离子注入掺杂热再分布的理论分析

本文对离子注入搀杂杂质分布的热再分布过程提出了两种分析手段。其一是已知热再分布的具体过程,通过求解扩散方程得到了杂质最终分布的解析解;其二是已知热再分布最终杂质分布的某个边界条件,本文提出了有效杂质总量守恒模型,并采用牛顿-拉夫逊,或蒙特卡罗计算机数值方法,可求得最终的杂质分布。文中最后给出了CMOS工艺中离子注入P阱的计算结果。

离子注入掺杂热再分布的分析计算

本文对离子注入杂质的热再分布过程提出了两种分析手段:其一是已知热再分布的工艺条件,求解扩散方程得到最终杂质分布的解析结果;其二是已知再分布后杂质分布的边界条件,采用牛顿—拉夫逊,蒙特卡罗计算方法,求得最终杂质浓度分布;并给出了CMOS 集成电路中离子注入p 阱的计算结果.