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题名铁电电容模型及其在铁电存储器中的应用
被引量:1
- 1
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作者
王岸如
汤庭鳌
程旭
汤祥云
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机构
复旦大学电子工程系
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期414-417,421,共5页
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基金
国家自然科学基金 (6 9876 0 0 8)
AM基金
国防科技预研基金项目
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文摘
近年来 ,集成铁电学 ( integrated ferroelectrics)迅速发展。铁电体是一种特殊的电介质 ,在不存在外场的情况下 ,它仍然可以保持一个自发的极化强度 .其极化方向在外电场的作用下可以发生反转 ,表现出特殊的非线性介电行为 ,即电滞回线。文章讨论了铁电电容模型的 SPICE实现。首先介绍电容模型的实现 ,然后结合 2 T- 2 C铁电存储单元的工作原理 ,验证了该模型。最后 ,给出了一个完整的 32位铁电存储器的电路仿真结果。
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关键词
集成铁电学
铁电存储器
铁电电容模型
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Keywords
Integrated ferroelectrics
Ferroelectrics
FeRAM
Ferroelectric capacitor
SPICE model
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分类号
TP333
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名一种4k位串行铁电不挥发存储器的VLSI实现
被引量:1
- 2
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作者
汤祥云
王岸如
程旭
汤庭鳌
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机构
复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期255-259,275,共6页
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基金
国家自然科学基金项目 ( 698760 0 8)
"863"项目
AM基金项目
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文摘
文章提出了一个基于 VLSI的 4k位串行铁电不挥发存储器的实现方案。该电路采用2 T- 2 C的存储单元设计 ,针对铁电电容的读出和写入的电流电压特性设计了相应的读写时序 ,给出了状态机的描述和相应的电路实现。该电路与通用的 E2 PROM 2 4 C0 4在接口、电学特性上完全兼容 ,可以在 2 4 C0 4的电路应用中直接代替之。
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关键词
铁电电容
VLSI
存储器
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Keywords
FRAM
2T 2C memory cell
Ferroelectric capacitance
VLSI
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分类号
TN304.9
[电子电信—物理电子学]
TP333
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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