掺氧氮化硅发光二极管的发光特性研究

采用等离子体增强化学气相沉积方法低温制备非晶氮化硅薄膜,在低温下以氧气为气源,等离子体氧化非晶氮化硅薄膜,以这层薄作为有源层制备电致发光器件。实验结果表明以此方法制备的器件在正向偏置电压下可观测到强烈的黄绿光,发光峰位于540 nm,而且电致发光开启电压低,仅为6 V,功耗小。光致发光谱和电致发光谱测量表明发光来自同一种发光中心,即与Si-O相关的发光中心。

联通数据中心电容柜改造实例分析

联通数据中心宁桥二期在配电现场巡检抄表时,发现部分低压开关进线侧的多功能仪表功率因素显示值与电容柜显示屏的读数值8存在较大差异,且电容柜运行指示灯显示与显示屏投运指示有差异,因此通过一次二次的检测后决定改造其电容柜控制系统。改造过程中,没有图纸和保留滤波器是一大挑战。通过电容柜临时停电,排摸线路走线及控制方式,改造时采用旁站保证线路的准确性。改造完成后进行了为期一个月的试运行,发现状态指示灯、功率因素等均显示正常,系统正常运行。

Strong Green Light Emission from Low-Temperature Grown a-SiNx：H Film after Different Oxidation Routes

Room-temperature deposited amorphous silicon nitride （a-SiNx ：H） films exhibit intense green light emission after post-treated by plasma oxidation, thermal oxidation and natural oxidation, respectively. All the photoluminescence （PL） spectra are peaked at around 500nm, independent of oxidation method and excitation wavelength. Compared with the PL results from oxidized a-Si：H and as-deposited a-SiNx：H samples, it is indicated that not only oxygen but also nitrogen is of an important role in enhancing light emission from the oxidized a-SiNx：H. Combining the PL results with the analyses of the bonding configurations as well as chemical compositions of the films, the strong green light emission is suggested to be from radiative recombination in luminescent centres related to N Si-O bonds.

基于Si-rich SiN_x/N-rich SiN_y多层膜结构的量子点构筑及发光特性

利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维限制、尺寸可控、有序的硅纳米晶.实验结果表明,经退火后,纳米硅晶粒在Si-rich SiNx子层内形成,其尺寸可由Si-rich SiNx子层厚度调控.实验还发现,激光辐照技术相比于热退火能更有效地改善多层膜的微结构,提高多层膜的晶化率,以激光技术诱导晶化的Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下观察到了增强的电致可见发光,并且发光效率较退火前提高了40%以上.

基于Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜结构电致发光特性研究

利用等离子体增强化学气相沉积法制备了富硅氮化硅/富氮氮化硅多层膜,并以此氮化硅基多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下观察到了较强的电致可见发光.在此基础上,研究多层膜结构中作为势垒层的富氮氮化硅层对器件电致发光性质的影响,实验结果表明通过改变势垒层的Si/N组分,调制其势垒高度,器件的电致发光效率可得到显著地提高.

二维移相光栅光强分布的计算及在制备有序纳米硅阵列中的应用

从菲涅耳衍射积分的一般形式出发,结合二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)的具体参数,通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上,采用激光干涉晶化的方法,利用周期为400nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜上直接制备了2D的有序纳米硅(nc-Si)阵列.测试结果表明:2D的nc-Si阵列的周期和PSGM的相一致,晶化区域与理论模拟的结果符合得很好.

脉冲激光晶化超薄非晶硅膜的分子动力学研究

利用准分子脉冲激光晶化非晶硅薄膜是制备高密度尺寸可控的硅基纳米结构的有效方法之一.本文将脉冲激光对非晶硅超薄膜的影响处理为热传导问题,采用了基于Tersoff势函数的分子动力学方法模拟了在非晶氮化硅衬底上2.7nm超薄非晶硅膜的脉冲激光晶化过程.研究了不同激光能量对非晶硅薄膜晶化形成纳米硅的影响,发现在合适的激光能量窗口下,可以获得高密度尺寸可控的纳米硅薄膜,进而模拟了在此能量作用下非晶硅膜中成核与生长的机理与微观过程,并对晶化所获得的纳米硅薄膜的微结构进行了分析.

探讨循证护理对胎膜早破合并产褥期感染产妇生产结局及氧化应激状况的影响

观察循证护理对胎膜早破合并产褥期感染产妇生产结局及氧化应激状影响分析。方法 将在我院(2019年01月-2022年12月)收治以胎膜早破合并产褥期感染为诊断的产妇总计100例,以随机数字表法分成两组各50例患者,其中1组以常规护理为对照组,另1组以循证护理干预为研究组。比较两组产妇在护理前、后不良情绪评分、氧化应激指标,干预后羊水残余量,并统计分娩结局及不良事件发生情况。结果 在护理前不良情绪评分、氧化应激指标中,两组比较,无显著差异性(P>0.05)。在护理后的不良情绪评分、氧化应激指标较护理前显著的下降,研究组更低,护理前、后组间相比及护理后两组相比,具有显著差异(P<0.05)。研究组产妇在干预后羊水残余量正常率更高,而羊水残余量过少率更低(P<0.05)。研究组产妇自然分娩率更高,剖宫产率及不良事件率更低(P<0.05)。护理干预前两组产妇白细胞介素-6 IL-6、白细胞介素-8 IL-8、降钙素原水平PCT相比,均未见明显差异性(P>0.05);护理干预后研究组产妇上述炎症因子水平均显著低于对照组,存在统计学差异性(P<0.05)。结论 在胎膜早破合并产褥期感染的产妇中,以循证护理干预,可显著的减轻产妇的不良情绪严重程度,降低氧化应激指标水平和炎症因子水平,在干预后羊水残余量更高,改善分娩结局并降低不良事件的发生,效果理想。