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基于虚拟点云的二阶段多模态融合网络
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作者 程腾 倪昊 +2 位作者 张强 王文冲 石琴 《汽车工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第2期222-229,共8页
针对点云的稀疏性和无序性对目标检测准确率的影响,本文提出了一种基于虚拟点云的二阶段多模态融合网络VPC-VoxelNet。首先,利用图像检测目标信息构造虚拟点云,增加点云的密集程度,从而提高目标特征的表现;其次,增加点云特征维度以区分... 针对点云的稀疏性和无序性对目标检测准确率的影响,本文提出了一种基于虚拟点云的二阶段多模态融合网络VPC-VoxelNet。首先,利用图像检测目标信息构造虚拟点云,增加点云的密集程度,从而提高目标特征的表现;其次,增加点云特征维度以区分真实和虚拟点云,并使用含置信度编码的体素,增强点云的相关性;最后,采用虚拟点云的比例系数设计损失函数,增加图像检测有监督训练,提高二阶段网络训练效率,避免二阶段端到端网络模型存在的模型误差累计问题。该目标检测网络VPC-VoxelNet在KITTI数据集上进行了测试,检测精度优于经典三维点云检测网络和某些多传感器信息融合网络,车辆检测精度达到了86.9%。 展开更多
关键词 目标检测 多模态感知 虚拟点云 损失函数
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有机-有机界面效应的原位及非原位研究
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作者 冀连连 王现鹏 +7 位作者 张莹莹 申学礼 薛娣 王璐 王滋 王文冲 黄丽珍 迟力峰 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2024年第1期30-31,共2页
有机-有机异质结构已被广泛应用于各种有机电子器件,包括有机发光二极管(OLEDs)、有机场效应晶体管(OFETs)和有机太阳能电池等。全面理解有机-有机异质结构的界面效应,对于器件的设计和性能优化具有重要意义。然而由于有机半导体具有多... 有机-有机异质结构已被广泛应用于各种有机电子器件,包括有机发光二极管(OLEDs)、有机场效应晶体管(OFETs)和有机太阳能电池等。全面理解有机-有机异质结构的界面效应,对于器件的设计和性能优化具有重要意义。然而由于有机半导体具有多样的化学特性以及分子间较弱的范德华力,界面电荷传输特性与有机-有机电子结构、环境气氛等密切相关。在此,我们报道了随着顶层半导体并五苯(pentacene)的沉积,并五苯/酞菁氧钒(VOPc)异质结构的原位实时电学性能监测。结果显示,异质结构晶体管的p型迁移率从0.4 cm2∙V−1∙s^(−1)下降至0.2 cm2∙V−1∙s^(−1),而n型迁移率从0.01 cm2∙V−1∙s^(−1)迅速增加至约0.9 cm2∙V−1∙s^(−1)。这种n型输运行为的增强归因于pentacene向VOPc的界面电子转移效应以及由此导致的VOPc层中陷阱态的填充。此外,非原位实验对比表明,当晶体管制备过程暴露于大气时会明显抑制这种界面电荷转移效应,导致沉积pentacene后n型输运几乎没有得到改善。薄膜形态、开尔文探针力显微镜(KPFM)和X射线光电子能谱(XPS)的结果表明,界面处存在从pentacene到VOPc的电子转移。进一步的密度泛函理论(DFT)计算表明,由于pentacene/VOPc之间较强的相互作用,pentacene往VOPc的电荷转移量约为0.15 e。此外,O_(2)/H2O的存在会抑制这种界面电荷转移效应,这与我们的实验结果一致。本研究通过原位电学表征对有机-有机界面之间的电荷转移效应给出了深入解释,有利于进一步的器件性能优化及界面效应分析。 展开更多
关键词 有机-有机异质结构 原位表征 电荷转移效应 有机场效应晶体管 O_(2)/H2O掺杂
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基于局部平面引导层的无监督单目红外图像深度估计
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作者 石琴 陈雅芳 +3 位作者 程腾 张强 王文冲 石本义 《汽车工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第12期2291-2298,共8页
