蒙特卡罗方法实现对沟道区域SWNT随机分布情况的仿真,并且通过在弹道输运模型中引入与栅压相关的拟合参数α(Vg)拟合碳管间、碳管与金属电极间接触的影响,最终获得SWNT随机网络TFT输出特性的仿真结果。实验中,以溶液浸泡法制备SWNT薄膜作为TFT沟道材料,以与传统工艺兼容的淀积、刻蚀等步骤制备了TFT,并进行了器件输出特性的测试。实验验证表明,沟道宽度为50μm、长度为10μm TFT的输出特性测试数据与仿真拟合的误差仅为5.6%。此仿真方法能较准确地描写SWNT随机网络TFT的输出特性,通过对蒙特卡罗仿真参数的调整,能预测薄膜晶体管跨导随几何尺寸的变化。
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关键词
薄膜晶体管(TFT)
蒙特卡罗方法
输出特性
随机网络
单壁碳纳米管(SWNT)
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Keywords
thin-film transistor(TFT)
Monte Carlo method
output characteristic
random network
single-wall carbon nanotube(SWNT)
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分类号
TN321.5
[电子电信—物理电子学]
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
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