双靶反应溅射Ti-B-N复合膜的研制

采用基片架旋转的多靶磁控溅射仪，通过六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）和Ｔｉ靶反应溅射制备Ｔｉ－Ｂ－Ｎ复合薄膜，并用ＡＥＳ、ＸＲＤ和ＴＥＭ等方法研究了薄膜的微结构．结果表明，室温下沉积薄膜均呈非晶态，经过４００°Ｃ热处理薄膜晶化．基片加热为４００°Ｃ沉积的薄膜则已晶化，ＴＥＭ分析确定薄膜结构为ＴｉＮ结构．显微硬度表征发现，室温沉积Ｔｉ与ｈ－ＢＮ的原子数约为２∶１时的薄膜达到最高硬度ＨＫ２６００．

梯度过渡涂层的制备

本文采用多靶磁控溅射技术制备ＴｉＣ／Ａｌ界面梯度过渡层，过渡层由ＴｉＣ和Ａｌ的成分梯度变化组成，其成分由Ａｌ基体侧平缓过渡到ＴｉＣ涂层侧。梯度过渡层的成分变化经ＡＥＳ测定，并用光学金相显微镜观察了涂层形貌。实验结果表明，当梯度层厚度大于某临界值后。

Cu－TiC纳米晶复合薄膜的研究

本文采用多靶磁控溅射技术，通过分别控制Ｃｕ和ＴｉＣ靶的溅射功率制取了不同ＴｉＣ含量的复合薄膜，采用ＸＲＤ、ＸＰＳ和ＴＥＭ技术分析了薄膜的组织结构，并测定了薄膜的硬度和电阻率。研究结果表明：随ＴｉＣ含量的增加，Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜的晶粒逐步细化，直至形成纳米晶，与此相应，薄膜的硬度提高，导电性降低。

基片温度对 Cu-TiC 复合薄膜的影响

研究了基片温度对Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜的影响．Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜采用多靶磁控溅射仪制备．测定了薄膜的显微硬度及电阻率，并利用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＤＡＸ和ＴＥＭ研究了薄膜结构．结果表明，随基片温度的提高，Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜中ＴｉＣ含量增加，Ｃｕ和ＴｉＣ的晶化逐步完善．特别是薄膜的电阻率受基片温度影响显著，当基片温度为３００℃时薄膜的电阻率达到极小值。

沉积温度对Ti-B-N复合薄膜微结构及力学性能的影响

采用多靶轮流溅射技术，用Ｔｉ和六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）反应合成了Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜，采用ＸＲＤ、ＴＥＭ和显微硬度计研究了薄膜的微结构及其力学性能。结果表明，室温下沉积的Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜为非晶体的Ｔｉ（Ｎ，Ｂ）化合物，其硬度达到ＨＫ２４７０；高温下沉积的薄膜为ＴｉＮ结构类型的Ｔｉ（Ｎ，Ｂ）晶体，薄膜在晶化后硬度略有降低。

非晶态Ti-B-N薄膜的制备及晶化研究

采用双靶轮流溅射技术，以Ｔｉ和六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）反应合成Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜，并采用ＸＲＤ、ＴＥＭ和显微硬度计研究薄膜的微结构及其力学性能。结果表明，镀态Ｔｉ－Ｂ－Ｎ薄膜为非晶体Ｔｉ（Ｎ，Ｂ）化合物，其硬度达到ＨＫ２４７０；薄膜经过热处理晶化形成ＴｉＮ结构类型的Ｔｉ（Ｎ，Ｂ）晶体，硬度略有降低。

SiC_P混杂对C／Al浸渍成型复合材料性能的影响

碳纤维经混杂ＳｉＣ_ｐ后用压力浸渍成型方法制备成Ｃ／Ａｌ复合材料，分析混杂的ＳｉＣ_ｐ对Ｃ／Ａｌ复合材料力学性能的影响。测试了制备成的复合材料性能，并用ＳＥＭ对复合材料断面组织与断口形态进行分析。结果表明，混杂的ＳｉＣ_ｐ可以分隔纤维，有利浸渍，使纤维分布均匀从而提高了复合材料的性能，而用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法涂复ＳｉＣ层并混杂ＳｉＣ_ｐ可获得最佳的性能。

Ti－B－N超硬薄膜结构的能量过滤电子衍射分析

Ｔｉ－Ｂ－Ｎ超硬薄膜结构的能量过滤电子衍射分析王永瑞李戈杨＊王公耀＊王纪文李鹏兴＊（上海交通大学材料科学系，＊金属基复合材料国家重点实验室，上海２０００３０）超硬膜是指硬度远高于钢铁且牢固地镀在工模具上能明显地提高耐磨性的膜，如ＴｉＮ、ＴｉＣ、ｃ－Ｂ...