VPE生长CdS外延膜的光学性质与光学双稳态

本文报导了在透明的CaF_2衬底上采用气相外延(VPE)方法生长的高质量CdS薄膜。通过对其发射和吸收光谱以及光双稳特性的研究,表明这种外延膜的性质与体单晶相似。

用ODLTS法研究ZnSe:Ga晶体中的自激活深能级

本文用光学深能级瞬态谱(ODLTS)方法研究了ZnSe:Ga晶体中的自激活(SA)深受主能级。首次用ODLTS技术测量了ZnSe:Ga晶体中与SA中心相应的深受主能级为0.65eV。文中还研究了该深受主中心在晶体中的空间分布。

PL Mapping在SI-GaAs材料与器件性能关系研究中的应用

本文详细研究了扫描光荧光谱(PL Mapping)在半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料与器件性能关系中的应用,实验结果表明SI-GaAs单晶的 PL Mapping均匀性对器件性能有着至关重要的影响,所以在为制备器件选择优质的SI-GaAs材料时,除了电阻率、迁移率、位错密度、碳含量、EL2浓度及其均匀性外,PL Mapping也是表征材料质量的一个重要参数。

SI-GaAs晶片的PL mapping表征技术

研究了扫描光致发光光谱 (PLmapping)在表征半绝缘砷化镓 (SI GaAs)材料中的应用 ,实验结果表明SI GaAs晶片的PL强度及mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系 ,所以在为制备器件筛选优质的SI GaAS材料时 ,除了电阻率、迁移率、位错密度、碳含量、EL2浓度及其均匀性、晶片表面质量外 ,PLmapping也是表征材料质量的一个重要参数。