氮掺杂氧化锌薄膜的光电特性

采用气体反应电子束蒸发法，氨气氛下在玻璃上沉积了氮掺杂氧化锌（ZnO）薄膜。AFM观察发现氨气氛下生长的氮掺杂氧化锌薄膜表面比未掺杂样品的粗糙度略高，且随氨气压的增加粗糙度也随之增加，这可能与氨气氛对ZnO生长表面的轻微腐蚀作用有关，但表面依然比较平整。XRD分析显示，（0002）衍射峰位没有发生移动，但是氮掺杂后衍射峰的线宽比未掺杂样品稍有增加，衍射峰的半峰全宽由非掺杂ZnO的0．261°增加到0．427°。氧化锌掺氮后电阻率提高了4-7个数量级，达到了降低ZnO中电子浓度的目的。

全自动自复保险组焊机的研制

全自动自复保险组焊机是自复保险丝生产工艺线上的关键设备 ,它主要完成引线成形并粘编、芯片组装、热风焊接、引线切开、纸带定长切断等功能。

培养历史创新思维能力的思考

美国的历史科国家标准中,历史创新思维能力被视为是最主要的教学目标。在我国,对历史创新思维能力的界定是使学生能够评价,解释历史的记录,并根据历史对当代生活提出正确的看法。在实施素质教育的今天,应加强历史科研意识,培养学生历史创新意识和思维能力。创新教育背景下的历史教育教学的总体目标就是要教会学生学习历史的方法和思考历史问题的方法,以培养学生的分析、归纳、概括、比较等能力和健全的人格。摆脱"应试教育"观念的束缚是时代赋予的历史使命。

Optical and electrical properties of N-doped ZnO and fabrication of thin-film transistors

Using NH3 as nitrogen source gas, N-doped ZnO （ZnO：N） thin films in c-axis orientation were deposited on glass substrates by radio frequency magnetron sputtering at room temperature. The ZnO：N thin films display significant increase of resistivity and decrease of photoluminescence intensity. As-grown ZnO：N material was used as active channel layer and Si3N4 was used as gate insulator to fabricate thin-film transistor. The fabricated devices on glasses demonstrate typical field effect transistor characteristics.