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CVI处理对浸渍裂解法制备C/C-SiC复合材料弯曲性能的影响
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作者 贾林涛 王梦千 +3 位作者 郭小凤 朱界 李爱军 彭雨晴 《新型炭材料(中英文)》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1127-1134,共8页
以2D叠层炭布为增强体,以掺加硅粉、炭粉和碳化硅粉3种无机粉体的糠酮树脂为前驱体,经浸渍、热压固化、炭化裂解和高温热处理过程制备出炭/炭-碳化硅(C/C-SiC)复合材料。采用多功能密度测试仪、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)... 以2D叠层炭布为增强体,以掺加硅粉、炭粉和碳化硅粉3种无机粉体的糠酮树脂为前驱体,经浸渍、热压固化、炭化裂解和高温热处理过程制备出炭/炭-碳化硅(C/C-SiC)复合材料。采用多功能密度测试仪、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和力学万能试验机,研究了硅粉、炭粉和碳化硅粉的掺加量以及后续化学气相渗透(CVI)处理对C/C-SiC复合材料致密度、微观结构及抗弯强度的影响。结果表明:硅粉、炭粉和碳化硅粉掺加后所形成的碳化硅颗粒对复合材料起到颗粒弥散增强的作用。具体而言,粉体掺加量越多,C/C-SiC复合材料越致密,抗弯强度越大;在三点弯曲载荷作用下,C/C-SiC复合材料呈假塑性断裂模式,并且出现层间开裂现象。对C/C-SiC复合材料进行10 h CVI处理后发现,形成的热解炭可以作为炭纤维与树脂炭基体之间的界面,弥补了树脂炭的微孔,相比于未进行CVI处理的C/C-SiC复合材料,密度最大提高了4.98%,抗弯强度最大提高了38.86%。 展开更多
关键词 糠酮树脂 C/C-SIC复合材料 无机粉体 化学气相渗透 抗弯强度
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碳化硅CVI工艺沉积动力学模拟研究
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作者 汤哲鹏 王梦千 董凯 《中国陶瓷工业》 CAS 2023年第1期1-6,共6页
化学气相渗透(CVI)工艺被广泛应用于制备碳基及碳化硅(SiC)基复合材料,CVI工艺是实现制备高纯度和高晶粒度SiC基体的SiCf/SiC复合材料最佳方案。为了优化CVI制备SiC基体的工艺参数,本文主要研究了CVI工艺沉积SiC的动力学机理及数值模拟... 化学气相渗透(CVI)工艺被广泛应用于制备碳基及碳化硅(SiC)基复合材料,CVI工艺是实现制备高纯度和高晶粒度SiC基体的SiCf/SiC复合材料最佳方案。为了优化CVI制备SiC基体的工艺参数,本文主要研究了CVI工艺沉积SiC的动力学机理及数值模拟。对于CVI工艺SiC沉积的动力学,本文提出了SiC沉积过程的反应动力学机理模型,并通过耦合反应器内的流场和浓度场,模拟了甲基三氯硅烷(MTS)在CVI过程中的SiC沉积实验。通过对样品在CVI致密化过程中孔隙率的实验结果与模拟结果比较,表明该SiC沉积动力学模型的合理性。通过模拟获得了在反应器内的速度场和各组分(MTS,CH_(3),SiCl_(3))的浓度场分布情况,以及预制体致密化过程的密度分布情况。以上SiC的CVI工艺动力学模拟,对未来优化SiCf/SiC复合材料CVI工艺具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 SIC CVI工艺 工艺参数 动力学
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BCl_3-NH_3-H_2-N_2前驱体化学气相沉积法制备氮化硼涂层 被引量:5
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作者 王梦千 贾林涛 +2 位作者 李爱军 彭雨晴 张方舟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1179-1185,共7页
