TbMn_(6-x)Co_xSn_6赝三元化合物的结构和磁性

本文研究了TbMn_(6-x)Co_xSn_6（x＝0.03，0.6，0.9，1.2和1.5）赝三元化合物的结构和磁性.结果表明：用Co部分取代TbMn6Sn6中的Mn不改变其晶体结构，但随Co含量的增加晶格常数和单胞体积单调减小;居里温度随Co含量增大而降低;自旋重取向温度也随Co含量增大而降低，但Co含量≥0.6时自旋重取向消失;Co含量≥0.9时，热磁曲线上出现补偿点旦补偿温度随Co含量增大而升高;4.5K的饱和磁化强度先随Co含量增大而减小，在x=0.6时达到极小值，而后随Co含量的继续增加而增大.

SMA树脂复合结构梁振动特性的研究

分析了预应变形状记忆合金（ Ｓ Ｍ Ａ） 丝的回复应力在其树脂复合梁振动过程中产生的回复力矩，并对这种复合有预应变 Ｓ Ｍ Ａ 丝的复合结构梁在不同温度下进行了自由衰减振动实验，结果表明梁振动的对数衰减率和 Ｓ Ｍ Ａ 的回复应力有很好的对应关系．

氢在钛晶体中扩散行为的第一性原理

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算H原子在Ti晶格中占据不同位置的体系能量。通过对体系能量变化的分析,探求H原子在Ti晶格中的扩散路径和能量势垒,分析室温下H原子在不同Ti晶体结构中的扩散行为与难易程度。结果表明:H原子在α-Ti晶格中从八面体间隙与四面体间隙共用面扩散、迁移,而在β-Ti晶格中则从两相邻四面体间隙共用面扩散、迁移。H原子在β-Ti晶格中扩散迁移所需克服的能量势垒比在α-Ti晶格中扩散迁移所需克服的能量势垒小、更容易进行扩散。在α+β钛合金中,处于β相四面体间隙中的H原子在扩散过程中将起到主导作用。

CoFe/Cu/CoFe/IrMn自旋阀结构多层膜磁化反转过程的研究

通过高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta(5nm)/Co75Fe25(5nm)/Cu(2.5nm)/Co75Fe25(5nm)/Ir20Mn80(12nm)/Ta(8nm)的顶钉扎自旋阀结构多层膜,研究了磁场循环次数、反向饱和场等待时间和磁场变化率对自旋阀结构多层膜磁化反转过程的影响。结果表明,磁场循环次数和反向饱和场等待时间对自由层的磁化反转过程没有影响,而在被钉扎层中出现了练习效应和时间效应;磁场变化率对被钉扎层和自由层的前、后支反转场的影响变化趋势相似,但反铁磁层对被钉扎层的反转有一定的影响。

不同形貌ZnO微纳米材料的熔盐控制合成

ZnO是一种具有重要应用价值的半导体材料,近年来对它的合成研究成为关注的热点。基于此,在化学分解反应与化学合成反应两种不同路线下,通过简单的熔盐反应成功获得了不同形貌的ZnO微纳米材料。用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别对产物的结构和形貌进行了表征。同时,对其形成机理进行了简单的探讨。

退火对IrMn基自旋阀结构和磁性能的影响

采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta(5nm)/Co75Fe25(5nm)/Cu(2.5nm)/Co75Fe25(5nm)/Ir20Mn80(12nm)/Ta(8nm)的顶钉扎自旋阀多层膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和振动样品磁强计(VSM)研究了退火对自旋阀的结构及磁性能的影响。结果表明:退火使得IrMn(111)织构减弱,表面/界面粗糙度在低温退火后增大,而较高温度退火后减小;退火后交换偏置场和被钉扎层矫顽力减小,而自由层矫顽力增加;退火后自旋阀多层膜交换偏置场随样品在反向饱和场下停留时间的增加而不发生变化。

金属间化合物ErFe_(12-x)Mn_x的结构和磁性

研究了Mn对金属间化合物ErFe12 -xMnx 的结构和磁性的影响 .2 0≤x≤5 0成分范围内的ErFe12 -xMnx 化合物具有单相ThMn12 型结构 .晶格常数a和c及单胞体积V随Mn成分的增加而增大 .ErFe10 Mn2 和ErFe9Mn3 化合物的热磁曲线上出现了自旋重取向转变 ,ErFe8Mn4化合物的热磁曲线上出现了补偿点 .随着Mn成分增加 ,居里温度TC 单调降低 ,过渡金属次晶格磁矩 μT 单调减小 .

