CO_2激光CVD制备纳米硅粉

本文分析了激光诱导化学气相沉积制备纳米材料的基本原理，获得了适宜的制备工艺参数，制得了三种粒径的硅粉样品（１５ｕｍ，２５ｕｍ，８０ｕｍ）。讨论了制备工艺参数与粉末特征的关系。

纳米材料的制备研究及其发展动态

纳米材料具有传统材料所没有的许多崭新特性，已成为当今材料科学和凝聚态物理研究的前沿热点领城，本文介绍了纳米材料研究发展的历史概况；综述了纳米材料的制备方法，按反应性质分为物理法、化学法和综合法３大类；介绍了目前已采用的纳米位子制备方法的特点和适用范围；展望了纳米材料研究的发展动向。

理想化学计量纳米氮化硅的制备

本文研究了激光诱导化学气相沉积纳米氮化硅的制备工艺过程，提出了减少游离硅的措施，利用光学二步激励法制备得到了理想化学计量的高纯纳米氮化硅粉末，其Ｎ／Ｓｉ比高达１．３２１；非常接近于理想值４／３（１．３３３）．

激光合成硅粉中的分形结构

本文对激光合成硅粉过程中出现的分形现象进行了分析，计算了其分维。

激光诱导化学气相沉积纳米硅的红外光谱

对激光化学气相沉积纳米硅的红外光谱进行了研究，结合红外光声光谱考察了退火处理对其红外光谱吸收峰位置的影响，对纳米硅的红外吸收峰进行了标识和讨论。

激光合成纳米硅的红外光声光谱

利用光声技术对激光气相沉积的纳米硅进行了红外光声光谱的研究，考察了红外光声谱随退火处理和外加压力的变化行为，给出了纳米硅红外吸收峰的指认和解释，讨论了固态效应对吸收峰位置的影响．

制备参数和退火对激光诱导化学汽相沉积合成纳米硅的粒径和红外光谱的影响

用激光诱导化学汽相沉积 (LICVD)法制备纳米硅 ,发现 :激光强度存在低限阈值 ,SiH4的流速存在着高限阈值 ,二者正相关 ,以维持SiH4 裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀 ,应加大激光强度 ,并相应加快SiH4 的流速 ,以提高纳米硅粒的成核率 ,减少每一个纳米硅核所吸收的硅原子数 ,并缩短每一个纳米硅核的生长期。纳米硅制取后退火脱H ,纳米硅的红外吸收光谱发生变化 :4条特征吸收带的位置、强度和形状各有改变。这是因为纳米硅的表面积很大 ,表面氧化使组态改变。为了减轻这样的氧化 ,纳米硅应在Ar气氛中而不是在空气中退火 ,并且开始退火的温度低于 30 0℃。

ECR-PECVD制备Si_3N_4薄膜的光学特性研究

本文研究了ECR－PECVD制备的Si3N4薄膜的光学特性．得到的Si3N4薄膜具有光致发光效应，在280℃沉积制备的Si3N4薄膜的光致发光波长为400nm，具有较好的单色性．测试分析了Si3N4薄膜对可见光、红外光具有较高的透射性能，Si3N4薄膜可作为红外光的增速减反射膜．

ECR-PECVD制备UHF大功率管浅结芯片中Si_3N_4钝化膜的应用研究

利用ECR－PECVD技术将Si3N4薄膜成功地应用于UHF大功率晶体管浅结芯片中的钝化膜，使芯片电特性有较好改善，完全避免了芯片后加工工序中划伤造成的芯片报废现象，提高了成品率，分析了Si3N4膜的钝化机理。

用连续波CO_2激光对氮化硅陶瓷打孔的实验研究

报导用连续波ＣＯ_２激光加工机对氮化硅陶瓷的激光打孔试验，获得了深径比达１８．７５的结果．

光子学、光子技术及光子产业

光子学是研究以光子作为信息载体和能量载体的科学。光子学和光子技术在信息、能源、材料、生命与环境等科学技术中的应用必将促进光子产业的迅猛发展。本文论述光子学、光子技术及光子产业的内容、现状和发展前景，提出我们在本世纪末和下世纪初的发展方向。

纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变

在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法，研究了粒径为１５～１８ｎｍ和８０ｎｍ的纳米晶Ｓｉ在室温下、２４ＧＰａ内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明。

激光诱导化学气相沉积法制备纳米晶硅的制备参数和退火工艺的研究

用CO2 红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大 ,则SiH4受热温度越高 ,纳米Si的成核率越高 ,纳米Si核的密度越大 ,每一个核生长所吸收的Si原子数目越少 ,从而所得的纳米Si粒小而均匀。当激光强度减小到一个低限阈值 ,则SiH4温度太低 ,不能裂解。SiH4的流速越快 ,则纳米Si成核后生长期越短 ,纳米Si粒也小而均匀。当SiH4流速快到一个高限阈值 ,则SiH4受热时间太短 ,升不到裂解所需的高温。以上 2个产生纳米Si的阈值正相关。纳米Si制取后退火脱H ,344 0cm-1光谱带红移并增强 ,2 15 0cm-1光谱带形状变化 ,110 0cm-1光谱带由低频处蓝移而来并展宽。这都表明含O键在纳米Si很大的表面上出现。为了减轻含O键出现 ,纳米Si应在Ar气氛中而不是在空气中 ,从低于 30

退火处理对激光诱导化学气相沉积制备纳米硅红外光谱的影响

研究激光诱导化学相沉积（ＬＩＣＶＤ）法制备纳米硅粒子的工艺过程，分析了影响纳米硅形成及尺寸的主要工艺参数，获得了最佳的工艺条件并讨论了退火处理对纳米硅红外光谱各吸收峰的强度。

氮化硅薄膜表面平整度特性分析

本文分析了ＥＣＲＰＥＣＶＤ制备的Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面平整度特性，随着基片沉积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面平整度变好，该膜具有良好的透光性；

eTOM——电信运营业务流程国际规范

缒着信息时代的到来．我国各行各业都面临着诸多机遇与挑战，党和政府适时地提出“以信息化带动工业化，发挥后发优势，实现社会生产力的跨越式发展”的伟大战略决策。在近几年的信息化建设中，一些企业在企业信息化建设方面的投入较大，但收效甚微。原因之一在于：缺乏统一的信息化框架、标准和规范。在我国电子商务、电子政务全面发展之际，此框架、标准和规范就显得尤为重要，只有按照统一的框架、标准和规范，才可能避免重复建设、实现信息共享。

纳米结构硅研究的发展动态

本文综合归类了目前制备纳米结构硅的主要方法：等离子体化学气相沉积．激光诱导化学气相沉积和热蒸发法（制纳米晶硅）及电化学腐蚀法（制多孔硅），给出各种方法的典型参数及其对纳米硅结构的影响，分析了纳米硅结构特征，比较分析了各种方法制备的纳米硅的光学性能，如光学能隙Ｅｏｐｔｇ，光致／电致发光谱峰位波长、半高宽及影响因素等，并对纳米硅研究的发展前景进行展望．

广东省电信公司机关局域网升级扩容介绍

本文分析了广东省电信公司机关原有局域网网络状况和主要问题,介绍了网络改造后的网络结构和配置,以及在网络升级工程中如何保证新旧网络的平稳割接,总结了一些关键问题的处理经验。