以BCl_3-NH_3-H_2-N_2为前驱体系统,在垂直放置的热壁反应器中利用化学气相沉积工艺制备氮化硼(BN)涂层,分析了工艺参数对沉积速率的影响,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射技术(XRD)分析了碳化硅纤维表面BN涂... 以BCl_3-NH_3-H_2-N_2为前驱体系统,在垂直放置的热壁反应器中利用化学气相沉积工艺制备氮化硼(BN)涂层,分析了工艺参数对沉积速率的影响,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射技术(XRD)分析了碳化硅纤维表面BN涂层的形貌和微观结构,提出了BN沉积过程中主要的气相和表面反应,以及关键气相组分。研究结果显示:在600~850℃的范围内,随着沉积温度的升高, BN沉积速率逐渐加快,同一温度下,沉积区域内BN沉积速率沿气流方向逐渐减缓,表明气相组分在气流方向逐渐消耗;随着系统压力的提高, BN沉积速率先加快后减缓,表明沉积过程由表面反应控制转变为质量传输控制;随滞留时间延长,距气体入口1~3cm处,BN的沉积速率逐渐增大,而距气体入口4~5 cm处,沉积速率先增大后逐渐变小。SEM照片显示碳化硅纤维表面BN涂层光滑致密, XPS结果表明主要成分为BN及氧化产物B_2O_3,XRD图谱表明热处理前BN为无定形态,1200℃热处理后BN的结晶度提高,并向六方形态转变。BN的沉积是由BCl_3和NH_3反应所生成的中间气相组分Cl_2BNH_2、ClB(NH_2)_2和B(NH_2)_3来实现的。 展开更多
关键词 化学气相沉积 氮化硼 沉积速率 微观结构 沉积过程
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ICVI工艺参数对碳/碳复合材料快速均匀致密化的影响 被引量:4
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作者 王梦千 贾林涛 +5 位作者 刘瑶瑶 茅思佳 朱界 李爱军 彭雨晴 李照谦 《材料科学与工艺》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期25-32,共8页
为了研究碳/碳(C/C)复合材料的快速均匀致密化工艺,参考工业天然气的成分,以92%甲烷(CH4)、5%乙烷(C2H6)、3%丙烷(C3H6)组成的混合气作为前驱体,在沉积温度为1075℃时,采用等温化学气相渗透(ICVI)工艺,在不同系统压力和滞留时间下对16和... 为了研究碳/碳(C/C)复合材料的快速均匀致密化工艺,参考工业天然气的成分,以92%甲烷(CH4)、5%乙烷(C2H6)、3%丙烷(C3H6)组成的混合气作为前驱体,在沉积温度为1075℃时,采用等温化学气相渗透(ICVI)工艺,在不同系统压力和滞留时间下对16和26 mm两种厚度的碳纤维针刺预制体进行120 h致密化,制备C/C复合材料。对制备出的C/C复合材料进行轴向和径向切割取样,利用多功能密度测试仪研究压力和滞留时间对C/C复合材料致密化速度和均匀性的影响。结果表明:沉积温度为1075℃,滞留时间为1.0 s时,20 kPa下,经过120 h致密化后,16和26 mm厚度的C/C复合材料平均密度分别为1.45和1.43 g/cm3,较10 kPa压力下的平均密度(1.06和0.91 g/cm3)有明显提高,且厚度对C/C复合材料密度均匀性的影响减小。沉积温度为1075℃,压力为20 kPa时,将滞留时间降低到0.1 s,经过120 h致密化后,16和26 mm厚度的C/C复合材料平均密度均达到1.7 g/cm3以上,厚度对前驱气体在预制体内渗透效果的限制作用非常小;并且,在此实验条件下制备出沿气流方向密度均匀性比较理想的C/C复合材料。基于热解碳沉积反应机理,利用COMSOL软件对不同ICVI条件下C/C复合材料进行了致密化过程的数值模拟分析,模拟结果与实验中获得的C/C复合材料的致密化效果具有较高的一致性。 展开更多
关键词 碳/碳(C/C)复合材料 等温化学气相渗透(ICVI) 密度 致密化 数值模拟
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化学气相沉积法从MTS-H2-N2前驱体制备碳化硅涂层 被引量:8