当前无监督单目红外图像深度估计方法难以处理低纹理和低对比度区域,导致估计效果差,因此本文提出了一种基于局部平面引导层的无监督单目红外图像深度估计算法。该算法由连续视频帧输入、多尺度特征提取、ASPP和局部平面引导层、计算损... 当前无监督单目红外图像深度估计方法难以处理低纹理和低对比度区域,导致估计效果差,因此本文提出了一种基于局部平面引导层的无监督单目红外图像深度估计算法。该算法由连续视频帧输入、多尺度特征提取、ASPP和局部平面引导层、计算损失、联合训练、输出图像模块组成。首先,通过采用多个小分辨率灰度块和多尺度特征融合,解决了红外图像边缘模糊和遮挡物体等问题。其次,通过利用局部平面引导层在深度图像上引入一个平面约束,减小了深度图像中的噪声和不连续性,以及传统算法对低纹理区域处理不明显等问题。实验结果表明,所提出的深度估计算法有效提高了单目深度估计的精度并减小误差,在Iray数据集上的Abs Rel、Sq Rel、RMS、RMS(log)分别为0.262、3.621、9.473、0.332,在阈值指标小于1.25、1.252、1.253时,准确率达到了60.5%、85.2%、94.5%。 展开更多
关键词 无监督 红外图像 单目深度估计 局部平面引导层 损失函数
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AlAs氧化层的Raman研究
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作者 王文冲 贾海强 +4 位作者 陈弘 王文 李卫 黄绮 周均铭 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期193-194,214,共3页
利用 Nomarski光学显微镜和 Raman光谱仪对分子束外延生长的 Al As层热氧化进行了系统的研究。对未氧化 ,氧化及氧化加原位退火的样品分析表明 ,目前氧化热稳定性差的主要因素是随氧化进行而产生的可挥发性产物如 As、As2 O3在氧化层中... 利用 Nomarski光学显微镜和 Raman光谱仪对分子束外延生长的 Al As层热氧化进行了系统的研究。对未氧化 ,氧化及氧化加原位退火的样品分析表明 ,目前氧化热稳定性差的主要因素是随氧化进行而产生的可挥发性产物如 As、As2 O3在氧化层中的残留量。在此分析的基础上 ,优化了氧化条件 ,使 Al As氧化的热稳定性有了质的提高 ,可以经受较高温度的退火 ,并消除了氧化层与两边 Ga 展开更多
关键词 RAMAN 分子束外延 砷化铝 氧化 分子束外延 热稳定性 退火 崩裂
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GaAsSOI衬底上PHEMT器件特性演示
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作者 贾海强 陈弘 +4 位作者 王文冲 王文 李卫 黄绮 周均铭 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期238-240,共3页
利用分子束外延生长了 Ga As/Al As/Ga As夹层结构材料 ,通过侧向湿法热氧化技术 ,成功制作了Ga As SOI衬底 ,并在其上生长了 PHEMT材料结构。X射线双晶摇摆曲线分析证明材料结构完整 ,晶体质量良好。器件结果显示了优良的 I-V特性 ,零... 利用分子束外延生长了 Ga As/Al As/Ga As夹层结构材料 ,通过侧向湿法热氧化技术 ,成功制作了Ga As SOI衬底 ,并在其上生长了 PHEMT材料结构。X射线双晶摇摆曲线分析证明材料结构完整 ,晶体质量良好。器件结果显示了优良的 I-V特性 ,零偏压下漏源电流为 3 2 0 m A/mm,最大跨导为 2 5 0 m S/mm,器件具有良好的夹断性能 。 展开更多
关键词 GAAS SOI衬底 分子束外延 氧化 赝配高电子迁移率晶体管 砷化镓 侧向湿法
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智能座舱健康检测系统设计及应用
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作者 王文冲 何志宇 +3 位作者 王川宿 张强 郭同刚 李晶 《汽车零部件》 2022年第S01期97-101,共5页
随着现代生活水平越来越高,人们对健康越发关注,本文阐述了在智能座舱环境下对驾乘人员健康指标进行检测的方案,其中检测指标包含心率、呼吸、血压、血氧、心率变异特性等,考虑到现阶段检测的精度和实时性还不够高,尚不能做到千人千面... 随着现代生活水平越来越高,人们对健康越发关注,本文阐述了在智能座舱环境下对驾乘人员健康指标进行检测的方案,其中检测指标包含心率、呼吸、血压、血氧、心率变异特性等,考虑到现阶段检测的精度和实时性还不够高,尚不能做到千人千面的差异,故本方案采用结合情绪检测、属性识别、驾驶行为检测以及驾控车辆数据的融合算法,最后按阶段分等级进行应用,比如现阶段推送健康档案报告和异常提醒;下阶段可以做氛围灯、空调、音乐、eCALL等关联场景,随着远程医疗和自动驾驶的不断成熟,均可把相关场景融入进来。 展开更多
关键词 智能座舱 健康检测
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非水解溶解-凝胶法制备铬铝锌红色色料的研究 被引量:1
