P波段900W脉冲功率LDMOS器件的研制

设计并制作了一种50V窄脉冲工作的P波段大功率横向扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(LDMOSFET)。在P波段、工作电压50V、工作脉宽100μs和占空比10%的工作条件下,该器件的带内输出功率大于900 W,功率增益大于18dB,漏极效率大于50%,抗驻波失配比大于5∶1,表现出了良好的性能。

C波段限幅开关集成芯片

采用GaAs p-i-n二极管单片集成工艺技术研制出C波段限幅开关集成芯片,该芯片集成了微波限幅器和单刀单掷(SPST)开关功能,尺寸仅为2.5 mm×1.0 mm。采用偏置相关S参数测试法建立可定标的p-i-n二极管器件模型,精准的器件模型保证集成芯片一次流片成功。实测结果显示,该芯片在5～6 GHz频率范围内插入损耗小于1 dB,隔离度大于50 dB,电压驻波比小于1.5∶1,开关速度小于25 ns,可承受10 W以上的连续波功率。该集成芯片在T/R组件接收通道可替代两只单一功能芯片,有较好的应用前景。

晶圆无氰电镀金厚度均匀性研究

针对晶圆正面无氰电镀金均匀性差的问题,通过分析电镀均匀性的影响因素,设计单因素对比实验,研究了晶圆挂镀无氰镀金工艺中阴极扎针个数、阴阳极距离、均匀性挡板开孔尺寸四个因素对正面镀金层厚度均匀性的影响,分析了各因素的影响机理。确定最佳工艺条件为：压四根针,阴极抖动频率为40次/分钟,均匀性挡板开孔尺寸为70cm。生产过程中镀层目标后的为4μm时,均匀性可控制在0.23m以内。