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作者 贾林涛 王梦千 +2 位作者 朱界 李爱军 彭雨晴 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2020年第2期257-263,共7页
以三氯甲基硅烷-氢气-氮气(MTS-H2-N2)为前驱体系统,在垂直放置的热壁反应器中利用化学气相沉积工艺制备碳化硅涂层,分析了工艺参数对碳化硅沉积速率的影响,通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射技术(XRD)分析了碳化硅纤维表面碳化硅涂... 以三氯甲基硅烷-氢气-氮气(MTS-H2-N2)为前驱体系统,在垂直放置的热壁反应器中利用化学气相沉积工艺制备碳化硅涂层,分析了工艺参数对碳化硅沉积速率的影响,通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射技术(XRD)分析了碳化硅纤维表面碳化硅涂层的微观形貌和晶型结构,并分析了MTS热解和沉积碳化硅过程中主要气相组分的变化。在850-1050℃的范围内,随着沉积温度的提高,碳化硅沉积速率先增大后减小,温度为1000℃时,碳化硅沉积过程由表面反应控制转变为质量传输控制;随着反应物分压逐渐升高至30 kPa,碳化硅沉积速率逐渐增加,沉积由表面活性位吸附过程转变为形核长大过程;随着滞留时间的延长,SiC沉积速率逐渐下降。SEM图显示碳化硅纤维表面碳化硅涂层光滑致密,XRD结果表明850-1050℃沉积的碳化硅为β-SiC。MTS热解过程中主要的气相组分为是CH4、C2H2、SiHCl3、SiCl2和SiCl4。 展开更多
关键词 化学气相沉积 碳化硅 沉积速率 气相组分
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3D SiC_(f)/SiBCN复合材料在水氧环境下的氧化行为 被引量:1
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作者 魏子涵 彭雨晴 +4 位作者 徐海明 康治伟 王梦千 李爱军 李照谦 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2021年第3期430-437,共8页
采用前驱体浸渍裂解法(PIP)制备3D SiC_(f)/SiBCN陶瓷基复合材料,探究复合材料在水氧耦合环境下(800℃-1200℃)的氧化行为。使用SEM和XRD对复合材料在氧化前后的微观结构和物相组成进行表征,并通过EDS对复合材料氧化后的主要元素进行面... 采用前驱体浸渍裂解法(PIP)制备3D SiC_(f)/SiBCN陶瓷基复合材料,探究复合材料在水氧耦合环境下(800℃-1200℃)的氧化行为。使用SEM和XRD对复合材料在氧化前后的微观结构和物相组成进行表征,并通过EDS对复合材料氧化后的主要元素进行面扫分析。研究结果表明,800℃湿氧氧化处理导致复合材料弯曲强度呈现极大的下降,弯曲强度保留率仅为33.56%,然而,在1000℃和1200℃氧化处理后,弯曲强度保留率高于50%,这是由于复合材料在1000℃和1200℃氧化50 h后形成了粘流态的SiO_(2)氧化层,对复合材料的纤维起到了保护作用。氧元素的面扫显示了复合材料在氧化过程中的自愈合氧化层主要来自SiBCN基体的氧化。 展开更多
关键词 SiC_(f)/SiBCN复合材料 湿氧氧化 自愈合 基体氧化
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MAX相Ti_(3)SiC_(2)高导电涂层的研究进展
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作者 朱界 张方舟 +3 位作者 谢有菊 贾林涛 王梦千 李爱军 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第23期23025-23032,23039,共9页
