浅谈如何创建“学习型”党支部

创建“学习型”党支部能够不断提升党员队伍素质，切实提高基层党建水平，促进企业的健康持续发展。

高均一性二维碲化钼忆阻器阵列及其神经形态计算应用

二维过渡金属硫化合物是构建纳米电子器件的理想材料,基于该材料体系开发用于信息存储和神经形态计算的忆阻器,受到了学术界的广泛关注。受制于低成品率和低均一性问题,二维过渡金属硫化合物忆阻器阵列鲜见报道。本研究采用化学气相沉积得到厘米级二维碲化钼薄膜,并通过湿法转移和剥离工艺制备得到碲化钼忆阻器件。该碲化钼器件表现出优异的保持性(保持时间>500 s)、快速的阻变(SET时间~60 ns,RESET时间~280 ns)和较好的循环寿命(阻变2000圈后仍可正常工作)。该器件具有高成品率(96%)、低阻变循环间差异性(SET过程为6.6%,RESET过程为5.2%)和低器件间差异性(SET过程为19.9%,RESET过程为15.6%)。本工作成功制备出基于MoTe_(2)的3×3忆阻器阵列。在此基础上,将研制的MoTe_(2)器件用于手写体识别,实现了91.3%的识别率。最后,通过对MoTe_(2)器件高低阻态的电子输运机制进行拟合分析,揭示了该器件阻变源于类金属导电细丝的通断过程。本项工作表明大尺寸二维过渡金属硫化合物在未来神经形态计算中具有巨大的应用潜力。

在SrTiO_(3)/SrRuO_(3)异质结忆阻器件中实现电阻态高保持性

忆阻器的阻变动态特性与生物突触的工作过程相似,是构建硬件人工神经网络突触器件的有力候选者之一.在人工神经网络中,尤其是对于推理过程,要求突触权重具有好的保持性.然而,许多忆阻器的电阻态随着时间的推移出现阻态漂移,特别是基于氧离子迁移的氧化物忆阻器尤为严重.在本工作中,我们研制了基于Pt/SrTiO_(3)/SrRuO_(3)异质结的忆阻器,器件表现出了非常好的保持性.通过对其电传输机制和界面微观结构的研究,发现在SrTiO_(3)/SrRuO_(3)界面形成了富含SrO的界面层,由于氧空位在该界面层迁移的势垒较高,因此该界面层可限制氧空位在外加电场撤去后的自扩散,进而提高了器件电阻态的保持性.基于可图案化的底部电极、线性电导调制和神经网络模拟的优异性能,该器件在硬件神经形态计算中具有潜在应用价值.