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空气对InAs纳米线场效应晶体管性能的影响
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作者 张昕彤 李星 +3 位作者 王小耶 付梦琦 杨涛 陈清 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期585-590,共6页
制备基于单根In As纳米线的平面场效应晶体管纳米器件,测量并研究器件在真空、空气、氮气、氧气、水汽和大气污染成分二氧化氮中的电学特性。与真空中的结果相比,空气中器件的阈值电压向正栅压方向偏移,关态电流上升,开关比下降。空气... 制备基于单根In As纳米线的平面场效应晶体管纳米器件,测量并研究器件在真空、空气、氮气、氧气、水汽和大气污染成分二氧化氮中的电学特性。与真空中的结果相比,空气中器件的阈值电压向正栅压方向偏移,关态电流上升,开关比下降。空气的主要成分氮气对器件性能没有可分辨的影响;氧气的影响很弱;水汽使关态电流上升,开关比下降,但使阈值电压向负栅压方向偏移。研究表明,大气污染成分二氧化氮使器件的阈值电压向正栅压方向偏移,开关比不变。研究结果表明,空气对器件性能的影响是水汽和二氧化氮共同作用的结果。 展开更多
关键词 InAs纳米线 纳米器件 电学特性 气敏
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