钛硅碳(Ti_(3)SiC_(2),TSC)是一种兼具金属材料和陶瓷材料优异性能的新型三元化合物MAX相。Ti_(3)SiC_(2)作为高导电功能涂层具有很大的应用潜力,近年来受到越来越多的关注。Ti_(3)SiC_(2)涂层的制备技术在不断改革优化,主要有五种常见... 钛硅碳(Ti_(3)SiC_(2),TSC)是一种兼具金属材料和陶瓷材料优异性能的新型三元化合物MAX相。Ti_(3)SiC_(2)作为高导电功能涂层具有很大的应用潜力,近年来受到越来越多的关注。Ti_(3)SiC_(2)涂层的制备技术在不断改革优化,主要有五种常见制备工艺,分别是化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)、固相反应合成法(Solid-state reaction)、气溶胶沉积法(ADM)和热喷涂法(Thermal spraying)。Ti_(3)SiC_(2)涂层的性能在很大程度上与其纯度相关,通常制得的Ti_(3)SiC_(2)涂层均含有一定程度的杂质,这是制约其广泛应用的一个重要因素。Ti_(3)SiC_(2)涂层中经常出现的杂质主要是TiC、Ti_(5)Si_(3)、SiC、TiSi_(2)等,不同的制备方法产生的杂质种类也不一样。为了提高Ti_(3)SiC_(2)涂层的纯度,需要对其制备工艺进行探索和优化。目前,反应化学气相沉积(RCVD)实现了通过消耗碳化硅(SiC)子层在石墨基底上生长纯Ti_(3)SiC_(2)涂层。近年来利用ADM也实现了在室温下合成纯Ti_(3)SiC_(2)涂层,这一技术降低了常规Ti_(3)SiC_(2)涂层的合成温度。此外,PVD法不仅为低温制备Ti_(3)SiC_(2)涂层提供了可能性,还实现了Ti-Si-C复合涂层的工业化生产。本文综述了Ti_(3)SiC_(2)涂层的研究现状,分析了Ti_(3)SiC_(2)涂层独特的晶体结构及优异性能,介绍了近年来几种常见的Ti_(3)SiC_(2)涂层制备技术,并指出了目前合成纯Ti_(3)SiC_(2)涂层所面临的巨大挑战。 展开更多
关键词 Ti_(3)SiC_(2)涂层 结构 性能 制备方法
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沉积温度和氢气浓度对CVD法合成Ti_(3)SiC_(2)涂层的影响
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作者 朱界 茅思佳 +3 位作者 刘瑶瑶 王梦千 李爱军 彭雨晴 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期961-968,共8页
以TiCl_(4)-CH_(3)SiCl_(3)-H_(2)-Ar作为前驱体体系,石墨片为基底,采用化学气相沉积法(CVD)制备了Ti_(3)SiC_(2)涂层,研究了沉积温度和氢气浓度α的变化对涂层沉积速率的影响,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDS)、X射线衍... 以TiCl_(4)-CH_(3)SiCl_(3)-H_(2)-Ar作为前驱体体系,石墨片为基底,采用化学气相沉积法(CVD)制备了Ti_(3)SiC_(2)涂层,研究了沉积温度和氢气浓度α的变化对涂层沉积速率的影响,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)对涂层形貌及组成进行了分析。研究结果表明:在1273~1373 K,涂层沉积速率随温度上升而增加;在1373~1423 K,涂层沉积速率随温度上升而减小。当α为40%~50%时,涂层沉积速率随α增加而减小;α为50%~70%时,涂层沉积速率随α增加而增加。当温度为1373 K,α为50%时,涂层以Ti_(3)SiC_(2)相为主,呈板状结构。基于微观形貌及组成分析的结果,提出了TiCl_(4)-CH_(3)SiCl_(3)-H_(2)-Ar作为前驱体体系制备Ti_(3)SiC_(2)涂层的主要反应路径。 展开更多
关键词 CVD Ti_(3)SiC_(2)涂层 沉积温度 氢气浓度 前驱体反应路径
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基于SiC CVD工艺的MTS-H_(2)前驱体热解动力学研究
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作者 王梦千 贾林涛 +1 位作者 李爱军 彭雨晴 《现代技术陶瓷》 CAS 2023年第3期201-209,共9页
