B^+注入沾污与Fe^+·B^-离子对的增强扩散效应

显微观测LSI硼注入硅形成的PN结,发现横向结深大于纵向结深,用紫外荧光法检测了B^+注入样品的Fe杂质沾污,研究了Fe^+·B^-离子“对”在SiO_2边缘的横向增强扩散效应.

硅器件晶片的红外吸收研究

用红外吸收光谱法对硅器件晶片的金属杂质玷污问题,热氧化SiO_2膜的质量状况和注氮SOI样品的结构进行分析,得到了有助于优选晶片及其与工艺有关的信息。检测方法是非破坏性的,适合硅材料与器件生产厂用于有关工艺的质量控制。