高温退火对反应溅射制备的a-SiC:H薄膜结构的影响

通过红外透射谱、拉曼散射谱和X射线衍射谱的测量，研究了反应溅射制备的氢化非晶硅碳膜（SP-a-SiC：H）高温退人处理后的结构变化。发现在等时退火的情况下，退火温度对薄膜结构影响明显，H原子的逸出温度与键合有关，H从CHn中逸出要比从SiHn键中追出需要更高的温度，样品经800℃退火后。

有色金属在工业自动化的应用

自动化技术目前已经有了较好的发展,被广泛应用于各个方面。尤其在当代快节奏的社会,要想人们的生活更加便捷高效,社会的发展更加良好,就要合理的利用自动化技术。本文研究的是有色金属在工业自动化的应用,从有色金属为突破口,找到工业自动化更优化的设计制造方案。

石墨炔修饰的ZnO薄膜紫外探测器

制备了石墨炔修饰的金属-半导体-金属结构的ZnO紫外探测器,研究了不同旋涂次数的石墨炔修饰对探测器性能的影响。实验结果表明,石墨炔修饰的探测器比未修饰器件的光电流提高4倍,暗电流降低2个数量级,同时探测器的响应度和探测率也明显提高,其中旋涂2次的石墨炔修饰的器件特性为最优。在10 V偏压下,旋涂2次的石墨炔修饰的探测器响应度高达1759 A·W^(-1),探测率高达4.23×10^(15) Jones,这是迄今为止报导过的溶胶-凝胶法制备的ZnO紫外探测器的最高值。经过对探测器各项性能的测试分析可知,石墨炔修饰的ZnO探测器性能的提高归因于石墨炔良好的空穴传输特性。暗环境下ZnO与石墨炔界面处形成p-n结,使探测器的暗电流大幅降低;光照条件下光生空穴在石墨炔中聚集,减少了电子空穴对的复合,有效提高了器件的光电流。由于石墨炔修饰减少了ZnO表面的氧分子吸附和解吸附过程,器件的响应速度也明显加快。

Structure and Photoluminescence of InGaAs Quantum Dots Formed on an InA1As Wetting Layer

We have developed a nev self-assembled quantum dot system where InGaAs dots are formed on an InAlAs wetting layer and embedded in the GaAs matrix. The structure is realized by special sample designation and demonstrated by low-temperature photoluminescence measurements. In contrast to the traditional InAs/GaAs quantum dots dominated by the ensemble effect, the temperature dependence of the photoluminescence of such a quantum dot structure behaves as decoupled quantum dots. This can be attributed to the enhanced potential confinement for the dots provided by a higher-energy barrier in the wetting layer。

GaAs(311)A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性

报道了 Ｇａ Ａｓ （３１１） Ａ 衬底上的自组装 Ｉｎ Ａｓ 量子点的结构和光学特性．原子力显微镜结果表明（３１１） Ａ Ｇａ Ａｓ 衬底上的 Ｉｎ Ａｓ 量子点呈箭头状，箭头方向沿［２３３］ 方向．实验发现，量子点的光致发光（ Ｐ Ｌ） 强度、峰位、半高宽都与测量温度密切相关．随着温度的升高，量子点的发光强度减小，峰位快速红移，半高宽单调下降．可以认为这是由于载流子先被热激活到浸润层势垒后再被俘获到能量较低的量子点中进行复合造成的，这一模型圆满解释了我们的实验结果．

埋入SiO_2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光

1990年英国人Canham报道的多孔硅室温可见光致发光,显示了Si材料在光电子技术方面的潜力,这为全Si光电子电路的实现带来了曙光,使人们受到了极大鼓舞.近几年人们对多孔Si的研究已经非常深入,尽管目前还没有统一的模型能解释全部实验结果,但是可以肯定的是,从扫描隧道电镜观察到多孔Si是具有2～5nm尺寸的纳米微粒,这种低维的纳米微粒是获得可见光发射的主要原因.目前多孔Si多用湿法制备,性能不稳定,电接触方面存在困难,严重限制了它的应用.因此,探索制备有纳米结构的Si及Si基合金以获得强的可见光发射,具有极重要的意义.

杂化钙钛矿太阳能电池中缺陷与界面钝化层的研究进展

近年来,有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池因其优异的光电转换效率和低廉的制备成本引起了科研工作者的广泛关注,但钙钛矿薄膜中出现的大量缺陷严重制约了电池性能与工作稳定性的进一步提升.本文一方面总结了钙钛矿晶体中各类缺陷的形成过程与物理性质,并分析了各类缺陷对太阳能电池工作的影响;另一方面从界面钝化层出发,综述了以Lewis酸、Lewis碱、有机胺与铵盐、聚合物、金属氧化物、三维钙钛矿、石墨烯和无机盐等材料作为界面钝化层的钝化机制与钝化效果.通过对现有研究成果的分析,总结出有效的界面钝化思路与策略,为钙钛矿太阳能电池界面钝化领域的工作提供一定的参考.