退火对CoFe/IrMn双层膜结构和磁性能的影响

采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta(5nm)/Co75Fe25(5nm)/Ir20Mn80(12nm)/Ta(8nm)的双层膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和振动样品磁强计(VSM)研究了退火对双层膜的结构及磁性能的影响;并通过样品在反向饱和场下停留不同的时间,研究了退火对双层膜的磁稳定性的影响。结果表明,退火使得IrMn(111)织构减弱,表面/界面粗糙度增大,交换偏置场减小,矫顽力增加,退火降低了双层膜的磁稳定性。

锶永磁铁氧体磁瓦裂纹原因分析

采用了SEM、EDS、XRD等手段,结合锶永磁铁氧体磁瓦制备机理和生产过程,以裂纹断口和人工断口上碳元素残留情况为依据,判断锶永磁铁氧体磁瓦裂纹产生的工序,分析裂纹产生的原因,并进行相应的工艺改进。结果表明：锶永磁铁氧体磁瓦裂纹产生的原因为烧结过程升温工艺不当,致使其坯件急剧收缩,形成裂纹;通过调缓烧结时300~600℃之间的升温速率,可有效预防裂纹的产生,使其由于裂纹引起的报废率大大降低。

浅谈理工科研究生综合能力的培养

探讨了在当前建设研究型大学中导师应该如何培养理工科研究生的综合能力,为此,在研究生培养过程中导师必须注意对五大环节的把握:思想道德教育,专业课程学习,实验操作控制,科研思维及分析能力,学术交流。做到了这些,培养的研究生将来可以为国家的教育、科研和社会发展做出更多的贡献。

金属氢化物温度传感器和执行器

本文分析了金属氢化物温度传感器和执行器的温度敏感原理,介绍了几种金属氢化物温度传感器和执行器,并对其特点进行了简单概括。

Ga＋离子辐照对CoFe铁磁膜结构和磁性的影响

利用磁控溅射法制备Substrate/Seed Ta(5nm)/Co75Fe25(5nm)/CapTa(8nm)铁磁膜,通过透射电镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)和X射线衍射(XRD)等分析测试手段,研究Ga+离子辐照对CoFe磁性薄膜的矫顽力及薄膜的组织、结构的影响,利用SRIM2003软件模拟分析离子辐照后Ga、Ta等元素在CoFe薄膜中的深度分布情况。研究结果表明:采用低剂量(<1×1013ion·cm-2)的Ga+离子辐照对薄膜的矫顽力和磁性薄膜的组织、结构影响不大;随着辐照剂量的逐渐增大,磁性薄膜的矫顽力减小,晶粒变大,<111>方向的织构明显减弱;当辐照剂量>1×1015ion·cm-2时,注入到CoFe薄膜中的Ta、Ga原子及Ga+离子在与原子碰撞过程中形成空位、间隙原子等多种晶体缺陷,促进晶体向非晶体的转变。

ZrO_2和SnO_2复合掺杂对贫铁配方的MnZn铁氧体磁性能和电性能的影响

通过ZrO2与SnO2复合掺杂制备了低损耗的MnZn铁氧体材料。研究了在贫铁配方的基础上添加SnO2-ZrO2对MnZn铁氧体微观结构、电性能以及磁性能的影响。结果表明,适量的SnO2-ZrO2复合掺杂有利于促进晶粒均匀致密,明显提高了材料的电阻率,降低比损耗因子,在ζ(SnO2:ZrO2)为3:1时材料的电阻率达到最大值29.5Ωm,比损耗因子达到最小值4.8×10-6。复合掺杂还能提高材料的居里温度、饱和磁感应强度和起始磁导率,当ζ(SnO2:ZrO2)为3:1时磁性能都达到最佳。

预退火时间对Fe_(80.8)B_(10)P_8Cu_(1.2)非晶合金微结构及磁性能的影响

研究了预退火时间对Fe_(80.8)B_(10)P_8Cu_(1.2)非晶合金微结构及磁性能的影响.穆斯堡尔谱研究表明:在660 K的预退火温度下,随着预退火时间的增加,Fe原子不断富集,非晶基体中的类Fe_3B化学短程有序结构向类Fe B结构转变,并且非晶基体中Fe第一近邻壳层中Cu原子的逐渐脱离以及Fe-P配位键数量的明显减少可间接表征CuP团簇的形成过程.同时,本研究通过调节预退火时间来调控非晶基体中CuP团簇和Fe团簇的数量,促进后续退火晶化过程中α-Fe纳米晶相的析出,并细化纳米晶尺寸,从而获得综合磁性能更加优异的非晶/纳米晶软磁合金.

