逸出功测试与GaAs光电发射材料的激活

采用铯氧多次交替激活可获得积分灵敏度高达１７００μＡ／ｌｍ、逸出功低至１．２～１．３ｅＶ的负电子亲和势ＧａＡｓ光电发射材料。本文介绍了ＧａＡｓ光电材料的激活系统及其逸出功测试系统，叙述了艳氧多次交替激活工艺，给出了激活过程中灵敏度与逸出功的变化曲线，分析了ＧａＡｓ光电材料导带上内光电子波函数的透射系数与逸出功之间的关系，最后讨论了逸出功测试在高性能ＧａＡｓ光电材料制备过程中的作用。

Si雪崩冷阴极的电子发射特性

采用离子注入和快速退火法可制备Ｓｉ浅ｐ－ｎ结阵列，通过真空清洁处理和铯氧激活后制成阵列式Ｓｉ浅ｐ－ｎ结雪崩冷阴极，其最高电子发射效率为１６％。本文介绍阵列式Ｓｉ雪崩冷阴极的制各方法，给出了Ｓｉ冷阴极的雪崩电子发射特性，讨论了影响发射稳定性的主要因素。

双交流法霍耳效应测量仪的研制

介绍双交流法霍耳效应测量的原理，并说明制作的仪器的结构和样品架制作技术。电磁铁截面积为８．０ｃｍ×５．５ｃｍ，间隙为１．３ｃｍ，磁感应强度Ｂ可达０．１５Ｔ，如缩小间隙，Ｂｍａｘ可达１．５Ｔ。样品电流从５ｍＡ到２ｕＡ分６个量程。测试表明，仪器的灵敏度、稳定度优于ＦＳ－５型锁相放大器的指标。最后分别对砷化镓材料条形样品和方形样品做了２种方法的测量。