研究了 Al Ga As层掺 1%的 In对 Al Ga As/Ga As量子阱光致发光谱的半峰宽的影响 .2 5 K的光致发光结果表明 ,In作为表面活化剂能有效改善 Al Ga As/Ga As异质界面的粗糙度 .将此方法应用到反型 Al Ga As/Ga As高电子迁移率晶体管 (HEMT...研究了 Al Ga As层掺 1%的 In对 Al Ga As/Ga As量子阱光致发光谱的半峰宽的影响 .2 5 K的光致发光结果表明 ,In作为表面活化剂能有效改善 Al Ga As/Ga As异质界面的粗糙度 .将此方法应用到反型 Al Ga As/Ga As高电子迁移率晶体管 (HEMT)材料结构中 ,Hall测量表明该方法能有效提高反型展开更多
文摘研究了 Al Ga As层掺 1%的 In对 Al Ga As/Ga As量子阱光致发光谱的半峰宽的影响 .2 5 K的光致发光结果表明 ,In作为表面活化剂能有效改善 Al Ga As/Ga As异质界面的粗糙度 .将此方法应用到反型 Al Ga As/Ga As高电子迁移率晶体管 (HEMT)材料结构中 ,Hall测量表明该方法能有效提高反型
基金the financial support from the National Natural Science Foundation of China(51821002)the Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science&Technology+2 种基金the Deutsche Forschungsgemeinschaft(SFB 858 projects B3,the German-Chinese Transregional Collaborative Research Centre TRR 61/PAK 943)the Europ?ischer Fonds für regionale Entwicklung(EFRE)innovation laboratory for high performance materials(JLU)the National Key Research and Development Program of China(2018YFE0200700)。