外延铁酸铋薄膜的阻变存储性能

采用磁控溅射法,以(001)取向钛酸锶SrTiO3 (STO)单晶基片为衬底,镧锶钴氧La0.5Sr0.5CoO3 (LSCO)为底电极,铁酸铋BiFeO3 (BFO)为铁电介质构架了Pt/BiFeO3/La0.5Sr0.5CoO3/SrTiO3 (Pt/BFO/LSCO/STO)异质结阻变存储器。X射线衍射证实了BFO (001)的外延结构,摇摆曲线表明随着厚度的增大BFO的结晶质量增大。研究BFO薄膜厚度对Pt/BFO/LSCO异质结阻变效应的影响,结果表明,200 nm BFO薄膜开始出现阻变效应,随着厚度的增大,阻变效应所需要的电压相应增加,高阻/低阻的比值增大。此外,300 nm厚度下,阻变效应随着外加电压增大,Pt/BFO/LSCO异质结阻变效应更加显著,且5 V工作电压下,高阻/低阻的比值达到最大。