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金刚石涂层刀具研究进展 被引量:2
1
作者 王和照 于启勋 解丽静 《工具技术》 北大核心 1997年第12期3-6,共4页
金刚石涂层刀具作为一种新型刀具,其使用范围不断扩大,市场前景良好。本文介绍了金刚石涂层刀具在国内外的研究动态及进展情况。
关键词 金刚石薄膜 涂层刀具 金刚石刀具 化学气相沉积
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金刚石薄膜的人工合成及其结合力的评估 被引量:10
2
作者 王和照 张建军 《微细加工技术》 1994年第2期58-62,共5页
在硬质合金WC—Co基体上,用热丝CVD法,人工合成出金刚石薄膜。利用X衍射、激光拉曼光谱和扫描电镜对金刚石薄膜的结构进行了测定,结果是令人满意的。精确测量金刚石薄膜与基体间的结合力是很困难的。本文报导了金刚石薄膜涂... 在硬质合金WC—Co基体上,用热丝CVD法,人工合成出金刚石薄膜。利用X衍射、激光拉曼光谱和扫描电镜对金刚石薄膜的结构进行了测定,结果是令人满意的。精确测量金刚石薄膜与基体间的结合力是很困难的。本文报导了金刚石薄膜涂层刀具的实际切削结果,并以此来评估该涂层与基体间的结合力。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 WC-CO硬质合金 结合力 人工合成
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金刚石薄膜的性质及其应用 被引量:1
3
作者 王和照 张建军 《新技术新工艺》 北大核心 1994年第4期27-28,共2页
本文是金刚石薄膜生长技术、生长机理和结构特性检测的最后一篇,在该文中读者看到这种超硬新材料的众多的优异特性及其广泛的应用前景。
关键词 金刚石 薄膜 性质 应用
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金刚石涂层刀具的切削性能 被引量:3
4
作者 王和照 张庆远 《工具技术》 北大核心 1996年第10期28-30,共3页
用扫描电镜等方式检测金刚石镀膜的性能,并与天然金刚石的相关参数进行比较,阐明了金刚石涂层刀具的优异性能。通过对高硅铝合金零件的加工.表明金刚石涂层刀具在有色金属和非金属材料的切削加工中具有良好的使用前景。
关键词 金刚石涂层 刀具 切削性能
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金刚石薄膜涂层刀具切削性能研究 被引量:6
5
作者 王和照 朱万玉 张庆远 《微细加工技术》 1997年第3期70-74,共5页
金刚石涂层具有与天然金刚石相同的优异特性:高硬度,低摩擦系数,高耐磨和高导热性能。金刚石涂层刀具用于车削,进而用于铣削和间断切削,特别适用于现代高速干切削加工,从而提高生产率。本文介绍金刚石涂层刀具研究现状以及笔者进... 金刚石涂层具有与天然金刚石相同的优异特性:高硬度,低摩擦系数,高耐磨和高导热性能。金刚石涂层刀具用于车削,进而用于铣削和间断切削,特别适用于现代高速干切削加工,从而提高生产率。本文介绍金刚石涂层刀具研究现状以及笔者进行切削试验的结果。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 涂层 刀具
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金刚石薄膜低压生长技术 被引量:2
6
作者 王和照 《新技术新工艺》 北大核心 1994年第2期21-22,共2页
金刚石薄膜是一种高新超硬材料,它集机、电、光、声、热众多优异特性于一身,它是国内外科学最为热门的研究课题。本文作者结合自己多年的研究工作,就金刚石薄膜的生长(合成)技术、生长机理与结构检测,以及特性与应用,分几篇作一... 金刚石薄膜是一种高新超硬材料,它集机、电、光、声、热众多优异特性于一身,它是国内外科学最为热门的研究课题。本文作者结合自己多年的研究工作,就金刚石薄膜的生长(合成)技术、生长机理与结构检测,以及特性与应用,分几篇作一较为系统的评述。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 低压生长 薄膜生长
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金刚石薄膜与WC─Co结合力的研究 被引量:1
7
作者 王和照 《微细加工技术》 1994年第4期76-79,共4页
对于金刚石薄膜涂层刀具来说,其薄膜涂层与衬底材料之间的结合力是一个十分重要的参数。本文就金刚石薄膜与硬质合金衬底间结合力的测量进行了报导。
关键词 金刚石薄膜 结合力 钴硬质合金 化学气相沉积
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在硅和硬质合金基体上金刚石薄膜生长研究
8
作者 王和照 王建华 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 1994年第4期246-249,共4页
在硅和硬质合金基体上,用热丝CVD法生长出金刚石薄膜。利用X衍射、拉曼谱和扫描电镜对金刚石薄膜的结构形貌进行了检测,并与天然金刚石对比分析。
关键词 金刚石薄膜 DF材料 硬质合金 热丝CVD法
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P-型金刚石半导体制备及其性能研究
9
作者 王和照 姜柳笛 张建军 《微细加工技术》 1995年第2期51-55,共5页
利用热丝化学气相沉积法,以硼酸三甲酯为液态掺杂源,用H_2携带,制备出高质量的p型金刚石薄膜。经检测,其晶体结构常数与天然金刚石十分接近。对掺杂样品计算表明,硼掺杂浓度是6.5×10 ̄(19)cm ̄(-3)室温下... 利用热丝化学气相沉积法,以硼酸三甲酯为液态掺杂源,用H_2携带,制备出高质量的p型金刚石薄膜。经检测,其晶体结构常数与天然金刚石十分接近。对掺杂样品计算表明,硼掺杂浓度是6.5×10 ̄(19)cm ̄(-3)室温下空穴载流子浓度是8×10 ̄(16)cm ̄(-3),电离率为1.23/1000。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 半导体 制备 掺杂 半导体材料
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类金刚石碳膜的制备及其应用
10
作者 王和照 《新技术新工艺》 北大核心 1990年第5期2-3,共2页
类金刚石是一种新型材料,制备应用这种材料已成为国内外研究的热门课题。本文作者结合自己多年的研究工作,就这种材料的制备及其特性、结构和应用作了介绍和述评、
关键词 类金刚石 碳膜 制备 薄膜 DLC膜
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金刚石薄膜的生长机理及其结构特性检测
11
作者 王和照 《新技术新工艺》 北大核心 1994年第3期21-22,共2页
在金刚石薄膜生长技术一文中,本文作者就几种最有代表性的合成方法作了评述,并列出每种方法的合成条件和参数。本文主要是讨论生长机理和结构特性的检测与分析。
关键词 金刚石薄膜 生长机理 结构 检测
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氢化非晶碳薄膜的光致发光线型及其激发能量依赖关系
12
作者 阎珂柱 方容川 王和照 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期1-5,共5页
本文报道了氢化非晶碳薄膜在2.9—4.5eV光激发下的发光谱。它的光致发光谱是无结构的不对称宽带,半宽度约为0.8eV。在低于3.56eV的光激发下,谱带的峰值能量随激发能量的降低明显红移。在安德森带结构和指数分布的带尾态密度的基础上,考... 本文报道了氢化非晶碳薄膜在2.9—4.5eV光激发下的发光谱。它的光致发光谱是无结构的不对称宽带,半宽度约为0.8eV。在低于3.56eV的光激发下,谱带的峰值能量随激发能量的降低明显红移。在安德森带结构和指数分布的带尾态密度的基础上,考虑了尾态中粒子的两种跃迁过程,实验的PL谱就可得到解释。并用这个简单模型计算了这种材料的光致发光谱特征。 展开更多
关键词 a-c:H 薄膜物理学 光致发光谱
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