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作者 胡紫 吴浪 +3 位作者 张君良 王文冲 刘羽飞 冯果 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2023年第7期74-78,共5页
以无水氯化铝和无水氯化锌为铝源和锌源,以无水氯化铬为掺杂剂,采用非水解溶胶-凝胶法于850℃低温制备了铬铝锌红色色料。运用XRD、TEM、色度测试等表征手段,研究了氧供体种类、前驱体浓度和铬离子掺杂量等因素对非水解溶胶-凝胶法制备... 以无水氯化铝和无水氯化锌为铝源和锌源,以无水氯化铬为掺杂剂,采用非水解溶胶-凝胶法于850℃低温制备了铬铝锌红色色料。运用XRD、TEM、色度测试等表征手段,研究了氧供体种类、前驱体浓度和铬离子掺杂量等因素对非水解溶胶-凝胶法制备铬铝锌红色色料的影响规律。研究结果表明:优选乙醇为氧供体、前驱体浓度为1.5 mol/L、铬离子掺杂量x=0.2(Zn(Cr_xAl_(1-x))_(2)O_(4))时,制备的色料相对最优,其粒径为30~50 nm,分散性好,色度值为L~*=52.62,a=17.64,b=4.39,呈亮红色。 展开更多
关键词 非水解溶胶-凝胶法 铬铝锌红 超细色料
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掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用
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作者 尚勋忠 王文冲 +4 位作者 郭丽伟 吴曙东 牛萍娟 黄绮 周均铭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1128-1131,共4页
研究了 Al Ga As层掺 1%的 In对 Al Ga As/Ga As量子阱光致发光谱的半峰宽的影响 .2 5 K的光致发光结果表明 ,In作为表面活化剂能有效改善 Al Ga As/Ga As异质界面的粗糙度 .将此方法应用到反型 Al Ga As/Ga As高电子迁移率晶体管 (HEMT... 研究了 Al Ga As层掺 1%的 In对 Al Ga As/Ga As量子阱光致发光谱的半峰宽的影响 .2 5 K的光致发光结果表明 ,In作为表面活化剂能有效改善 Al Ga As/Ga As异质界面的粗糙度 .将此方法应用到反型 Al Ga As/Ga As高电子迁移率晶体管 (HEMT)材料结构中 ,Hall测量表明该方法能有效提高反型 展开更多
关键词 量子阱 高电子迁移率晶体管 界面粗糙度 光致发光 表面活化剂
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一种基于模糊哈希的Android变种恶意软件检测方法 被引量:4
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作者 王文冲 凌捷 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2018年第18期133-138,160,共7页
Android移动平台中恶意软件变种数量与日俱增,为了能够高效快速地检测出变种样本,提出一种能够根据Apk中字符串以及函数长度分布特征,来生成模糊哈希值的方法,使得同类变种的恶意软件间的哈希值相似。在对变种恶意软件进行检测时,首先利... Android移动平台中恶意软件变种数量与日俱增,为了能够高效快速地检测出变种样本,提出一种能够根据Apk中字符串以及函数长度分布特征,来生成模糊哈希值的方法,使得同类变种的恶意软件间的哈希值相似。在对变种恶意软件进行检测时,首先利用k-means方法对已知病毒库所产生的模糊哈希值进行聚类,从而简化病毒库。再利用哈密顿距离来计算其与病毒库中各模糊哈希间哈密顿距离。当距离小于阈值,则表示检测到变种。实验结果表明,提出的方法具有检测速度快,抗干扰能力强等特点。 展开更多
关键词 Android变种 恶意软件检测 模糊哈希值
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白带病临床治疗体会 被引量:1
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作者 王文冲 《江西中医药》 1994年第S1期40-41,共2页
白带病临床治疗体会王文冲(浙江省温州市永光镇卫生院325024)关键词白带病,中医药治疗白带有生理性和病理性之分,女子在青春发育期和两次月经中间以及妊娠初期,有少量白带分泌,为无色、无臭的阴液,称为生理性白带。也就是... 白带病临床治疗体会王文冲(浙江省温州市永光镇卫生院325024)关键词白带病,中医药治疗白带有生理性和病理性之分,女子在青春发育期和两次月经中间以及妊娠初期,有少量白带分泌,为无色、无臭的阴液,称为生理性白带。也就是王盂英所说:带下乃女子生而即有津津... 展开更多
关键词 白带病 中医药治疗
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探究中职计算机教学中互动式教学模式的应用