纳米MnZn铁氧体粉体的合成及研究进展

综述了纳米MnZn铁氧体粉体几种常见的制备方法。其中包括:高能球磨法、自蔓延燃烧高温合成法、化学共沉淀法、水热法、溶胶-凝胶法等。详细介绍各种制备方法的特点与研究进展,总结了各制备方法的优缺点。阐述了纳米MnZn铁氧体粉作为中间产物在制备某些特殊性能MnZn铁氧体产品中的应用前景,提出了未来大规模制备纳米MnZn铁氧体粉体的研究方向。

低维Bi_2Te_3热电材料的制备与性能研究

用溶剂热法制备了直径在100nm以内的一维针状及厚20～30nm、长几微米的二维花朵状Bi2Te3热电材料,分析了不同形貌产物的生长机理,并对其热电性能进行了比较。结果表明,添加剂的分子结构对产物形貌起决定性作用。不同形貌产物的热电性能随温度变化的机制不同,一维纳米结构Bi2Te3产物的功率因子随温度升高而增加,最大值为143.1μΩ·m–1K–2。而二维纳米结构的Bi2Te3产物虽然在室温附近有较大的Seebeck系数,约100μV/K,但由于其电导率较低,功率因子在较宽的温度范围内保持在23μΩ·m–1K–2左右。

退火时间对Fe_(80)Si_(9)B_(10)Cu_(1)非晶合金纳米尺度结构不均匀性和磁性能的影响

研究了经历不同时间退火后,Fe_(80)Si_(9)B_(10)Cu_(1)非晶合金结构弛豫过程中纳米尺度结构不均匀性的演变及其对合金磁性能的影响.基于小角X射线散射和原子力显微镜分析,随着弛豫的进行,合金的纳米尺度结构不均匀性逐渐衰减.结合穆斯堡尔谱分析结果,弛豫态合金综合软磁性能的提高可归因于纳米尺度结构不均匀性的减弱.从流变单元模型来看,随着弛豫程度的加深,流变单元的体积分数显著降低,部分流变单元湮灭并转化为理想弹性基体.一方面,弛豫态样品的原子结构排列更加紧密,磁交换相互作用更强,饱和磁感应强度也更高;另一方面,准位错偶极子的数量密度随着流变单元在弛豫过程中的湮灭而逐渐减小,磁畴壁的钉扎效应减弱,合金的磁各向异性下降,矫顽力降低.本文从结构不均匀性的角度研究了Fe_(80)Si_(9)B_(10)Cu_(1)非晶合金弛豫过程中磁性能变化的结构机制,有助于建立铁基非晶合金结构和磁性能之间的关联性.

预烧温度对MnZn功率铁氧体微观组织以及性能的影响

利用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体。研究了不同预烧温度下铁氧体粉料的相变及其对铁氧体结构和性能的影响。结果表明,当预烧温度升高至880℃时,粉料中生成了明显的尖晶石相Zn1-xMnxFe2O4。随着预烧温度的升高,烧结试样的密度(d)、起始磁导率(μi)、饱和磁感应强度(Bs)和电阻率(ρ)均先升高后降低,功率损耗(Pcv)先降低后升高,均在880℃预烧时达到最优点:密度、起始磁导率、饱和磁感应强度和电阻率分别达到最高值4.86g/cm3、2570、528mT和6.6?·m,功率损耗降至最低值369kW/m3。因此,在880℃下预烧的粉料活性适中,烧结后能获得均匀致密的微观组织和优良的电磁性能。

IrMn基自旋阀结构多层膜的热弛豫研究

采用磁控溅射方法制备结构为CoFe/Cu/CoFe/IrMn的自旋阀结构多层膜,研究它的热弛豫现象。实验表明,多层膜在其负饱和场中等待时,钉扎层的磁滞回线向正场方向移动,交换偏置场单调减小,并且随温度升高而加速减小。交换偏置场的减小是由反铁磁层的反转引起的,它可以看作是反铁磁磁矩越过一定能垒的热激活反转过程。温度升高后,能垒的分布发生了改变。

Y_2Fe_(17-x)Mn_x的结构和磁性

X射线衍射证实Y2Fe17-xMnx（x≤6.0）的结构与Y2Fe17相同.Y2Fe17-xMnx化合物的晶格常数、居里温度、饱和磁化强度的研究结果表明：晶格常数并非随Mn含量的增加而连续增大，而是在x=2.0处出现一最小值.居里温度由x=0的328K上升到x=0.3的342K，以后随Mn含量增加而下降.Y2Fe17-xMnx化合物的饱和磁化强度随Mn含量增加而急剧减小.