为了研究三氯甲基硅烷-氢气(MTS-H_(2))前驱体在碳化硅(SiC)化学气相沉积工艺(CVD)过程中的热解动力学,利用DETCHEM软件,在不同沉积温度、α值和系统压力下对其在零维和一维反应器中的的气相组分进行了数值模拟。结果表明:在零维反应器... 为了研究三氯甲基硅烷-氢气(MTS-H_(2))前驱体在碳化硅(SiC)化学气相沉积工艺(CVD)过程中的热解动力学,利用DETCHEM软件,在不同沉积温度、α值和系统压力下对其在零维和一维反应器中的的气相组分进行了数值模拟。结果表明:在零维反应器中,各温度下的主要气相组分为HCl、CH_(4)、C_(2)H_(6)、SiCl_(4)、CH_(4)SiCl_(2)、SiHCl_(3)、SiH_(2)Cl_(2)和SiH_(3)Cl,温度越高气相组分可达到气相平衡的时间越短。900℃气相组分浓度达到平衡的时间约为5 s,1000℃下的气相组分浓度达到平衡的时间约为2 s,1100℃下的气相组分浓度达到平衡的时间小于1 s。随着温度增加,气相反应加剧,生成了更多的Si-Cl气相组分。气相组分浓度受α值变化的影响较小,达到气相平衡的时间基本一致。体系压力对气相组分有显著影响,增大压力有助于提高各组分的平衡浓度,但达到气相平衡前的气相组分随滞留时间变化的波动性更明显,说明增大压力使反应体系中出现了更多的中间相组分。在一维反应器中,温度对气相组分浓度有很大的影响,随着温度提高,MTS的裂解率不断增加,气相中主要气相产物为HCl,SiCl_(2),SiCl_(4)和CH_(4),且气相组分的浓度随着温度的升高而增加。α值对气相组分的沿程分布种类和浓度影响不大,但在一定程度上促进了含Si组分的生成。压力对沿程气相组分有显著作用,随着压力的增加,气相反应加剧,体系倾向于向体积增大的方向进行,气相组分的种类和浓度增加,且以Si-Cl化合物为主。 展开更多
关键词 MTS-H_(2) SIC CVD 热解动力学 数值模拟
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SiC纤维预制体结构对SiC_(f)/BN/SiC复合材料致密化和力学性能的影响
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作者 王梦千 贾林涛 +1 位作者 李爱军 彭雨晴 《复合材料科学与工程》 CAS 2024年第5期58-65,共8页
为了研究碳化硅(SiC)纤维预制体的结构对SiC基体的化学气相渗透(CVI)工艺致密化过程的影响,利用模拟计算方法分析了2D叠层、2.5D和3D正交三种编织结构SiC预制体在SiC致密化过程中的孔隙结构演变规律,并采用三氯化硼-氨气-氢气-氮气(BCl_... 为了研究碳化硅(SiC)纤维预制体的结构对SiC基体的化学气相渗透(CVI)工艺致密化过程的影响,利用模拟计算方法分析了2D叠层、2.5D和3D正交三种编织结构SiC预制体在SiC致密化过程中的孔隙结构演变规律,并采用三氯化硼-氨气-氢气-氮气(BCl_(3)-NH_(3)-H_(2)-N_(2))混合气体和三氯甲基硅烷-氢气-氮气(MTS-H_(2)-N_(2))混合气体作为前驱体,利用CVI致密化工艺制备出三种预制体结构的SiC_(f)/BN/SiC复合材料。结果表明,SiC纤维预制体结构不同,SiC_(f)/BN/SiC复合材料的致密化效率不同,其中2.5D纤维预制体的致密化速率最快,3D正交预制体的致密化速率最慢。致密化120 h后,三种预制体结构的复合材料密度均达到2.3 g/cm~3以上,开孔率为10%左右。三种结构的SiC_(f)/BN/SiC复合材料拉伸强度为130~170 MPa。在层间剪切过程中,2D结构SiC_(f)/BN/SiC复合材料与2.5D结构SiC_(f)/BN/SiC复合材料样品都出现了XY面的纤维剥离现象,而3D结构SiC_(f)/BN/SiC复合材料样品发生了正交Z向纤维的断裂。由此可知,SiC纤维预制体结构影响了所形成复合材料的致密化过程和力学性能。 展开更多
关键词 SiC纤维 预制体结构 SiC基体 CVI 致密化 复合材料 力学性能
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多晶硅炉热场用C/C复合材料的硅化腐蚀失效机理
