FinFET芯片TEM样品制备及避免窗帘效应方法

制备高质量纳米尺度芯片透射电子显微镜(TEM)样品对于探索半导体器件结构设计、材料分布与芯片性能之间的关系具有重要的意义。使用聚焦离子束(FIB)/扫描电子显微镜(SEM)双束系统制备14 nm鳍式场效应晶体管(FinFET)截面TEM样品,制备过程中从技术角度提出了两种自下而上制样方案来抑制窗帘效应。为扩大样品的可表征视场范围,在避免样品弯曲的前提下,提出了一种薄片提取方法。结果表明,离子束流越大,窗帘效应越严重,自下而上方法能有效规避窗帘效应;离子束电压30 kV时采用清洗截面(CCS)模式、5 kV/2 kV时采用矩形模式,样品台倾斜补偿角度为1.5°~3.5°,进行交叉减薄,且最终铣削长度控制在1μm时减薄效果最好;新的薄片提取方法改变了样品的铣削方向,在避免窗帘效应破坏感兴趣结构和样品弯曲的前提下,将样品的可表征视场范围扩大了5倍。研究结果对优化TEM样品制备方法以及芯片失效分析提供了参考。

海藻酸钠溶液对阳离子聚丙烯酰胺膜污染的清洗性能研究

使用不同浓度的海藻酸钠溶液在碱性环境下对阳离子聚丙烯酰胺(CPAM)污染膜进行清洗,测量清洗前后膜的纯水通量及孔径变化,探讨海藻酸钠对CPAM污染膜的清洗流程与清洗效果.结果表明,使用质量分数为0.05%~0.70%氢氧化钠与0.03%~0.09%海藻酸钠共混溶液对膜进行清洗,可以有效地恢复膜的纯水通量,但是直接清洗会导致膜孔径变大,膜表皮受损;而在过滤前将膜预先浸泡在质量分数为0.05%~0.10%可溶性阴离子聚合物海藻酸钠溶液中,可在膜表面形成海藻酸钠预保护层,在其过滤CPAM污水受到污染后,再采用碱性海藻酸钠溶液清洗2~3 h,就可在膜表面形成由海藻酸钠预保护层-CPAM污染层-海藻酸钠清洗层构成的可溶性的"三明治"型聚集体,在保护膜结构和过滤孔径基本不变的基础上实现清洗效果,且多次重复清洗的膜仍具有良好的过滤性能.

单质铜颗粒掺杂的氧化亚铜复合薄膜制备及物性研究

本文采用脉冲激光沉积法成功制备出,Cu2O:Cu复合薄膜,Cu2O薄膜。结果表明在600℃时易获得纯Cu2O薄膜,当温度升高到700℃时,会有铜单质的出现,并通过X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM),扫描电子显微镜(SEM),探究了薄膜的生长取向和表面形貌,在STO (001)基底上,Cu2O生长取向为(002),Cu为(022)。同时利用透射电子显微镜测试了薄膜的微结构,但由于Cu颗粒或团簇尺寸太小,并不能直接被观察到。薄膜的光吸收测试表明,这种颗粒掺杂的复合薄膜较纯Cu2O薄膜,在部分波段具有更高的吸收系数。

GC-MS/MS法测定沉积物和生物样品中邻苯二甲酸酯

采用固相萃取(SPE)和QuEChERS技术结合气相色谱-串联质谱(GC-MS/MS)技术,建立了养殖海域沉积物和生物样品中16种邻苯二甲酸酯(PAEs)定量分析方法。沉积物样品以二氯甲烷为提取溶剂,经PSA-Silica固相萃取柱净化,生物样品以乙腈为提取溶剂,经150.0 mg N-丙基乙二胺(PSA)、150.0 mg C18和150.0 mg石墨化碳黑(GCB)净化,在多反应监测模式(MRM)下进行定量分析。结果表明,16种PAEs在质量浓度0.5~300μg/L范围内具有较好的线性相关性(R^(2)>0.9990);沉积物样品中PAEs检出限(LODs)在0.10~1.54μg/kg之间,在10.0,20.0,50.0μg/L 3个添加浓度下的平均回收率为70.1%~110.2%,相对标准偏差(RSD)为2.9%~7.9%;生物样品中PAEs的LODs在0.23~0.96μg/kg范围内,在10.0,20.0,50.0μg/L 3个添加浓度下的平均回收率为71.8%~107.4%,RSD为2.6%~9.1%。方法适用于海洋环境中沉积物和生物中PAEs残留的监测。