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双波段峰值可调PdO/n-Si/PdO异质结光电探测器
1
作者
吴燕
邢佳乐
王全优
《现代信息科技》
2022年第16期54-57,共4页
通过聚苯乙烯小球模板法在硅片上制备倒金字塔微结构,并在硅片边沿制备下沉台阶,后在硅片上表面及下沉台阶上沉积Pd膜,使用氧化法获得PdO薄膜,构建PdO/n-Si/PdO光电探测器。该光电探测器在紫外-可见光区和近红外光区均具有明显的响应峰...
通过聚苯乙烯小球模板法在硅片上制备倒金字塔微结构,并在硅片边沿制备下沉台阶,后在硅片上表面及下沉台阶上沉积Pd膜,使用氧化法获得PdO薄膜,构建PdO/n-Si/PdO光电探测器。该光电探测器在紫外-可见光区和近红外光区均具有明显的响应峰,探测峰的峰值波长随着下沉台阶的高度或工作偏压发生移动。理论模拟结果显示探测器的光谱特性可调主要是利用下沉台阶和工作偏压来改变PdO/n-Si/PdO异质结中两个背靠背PN结的所在位置的光场分布及空间电荷区实现的。
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关键词
双波段
异质结
SI
PBO
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职称材料
题名
双波段峰值可调PdO/n-Si/PdO异质结光电探测器
1
作者
吴燕
邢佳乐
王全优
机构
合肥工业大学
出处
《现代信息科技》
2022年第16期54-57,共4页
基金
国家自然科学基金(61106010)。
文摘
通过聚苯乙烯小球模板法在硅片上制备倒金字塔微结构,并在硅片边沿制备下沉台阶,后在硅片上表面及下沉台阶上沉积Pd膜,使用氧化法获得PdO薄膜,构建PdO/n-Si/PdO光电探测器。该光电探测器在紫外-可见光区和近红外光区均具有明显的响应峰,探测峰的峰值波长随着下沉台阶的高度或工作偏压发生移动。理论模拟结果显示探测器的光谱特性可调主要是利用下沉台阶和工作偏压来改变PdO/n-Si/PdO异质结中两个背靠背PN结的所在位置的光场分布及空间电荷区实现的。
关键词
双波段
异质结
SI
PBO
Keywords
dual band
heterojunction
Si
PdO
分类号
TN15 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双波段峰值可调PdO/n-Si/PdO异质结光电探测器
吴燕
邢佳乐
王全优
《现代信息科技》
2022
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