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作者 贾林涛 王梦千 +1 位作者 李艳 李爱军 《炭素技术》 CAS 北大核心 2023年第1期15-19,28,共6页
以2D叠层炭布为增强体的炭/炭(C/C)复合材料作为多晶硅炉用热场盖板,对其在硅液/硅蒸汽共同作用下的硅化腐蚀失效机理进行了研究。通过多功能密度测试仪、扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分析了硅化作用对C/C复合材料致密度、微... 以2D叠层炭布为增强体的炭/炭(C/C)复合材料作为多晶硅炉用热场盖板,对其在硅液/硅蒸汽共同作用下的硅化腐蚀失效机理进行了研究。通过多功能密度测试仪、扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分析了硅化作用对C/C复合材料致密度、微观结构及物相组成的影响,并对侵蚀后的C/C复合材料失效机理进行了分析。结果表明:硅化侵蚀后的C/C复合材料致密度高,存在大量的Si元素,生成了大量的β-SiC,且微观缺陷较多,层间开裂严重,呈现脆性断裂模式。理论分析发现,高温下单位摩尔质量的热解炭和单位摩尔质量的硅发生反应生成单位摩尔质量的SiC后,总体积膨胀约为单位摩尔热解炭体积的6.3倍,不同物相间的热失配导致热应力集中,引起C/C复合材料变形开裂失效,裂纹产生的扩散通道加剧了硅液/硅蒸汽对C/C复合材料的硅化侵蚀作用。 展开更多
关键词 多晶硅炉 C/C复合材料 硅化侵蚀 热失配 扩散通道
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甲烷CVI工艺致密不同尺寸炭/炭复合材料实验与数值模拟研究 被引量:2
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作者 汤哲鹏 贾林涛 +3 位作者 谢宇辉 李同起 王梦千 李爱军 《炭素技术》 CAS 北大核心 2021年第3期4-7,46,共5页
在温度为1348 K,压强15 kPa和停留时间1.0 s下,以甲烷为前驱体对两种不同厚度(16 mm和26 mm)2D炭纤维布预制体进行CVI热解炭致密。经120 h致密化后,将制备得到的炭/炭复合材料进行均匀切分,并测量样品的密度分布。实验结果表明,对于不... 在温度为1348 K,压强15 kPa和停留时间1.0 s下,以甲烷为前驱体对两种不同厚度(16 mm和26 mm)2D炭纤维布预制体进行CVI热解炭致密。经120 h致密化后,将制备得到的炭/炭复合材料进行均匀切分,并测量样品的密度分布。实验结果表明,对于不同厚度的预制体,致密化后在气体流动的外侧密度都偏高,且样品密度都随着距气流外侧的距离增加而逐渐降低。通过耦合热解炭沉积反应机理和氢气抑制模型,模拟甲烷在两种不同厚度预制体的CVI致密化过程。计算获得的致密化后样品密度分布的模拟结果与实验结果较为接近,从而表明了该模拟方案的合理性与实用价值。 展开更多
关键词 炭/炭复合材料 化学气相渗透 致密化
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SiC纤维表面(BN-SiC)_n复合涂层的制备及单丝拉伸性能 被引量:5
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作者 贾林涛 王梦千 +2 位作者 徐海明 李爱军 彭雨晴 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期1873-1878,共6页
为制备出理想的连续纤维增韧陶瓷复合材料界面相,利用化学气相沉积(CVD)工艺在SiC纤维表面连续制备出三种类型的(BN-SiC)n复合界面涂层,对其进行微观结构表征,并通过单丝拉伸测试研究不同涂层对纤维单丝拉伸性能的影响。结果表明:SiC纤... 为制备出理想的连续纤维增韧陶瓷复合材料界面相,利用化学气相沉积(CVD)工艺在SiC纤维表面连续制备出三种类型的(BN-SiC)n复合界面涂层,对其进行微观结构表征,并通过单丝拉伸测试研究不同涂层对纤维单丝拉伸性能的影响。结果表明:SiC纤维表面沉积的(BN-SiC)n涂层较为均匀致密。单丝拉伸强度随着涂层层数的增加而降低。单层BN涂层的SiC纤维具有最高的单丝强度保持率(70%)和最大的拉伸伸长率(2.3%)。具有(BN-SiC)1与(BN-SiC)2复合涂层的SiC纤维单丝的拉伸性能相比原始SiC纤维有明显下降,拉伸强度保持率分别是42.1%和32.3%。 展开更多