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作者 王文冲 《东西南北(教育)》 2018年第20期107-107,共1页
随着经济社会的全面发展和国际形势的快速变化,时代对教育的改革和发展需求也在进一步提高,对素质教育和新课程改革提出了新课题。矛盾的特殊性决定了因材施教的必要性与重要性,因而在中职计算机教学中采用互动式教学法就成了必然的选择... 随着经济社会的全面发展和国际形势的快速变化,时代对教育的改革和发展需求也在进一步提高,对素质教育和新课程改革提出了新课题。矛盾的特殊性决定了因材施教的必要性与重要性,因而在中职计算机教学中采用互动式教学法就成了必然的选择,也是在中职计算机教育中贯彻和落实科学发展观的重要举措。 展开更多
关键词 互动式教学法 中职 计算机教学 运用
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有机小分子半导体生长及光电性能原位实时测量表征之集成系统
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作者 迟力峰 王文冲 +3 位作者 黄丽珍 王燕东 申学礼 孙迎辉 《中国科技成果》 2019年第8期17-18,共2页
有机小分子半导体器件制作过程分为薄膜和器件制作及表征两个方面。真空沉积是其常用的薄膜制备技术。所谓真空沉积,是将分子材料安装在容器中,通过加热使分子源材料温度高于其升华点或蒸发点,进而使分子脱离容器并定向喷射向衬底表面... 有机小分子半导体器件制作过程分为薄膜和器件制作及表征两个方面。真空沉积是其常用的薄膜制备技术。所谓真空沉积,是将分子材料安装在容器中,通过加热使分子源材料温度高于其升华点或蒸发点,进而使分子脱离容器并定向喷射向衬底表面并形成薄膜的过程。分子在衬底表面的薄膜形成涉及到吸附、迁移、成核或者脱附等一系列过程,其与分子与表面的作用、温度和生长速率等参数息息相关。 展开更多
关键词 有机小分子 半导体生长 集成系统 实时测量 光电性能 表征 半导体器件 衬底表面
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砷化镓基半导体-氧化物绝缘衬底
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作者 周均铭 陈弘 +2 位作者 贾海强 王文冲 黄绮 《科技开发动态》 2004年第11期41-41,共1页
该实用新型专利是一种砷化镓基半导体-氧化物绝缘衬底。
关键词 砷化镓 衬底 半导体 绝缘 氧化物 实用新型专利
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具有AlAs氧化层的半导体型材
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作者 周均铭 陈弘 王文冲 《科技开发动态》 2005年第1期47-47,共1页
编号:0501243 该实用新型专利是一种具有AlAs氧化层的半导体型材。
关键词 砷化铝 氧化层 半导体型材 氧化速率
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类液晶作为高性能有机场效应晶体管的有源层
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作者 王治芳 Daniel Martin-Jimenez +10 位作者 张莹莹 Miguel Wiche 刘拉程 Daniel Ebeling 仲启刚 Florian Fontein Andre Schirmeisen 黄丽珍 王滋 王文冲 迟力峰 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期1518-1526,共9页
高载流子迁移率和器件性能的一致性对于有机场效应晶体管在阵列和集成电路上的应用至关重要.然而,同时具备高性能和小批间差的方法当前仍然是个挑战.本论文在原子力显微镜和偏振荧光显微镜表征的基础上,报道了在PTCDI-C1_(3)分子模板上... 高载流子迁移率和器件性能的一致性对于有机场效应晶体管在阵列和集成电路上的应用至关重要.然而,同时具备高性能和小批间差的方法当前仍然是个挑战.本论文在原子力显微镜和偏振荧光显微镜表征的基础上,报道了在PTCDI-C1_(3)分子模板上生长具有大晶畴的dif-TES-ADT类液晶状薄膜的方法.我们进一步将所获得的薄膜用作有机场效应晶体管的载流子传输通道,其饱和载流子迁移率高达1.62±0.26 cm^(2)V^(-1)s^(-1).更重要的是,在重复三个批次之间,每次50个器件的迁移率批间差仅为16%.这一发现为设计材料和器件结构以同时实现高载流子迁移率和器件均匀性提供了一种新思路. 展开更多
关键词 有机场效应晶体管 载流子迁移率 载流子传输 有源层 集成电路 器件性能 偏振荧光 原子力显微镜
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