关键词 化学气相沉积 复合涂层 SIC 微观结构 单丝拉伸
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反应器长径比对化学气相沉积SiC沉积动力学的影响
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作者 贾林涛 王梦千 +1 位作者 李爱军 彭雨晴 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期1200-1209,共10页
以三氯甲基硅烷(MTS)和H2为前驱体,在沉积温度900~1050℃,H2和MTS摩尔比为4~20和滞留时间0.4~1 s下,采用化学气相沉积(CVD)工艺研究沉积反应器长径比分别为7∶6和7∶2时的碳化硅(SiC)沉积动力学。结果发现,不同尺寸反应器中SiC沉积速率... 以三氯甲基硅烷(MTS)和H2为前驱体,在沉积温度900~1050℃,H2和MTS摩尔比为4~20和滞留时间0.4~1 s下,采用化学气相沉积(CVD)工艺研究沉积反应器长径比分别为7∶6和7∶2时的碳化硅(SiC)沉积动力学。结果发现,不同尺寸反应器中SiC沉积速率随工艺参数变化的规律性差异明显。长径比7∶6的反应器中SiC平均沉积速率随着温度的增加而增加,而长径比7∶2的反应器中SiC平均沉积速率随着温度先增加后降低,且长径比7∶6的沉积反应器中沿程SiC沉积存在多重稳态的特征。不同H2/MTS摩尔比下SiC沉积速率变化规律在两种反应器中基本一致,尽管长径比7∶6的反应器中出现了SiC沿程的多重择优沉积位置,但整体来说H2对SiC沉积的抑制作用远大于反应器尺寸效应所带来的影响。长径比7∶6反应器中SiC平均沉积速率随滞留时间的增加而降低,但沿程沉积速率受反应器尺寸效应并没有出现单调降低的规律;长径比7∶2反应器中SiC平均沉积速率和沿程沉积速率均随滞留时间增加而降低后趋于稳定。利用COMSOL软件对两种长径比反应器的流场和温度场进行了数值模拟分析发现,长径比7∶6的反应器产生明显的径向流速差,而且轴向和径向流速差和温差较大,而长径比7∶2的沉积反应器流场和温度场较为均匀,这种反应器尺寸效应引起的实际工艺参数和理论工艺参数之间的偏差,正是实验中不同长径比反应器中SiC沉积动力学规律差异的原因。 展开更多
关键词 化学气相沉积(CVD) 碳化硅(SiC) 沉积动力学 长径比 数值模拟
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多层界面相对SiC_(f)/SiC复合材料综合性能的影响
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作者 康治伟 李志伟 +3 位作者 彭雨晴 王梦千 张方舟 李艳 《现代技术陶瓷》 CAS 2022年第4期282-293,共12页
界面相的存在对于SiC_(f)/SiC复合材料的力学性能和抗氧化性能有重要影响,选择合适的界面相对于复合材料本身性能至关重要。本工作采用化学气相渗透工艺制备了具有三种不同界面的SiC_(f)/SiC复合材料,即:SiC/BN/SiC;SiC/(BN-SiC)/SiC和S... 界面相的存在对于SiC_(f)/SiC复合材料的力学性能和抗氧化性能有重要影响,选择合适的界面相对于复合材料本身性能至关重要。本工作采用化学气相渗透工艺制备了具有三种不同界面的SiC_(f)/SiC复合材料,即:SiC/BN/SiC;SiC/(BN-SiC)/SiC和SiC/(BN-SiC-BN)/SiC,研究了多层界面相对材料本身力学性能和抗氧化性能影响。结果表明,界面相的存在有利于维持并提高材料本身的力学性能和抗氧化性能,并且在三种复合材料中,SiC/(BN-SiC-BN)/SiC复合材料在1200℃高温有氧环境强度保有率最高约为95%,并且呈现出更好的自愈合能力。 展开更多
关键词 SiC_(f)/SiC BN-SiC-BN多层界面相 力学性能 抗氧化性
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